< 概要>
fabricante de semiconductores líder del mundo ROHM ha desarrollado una nueva industria de nivel superior tanto bajas pérdidas de la conducción * 1 y tensión de ruptura 650V IGBT de alta velocidad características de conmutación ※ 2 'RGTV serie (resistencia a los cortocircuitos capacidad de mantener ※ 3 version)' y 'Series RGW (versión de conmutación de alta velocidad )', un total de 21 tipos de modelos. estos productos son ideales para UPS (sistema de alimentación ininterrumpida), inversor de propósito general y el convertidor de máquinas de soldar y el equipo industrial de alimentación del panel de control, aire acondicionado, IH (calentamiento por inducción) y otra alimentación de la electrónica de consumo la conversión.
La nueva serie de productos desarrollados utilizando tecnología de obleas finas y estructura única ROHM ha logrado un rendimiento de alto nivel en términos de bajas pérdidas de conducción y características de conmutación de alta velocidad con relación de intercambio. Por ejemplo, cuando se utiliza en un circuito de PFC intercalado En comparación con los productos anteriores, la eficiencia se incrementa en un 1.2% con carga ligera y 0.3% con carga pesada, lo que ayuda a reducir aún más el consumo de energía de la aplicación. Además, a través de la optimización interna de los componentes, se logra una suave conmutación suave. La eficiencia de los productos ordinarios en comparación con la reducción exitosa de un exceso de voltaje del 50% ※ 4, lo que reduce el número de piezas que se han utilizado anteriormente para contramedidas, puede reducir significativamente la carga de diseño.
Esta serie de productos se vendió en octubre de 2017 (precio de muestra de 400 yenes ~ /: sin incluir impuestos) y comenzó a producirse en diciembre de 2017 con una capacidad de producción mensual de 100.000. El proceso anterior La base de producción es Rinpoche Semiconductors Miyazaki Co., Ltd. (Miyazaki, Japón), y el proceso de postproducción es ROHM Integrated Systems (Tailandia) (Tailandia).
< 背景>
En los últimos años, con la cantidad de datos para llevar el proceso a aumentar en la IO, requisitos de alto rendimiento del centro de datos está aumentando no sólo el propio servidor, incluyendo la fuente de alimentación principal es indispensable para establemente UPS, etc., todo el sistema funcione El aumento significativo en el consumo, reduciendo aún más el consumo de energía se ha convertido en un problema importante.
Además, el uso de aplicaciones de IGBT de alta potencia, con el fin de garantizar la fiabilidad de los equipos, debe iniciarse cuando el fallo de un componente exceso o mal funcionamiento del dispositivo de conmutación a tomar medidas para simplificar la demanda cada vez más urgente.
1. Para lograr la mejor pérdida de conducción baja de la industria y el rendimiento de conmutación de alta velocidad
En la presente serie de nuevos productos, tecnologías que utilizan una oblea delgada del espesor de la oblea hechas más delgado que el producto convencional en un 15%, mientras que el uso de una estructura original ROHM fina unidad, la aplicación con éxito de los principales pérdidas de conducción bajas de la industria (VCE (SAT) = 1,5 V) y características de conmutación de alta velocidad (tf = 30 ~ 40ns).
2. Implementar conmutación suave para reducir la carga de diseño del equipo
Por componentes internos optimizados para conseguir la conmutación suave ON / OFF de conmutación sin problemas. En consecuencia, la tensión generada cuando se cambia sobreimpulso en comparación con los productos ordinarios reducido en un 50%, se puede reducir para suprimir el punzón a través de la resistencia puerta externa un circuito de memoria intermedia, y el número de partes y similares. cuando se utiliza el IGBT, ya no necesita el lado de aplicación sobreimpulso necesidades de contramedidas convencionales ayudan a reducir la carga de diseño.
< 产品阵容>
Línea de productos ha añadido a 'resistencia a los cortocircuitos capacidad de mantener 2μs' caracterizada serie RGTV y un 'comportamiento de conmutación de alta velocidad' caracterizan serie RGW, capaz de soportar una gama más amplia de aplicaciones.
Serie RGTV (versión de retención de la capacidad de resistencia al cortocircuito)
Serie RGW (Edición de interruptor de alta velocidad)
< 应用> Equipo de industria (los UPS (fuente de alimentación ininterrumpida), máquinas de soldadura, tablero de control de potencia, etc.), el aire acondicionado, la IH (calentamiento por inducción) o similar
< 术语解说> * 1 y conducción IGBT pérdidas en los transistores MOSFET y otros componentes en aras de la estructura, una caída de tensión se produce cuando fluye una corriente. Pérdida de conducción es la pérdida de tales componentes debido a una caída de tensión generada.
※ 2 IGBT: un transistor bipolar de puerta características de conmutación de velocidad transistor de potencia aislada (IGBT) de las características MOSFET y baja pérdida de conducción tanto del transistor bipolar.
※ 3 capacidad de aguante en el corto-circuito soportar capacidad (dos puntos del circuito electrónico conectado a la resistencia de baja resistencia) de causar daños a los componentes.
Tensión generada supera el valor de tensión predeterminado cuando se supera temporalmente el rebasamiento tensión ※ 4 interruptor ON / OFF. sobreimpulso valor de la tensión debido al valor de estado estacionario, a continuación, vuelve al valor de estado estacionario cerca.