< 概要>
世界有数の半導体メーカーのローム新しいトップレベルの産業に2「RGTVシリーズ（短絡※3バージョンを維持する機能を耐える）」と「RGWシリーズ（高速スイッチングバージョンを※低※1導通損失と650V IGBTの耐圧高速スイッチング特性の両方を開発しました）」、モデルの21種類の合計。これらの製品は、溶接機や産業機器制御パネルの電源、エアコン、IH（誘導加熱）と他の家電電力のUPS（無停電電源装置）、汎用インバータやコンバータに適してい変換。
新製品の開発は、薄いウエハー技術とローム独自の構造を使用する場合は、トレードオフの関係には、低導通損失と高速スイッチング特性を持つ、業界トップのパフォーマンスへのアクセス。例えば、インターリーブされたPFC回路で従来の製品と比べて、1.2％の軽負荷効率の向上、0.3％の重負荷効率の向上は、さらに消費電力のアプリケーションを減少させるのに役立つ。また、内部コンポーネントを最適化することによって、滑らかなソフトスイッチングを達成する。等価これにより、従来の対策のために必要な部品の数を減らす、※4電圧のオーバーシュートを低減するのに50％成功した通常の製品に比べて効率が大幅設計の負担を軽減することができます。
初期のプロセスを開始するために2017年12月10万規模の量産を生産するために、一時的に、そして：このシリーズは、2017年10月にサンプル（税抜400円/月のサンプル価格）を販売開始しました。青碧玉半導体株式会社宮崎（日本、宮崎）、ROHM統合システム（タイランド）（タイ）のための後処理の生産拠点の生産拠点。
< 背景>
近年では、データの量とのIoTに増加するプロセスをもたらすために、データセンターの高パフォーマンス要件は、主電源を含め、サーバーだけでなく、それ自体増加しているが、安定のためにUPSなど、システム全体の作業が不可欠です消費の大幅な増加、さらに消費電力の削減は重要な課題となっています。
また、IGBTを用いた高出力用途では、装置の信頼性を確保するために、スイッチング時の部品故障やデバイスの誤動作の原因となるオーバーシュート対策が必要となり、ますます必要性が高まります。
1.業界最高の低伝導損失と高速スイッチング性能を達成するため
この新シリーズでは、従来の製品に比べて薄型化を実現したウェハ厚15％の薄型化技術を採用しています。また、本来のセル微細化構造を採用し、VCE（sat）= 1.5 V）と高速スイッチング特性（tf = 30〜40ns）を実現しています。
2.設備の設計負担を軽減するソフトスイッチングを実装する
これらの部品の内部最適化により、ON / OFFスムーズスイッチングのソフトスイッチングが実現され、スイッチング時に発生する電圧オーバーシュートを従来品に比べて50％低減し、オーバーシュートを抑制する外部ゲート抵抗を低減することができます。スナバ回路などの部品数IGBTを使用する場合、アプリケーションの終了時に以前に必要なオーバーシュート対策が不要になり、設計負担を軽減できます。
< 产品阵容>
「短絡耐量2μs」を特長とするRGTVシリーズと「高速スイッチング性能」を備えたRGWシリーズにより、幅広い用途に対応しています。
RGTVシリーズ（短絡耐量保持バージョン）
RGWシリーズ（高速スイッチ版）
< 应用> 産業機器（UPS（無停電電源）、溶接機、電源制御盤など）、空調、IH（誘導加熱）など
< 术语解说> * 1トランジスタ損失MOSFET、IGBTなどのトランジスタは構成部品の構造上、電流が流れたときに電圧降下が発生し、導通損失はこの部品の電圧降下による損失です。
※2 IGBT：MOSFETとバイポーラトランジスタの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）高速スイッチング特性。パワートランジスタの低導通損失特性。
* 3部品の破損による短絡耐量の耐性（電子回路の2点は低抵抗抵抗で接続）
* 4電圧オーバーシュートスイッチがON / OFFすると、指定された電圧値を超える電圧が発生し、オーバーシュートにより一時的に定常値を超えた後、定常状態値に戻ります。