Investigadores de la Universidad Estatal de Moscú de Investigación de Energía Nuclear Universidad Nacional de Investigación Nuclear de Rusia colaboraron con expertos del Instituto de Física del Metal de la Rama Siberiana de la Academia Rusa de Ciencias para desarrollar nanoestructuras que pueden aumentar la velocidad de operación de circuitos en miniatura de alta frecuencia.
La nanoestructura es un material estratificado compuesto por semiconductores comúnmente utilizados. Los investigadores han elegido las condiciones apropiadas para fabricar nuevas nanoestructuras: la estructura de la capa de transición, el espesor y la composición de la capa activa, y por lo tanto, la calidad estructural es muy alta. En el caso del contenido de indio en la capa conductora, ayuda a reducir la masa de electrones en la estructura y a aumentar su velocidad, de modo que también se puede acelerar el funcionamiento del instrumento electrónico.
Sin embargo, se mejorará la presión mecánica de la red adyacente. Los físicos están aumentando gradualmente el contenido de indio de la capa activa, mientras que también agregan una capa de transición gruesa, resolviendo así el problema anterior.
