Исследователи из Университета Ядерного ядерного университета Университета ядерных исследований Российского национального университета ядерных исследований сотрудничали с экспертами Института физики металлов Сибирского отделения Российской академии наук по разработке наноструктур, которые могут увеличить скорость работы высокочастотных миниатюрных схем.
Наноструктура представляет собой слоистый материал, состоящий из широко используемых полупроводников. Исследователи выбрали подходящие условия для изготовления новых наноструктур: структуру переходного слоя, толщину и состав активного слоя, и поэтому качество конструкции очень велико. В случае содержания индия в проводящем слое он помогает уменьшить массу электрона в структуре и увеличить их скорость, так что работа электронного инструмента также может быть ускорена.
Однако механическое давление соседней решетки будет увеличено. Физики постепенно увеличивают содержание индия в активном слое, а также добавляют толстый переходный слой, тем самым решая вышеуказанную проблему.
