Существует два типа технологий хранения: один - энергозависимое хранилище, представленное памятью. Скорость очень быстрая, но данные не доступны после отключения питания. Его нельзя сохранить, а другой - энергонезависимый, который представлен U-диском. Хранение данных может быть сохранено после сбоя питания, но недостатком является медленное чтение и запись.
Команда Школы Микроэлектроники Университета Фудань разработала третью технологию хранения данных, которая может гарантировать высокую скорость чтения и записи и гарантировать, что данные не будут потеряны после отключения питания. По словам членов команды, хранилище на основе этой технологии Компоненты, его скорость записи будет в 10000 раз быстрее, чем обычный диск U.
И эта технология имеет более мощное место, то есть она может регулировать время хранения данных в соответствии с потребностями. Его принцип заключается в том, что эта технология использует несколько двумерных полупроводниковых материалов, если соотношение материалов контролируется, Управляет отношением скорости записи к времени удержания времени выключения.
В настоящее время эта технология все еще существует только в лаборатории. Однако эта технология родилась в Университете Фудань в Китае. Похоже, что исследования и разработки в Китае соответствуют мировому стандарту.
