ストレージ技術には2種類あり、1つはメモリで表される揮発性ストレージで、速度は非常に速いものの、電源を切っても利用できないため、保存できません。ストレージは、停電後でもデータを保存できますが、読み取りと書き込みが遅いという欠点があります。
復旦大学のマイクロエレクトロニクススクールのチームは、高い読み書き速度を保証し、停電後にデータが失われないようにする第3のストレージ技術を開発しました。チームメンバーによると、この技術に基づくストレージコンポーネントでは、その書き込み速度は通常のUディスクより10000倍高速です。
この技術は、材料の比率が制御されている限り、複数の2D半導体材料を使用しているという原則から、より強力な場所、すなわち、必要に応じてデータの保存時間を調整することができます。書き込み速度と電源オフデータ保持時間の比を制御します。
現在、この技術はまだ実験室にしか存在していませんが、中国の復旦大学で生まれた技術で、中国の研究開発はすでに世界レベルに達しているようです。
