هناك نوعان من تقنيات التخزين ، أحدهما هو التخزين المتقلب الذي تمثله الذاكرة ، والسرعة سريعة جدًا ، ومع ذلك ، لا تتوفر البيانات بعد انقطاع التيار الكهربائي ولا يمكن حفظها ، أما الأخرى فهي غير متطايرة ، ممثلة في قرص U. التخزين ، لا يزال قادرا على حفظ البيانات بعد انقطاع التيار الكهربائي ، ولكن العيب هو أن سرعة القراءة والكتابة بطيئة.
طور فريق مدرسة الإلكترونيات الدقيقة في جامعة فودان تقنية تخزين ثالثة يمكن أن تضمن سرعة عالية في القراءة والكتابة وضمان عدم فقد البيانات بعد انقطاع التيار الكهربائي ، ووفقًا لأعضاء الفريق ، فإن التخزين يعتمد على هذه التقنية المكونات ، وسرعة الكتابة ستكون أسرع 10000 مرة من قرص U العادي.
ولهذه التكنولوجيا مكان أقوى ، أي يمكنها ضبط مدة تخزين البيانات حسب الطلب ، ومبدأها هو أن هذه التقنية تستخدم عدة مواد شبه موصلة ثنائية الأبعاد ، طالما أن نسبة المواد يتم التحكم فيها ، يتحكم في نسبة سرعة الكتابة إلى وقت الاحتفاظ بالبيانات.
في الوقت الحاضر ، لا تزال هذه التكنولوجيا موجودة في المختبر فقط ، ومع ذلك ، ولدت هذه التكنولوجيا في جامعة فودان في الصين ، ويبدو أن البحث والتطوير في الصين قد وصل بالفعل إلى المستوى العالمي.
