Los jugadores de bricolaje deben tener en cuenta las ventajas y desventajas respectivas de la memoria, la velocidad de la memoria flash, pero la pérdida de energía perderá datos y la latencia de memoria flash costosa es un orden de magnitud mayor que la memoria, pero el beneficio es guardar datos, mientras que el costo es mayor Bajo, por lo que la industria ha estado buscando chips de memoria que puedan tener simultáneamente las ventajas de la memoria y la memoria flash, es decir, pueden guardar datos al mismo tiempo con velocidades extremadamente rápidas.
Intel-desarrollado memoria flash 3D XPoint tienen características similares, conocidos como el rendimiento de Flash es 1.000 veces, 1.000 veces la durabilidad de la memoria flash, memoria de cambio de fase PCM se mencionó anteriormente noticia también una tecnología similar para guardar los datos cuando se corta la energía al mismo tiempo, El rendimiento es similar a la memoria, pero estos nuevos chips de memoria aún no han llegado a la memoria, la memoria Flash es muy madura.
Los chips de memoria desarrollados por académicos chinos también están en esta dirección. Según sus artículos publicados en la revista "Nature · Nanometer Technology", desarrollaron chips de memoria que usan FET que no son chips convencionales porque las dimensiones físicas del En el caso de una contracción gradual, la interferencia cuántica se encontrará. Así que el equipo de Zhang Wei y Zhou Peng utilizó una tecnología de transistor de compuerta semiflotante. Mostraron una heteroestructura de Van der Waals. Estructura de compuerta semiflotante casi no volátil, este nuevo chip de memoria tiene un excelente rendimiento y durabilidad.
Específicamente, en comparación con la memoria DRAM, sus actualización de datos de tiempo es de 156 veces el anterior, es decir, los datos pueden ser almacenados ya, además de una velocidad de escritura de nanosegundos (ns) nivel (memoria flash NAND se retrasa generalmente Milisegundos), que es un millón de veces más rápido que los materiales bidimensionales convencionales, por lo que se espera que este nuevo tipo de memoria reduzca la brecha entre la memoria tradicional y la memoria flash.
Por supuesto, esta tecnología es todavía muy buen progreso, pero no espere que la tecnología va a la producción pronto masa, menos probabilidades de entrar en el mercado en los próximos dos a tres años, siempre junto con DRAM, la ventaja NAND de nuevos chips de memoria tienen este problema, y no lo suficientemente maduro para La producción en masa, la memoria tradicional, la memoria flash tiene una larga vida.