แม้ว่าประเทศจีนจะอยู่ในระดับที่สูงขึ้นในอุตสาหกรรมชิปเซมิคอนดักเตอร์ แต่ก็กำลังก้าวหน้าอย่างต่อเนื่องและยังคงมีการค้นพบใหม่
ตามรายงานของสื่อ, เมื่อวันที่ 11 เมษายนโครงการฐานความจำแห่งชาติซึ่งร่วมลงทุนโดยกองทุนรวมเพื่อการลงทุนอุตสาหกรรมรวมวงจรอุตสาหกรรมแห่งชาติจีนกลุ่ม Ziguang บริษัท Hubei IC Industry Investment Fund และ Hubei Branch Investment Co., Ltd. ได้รับการติดตั้งอย่างเป็นทางการในเครื่องผลิตชิป จากขั้นตอนของการก่อสร้างโรงงานจนถึงขั้นเตรียมการผลิตเป็นจำนวนมาก
สีม่วงมี fabs หน่วยความจำแฟลช 300 มม. ในหวู่ฮั่นหนานจิงและเฉิงตู โรงงานหวู่ฮั่นเป็นโรงงานแห่งแรกที่เริ่มเปิดดำเนินการในเวลานี้และมีการระดมทุนเพิ่มขึ้นอีก 80 พันล้านหยวนในเวลาเดียวกัน
Gao Qiquan รองประธานบริหารของ China Unicom Group และประธานบริหารของกลุ่ม บริษัท Yangtze River Storage ได้เปิดเผยข่าวที่น่าตื่นเต้นและน่าตื่นเต้น: หน่วยความจำแฟลช NAND ของ Yangtze River ได้รับการสั่งซื้อครั้งแรกจำนวน 10776 ชิปจะใช้กับผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ 8GB USD
Zhao Weiguo ประธาน บริษัท China Everbright Group และประธาน Changjiang Storage กล่าวในการกล่าวสุนทรพจน์ว่าโครงการฐานความจำแห่งชาติถือเป็นความก้าวหน้าครั้งสำคัญในการพัฒนาอุตสาหกรรมชิปหน่วยความจำแบบ IC flash ของจีนเทียบเท่ากับผู้ให้บริการอากาศยานในสาขาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีของจีน
ก่อนหน้านี้โรงงานผลิตฐานอยู่ในกันยายน 2017 ปกคลุมเดือนล่วงหน้า 32 สแต็คชั้นชิปหน่วยความจำแบบสามมิติแฟลช NAND การวิจัยและพัฒนาอิสระได้ทำให้ความก้าวหน้าที่สำคัญและขณะนี้ 20 วันล่วงหน้าที่จะเสร็จสมบูรณ์โรงงานผลิตย้ายเข้าไปอยู่ในชิปเช่นสิ่งของเรือบรรทุกเครื่องบิน เสร็จแล้วเขาก็เริ่มประกอบอาวุธและกระสุน
สิ้นปีนี้ฐานจะเกิดการผลิตขนาดเล็กของแฟลช 3D ในประเทศไม่นานก่อนที่คุณสามารถดูแฟลชของโทรศัพท์สมาร์ทในประเทศตามที่ SSD ของรัฐที่มั่นคงฮาร์ดไดรฟ์
ปีถัดไปชั้นจัดเก็บ RIVER สแต็ค 64 จะเริ่มต้นหน่วยความจำแฟลชความจุ 128GB เดียว (16GB)
