Obwohl China in der Halbleiterchip-Industrie hinter dem weltweit fortgeschrittenen Niveau zurückbleibt, schreitet es auch Schritt für Schritt voran und macht kontinuierlich neue Durchbrüche.
Medienberichten zufolge Am 11. April wurde das National Memory Base Projekt, das gemeinsam vom China National Integrated Circuit Industry Investment Fund der Ziguang Group, Hubei IC Industry Investment Fund und Hubei Branch Investment Co., Ltd. Auf der Chip-Produktionsmaschine installiert wurde, als nationale Speicherbasis bezeichnet. Von der Phase des Anlagenbaus bis zur Serienvorbereitung.
Ziguang hat 300-mm-Flash-Speicher Fabs in Wuhan, Nanjing und Chengdu. Das Werk in Wuhan war der erste, der dieses Mal begann, und die 80 Milliarden Yuan, die zur gleichen Zeit aufgebracht wurden, wurden ebenfalls vollständig umgesetzt.
Gao Qiquan, Executive Vice President der China Unicom Group und Executive Chairman der Yangtze River Storage Group, enthüllte eine aufregende Nachricht: Der 3D-NAND-Flash-Speicher von Yangtze River hat die erste Bestellung erhalten, insgesamt 10776 Chips, die für 8GB-Speicherkartenprodukte verwendet werden.
Zhao Weiguo, Chairman der China Everbright Group und Präsident von Changjiang Storage, betonte in seiner Rede, dass das nationale Speicherbasisprojekt ein Durchbruch in der Größenentwicklung der chinesischen IC-Flash-Speicherchip-Industrie ist, äquivalent zu einem Flugzeugträger im chinesischen Wissenschafts- und Technologiebereich.
Zuvor war die Basisproduktion bereits einen Monat früher als im September 2017 beendet. Der 32-stöckige, gestapelte dreidimensionale NAND-Flash-Speicherchip hat auch in der unabhängigen Forschung einen großen Durchbruch erzielt: Heute ist der Import von Chip-Produktionsmaschinen 20 Tage im Voraus abgeschlossen. Am Ende begann es Waffen und Munition zusammenzubauen.
Am Ende dieses Jahres wird die Basis kleine Massenproduktion von inländischen 3D-Flash-Speicher zu realisieren, und es wird eine lange Zeit dauern, um Smartphones basierend auf inländischen Flash-Speicher und SSD-Solid-State-Laufwerke zu sehen.
Nächstes Jahr wird Yangtze River Storage auch 64-Layer-Stacking-Flash mit einer Kapazität von 128 GB (16 GB) starten.
