DiaoShi北京ストアは長江、第一層32の年のための3D NAND生産量の共同会長を務めます

原題:DiaoShi北京ストアは長江、第一層32の年の中国の3D NAND生産量の共同会長を務めます

、マイクロネットワークニュース、電子情報長官を設定しDiaoShi北京省は次長鵬Hongbingが大きいファンドと長江ストア監査役会会長の副社長を務めている、電子情報の後、長江ストアの共同委員長を務める。現在では産業現場の省はDiaoShi北京の解雇を発表していません情報

新しいコアに武漢株式会社では2016年7月26日正式に設立された集積回路の製造拠点に保存されている長江、大規模な資金と、現在清華コア産業投資ファンドでUnisplendourグループ、投資部門湖北省と湖北省を含む主要株主、会社のUnisplendourグループの子会社は、我々が追いつくと、そのような少数が2017年に世界的なマーケットリーダーを独占サムスン、東芝、SKハイニックス、マイクロンとインテル、ストレージ領域におけるマーケットリーダーとして挑戦したい中国とみなされていますNANDフラッシュメモリ市場。

これは、プロジェクトの完了は、総生産能力30万/月に達すると予想される国民のストレージベースのプロジェクト、$ 24億相当長江ストレージの総投資額としては、毎年恒例の出力値は$ 100億超えてしまいます。

長江は4月5日だった精密機器で初期$ 400万保存することが報告されているが、より多くの精密機器は、漢の世界から今後2年間で約30,000トン輸入し、武漢に到着しました。今日では、長江は武漢のベースメモリチップ生産工場の公式プラント建設相の量産準備段階から国民の基本メモリをマークし、インストールを、入力、中国は完全に独立した知的財産権は、今年中に生産量になる第一層3次元NANDフラッシュメモリチップの32を持っています。

ベースのプロジェクトは、「ゼロ」突破の中国国家ICメモリフラッシュメモリチップ業界の規模開発で、中国での生産工場における科学技術の分野における空母と同等のものを9月に前年:長江ストレージ魏-郭趙は彼の演説で強調したのUnisplendourグループ会長と会長事前キャップ、32層の3D NANDフラッシュメモリチップの独立した研究と大躍進を基に開発し、今日で一ヶ月、私たちは20日後に控え、そのチップ製造機の持っているに移動します。それは、空母の艤装が完了するように、私たちは、武器や弾薬を組み立てる次のステップを開始しています今年の終わりに達成し、チップ製造、海に出て、多分すぐに次の10年の到来を国内のスマートフォンを用いた3次元NANDフラッシュメモリチップを見ることができ、紫は$ 10億円の平均投資額に相当少なくとも$ 100億円、投資する計画します。我々は、それはここで我々がやっていると積極的に苦労し、素晴らしいビジネスを持っています。私たちは国家の委託を受け、歴史的使命を果たすために努力すると信じ、素晴らしい時間です。

大型ファンドの社長丁文武は、輸入に完全に依存して存在中国の一般的なメモリでは、状態メモリベースのプロジェクトが順調に進んで、32階建ての3次元フラッシュメモリチップが正常に戦略的なブレークスルーの早期西安曙光のメモリを開発し、開発されたが、これは私たちの長い行進で唯一の最初のステップであると述べましたまた、多大な努力、将来技術の研究開発、人材育成やコスト管理、運用管理と市場競争力の導入とその偉大な努力で、長江は、私たちの業界では、ストレージメモリの革新と全体のIC産業の発展を破ることを望みます新しい道の独占を破った。

これは、昨年に成功風雲に、$ 10億の中国初の32層の3D NANDフラッシュメモリチップを開発し、2年間の独立した研究開発チームは1000年からチップを取った国家メモリベースことが報告され、高レベルの国際の製造工程で最も近いです主流のチップは、国際市場で「中国のコア」の地位を向上させる効果的に、最初の階層グローバルメモリチップに中国を行うことが期待されています。

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