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यान शिजिंग, चेंजियांग स्टोरेज के संयुक्त अध्यक्ष, पहले 32-परत 3 डी नंद के बड़े पैमाने पर उत्पादन के रूप में काम करेंगे

मूल शीर्षक: यान शिजिंग, चेंजिंग स्टोरेज के संयुक्त अध्यक्ष, चीन की पहली 32-परत 3 डी नंद उत्पादन वर्ष में सेवा करेंगे

सूक्ष्म नेटवर्क समाचार सेट, इलेक्ट्रॉनिक सूचना सचिव, Diaoshi बीजिंग मंत्रालय यांग्त्ज़ी दुकान सह अध्यक्ष के रूप में काम करेगा, इलेक्ट्रॉनिक सूचना के बाद, उप निदेशक पेंग Hongbing एक बड़ी निधि के उपाध्यक्ष और यांग्त्ज़ी दुकान पर्यवेक्षी बोर्ड के अध्यक्ष के रूप में सेवा की है। वर्तमान में उद्योग मंत्रालय साइट Diaoshi बीजिंग के आउट होने की घोषणा की नहीं किया गया है जानकारी।

यांग्त्ज़ी नई कोर पर जुलाई 26, वर्ष 2016 में औपचारिक रूप से स्थापित एकीकृत परिपथ विनिर्माण वुहान लिमिटेड में आधार में संग्रहीत, बड़े फंड और Unisplendour समूह, निवेश प्रभाग हुबेई प्रांत और हुबेई प्रांत कोर औद्योगिक निवेश कोष में, वर्तमान में सिंघुआ सहित प्रमुख शेयरधारकों, कंपनी के Unisplendour समूह सहायक चीन रूप में माना जाता है कि हम पकड़ने के लिए और इस तरह सैमसंग, तोशिबा, एसके Hynix, माइक्रोन और इंटेल, भंडारण क्षेत्र में बाजार के नेता है, जो कुछ 2017 में दुनिया भर में बाजार के नेता के रूप में एकाधिकार को चुनौती देना चाहते नंद फ्लैश मेमोरी मार्केट

यह उम्मीद है एक राष्ट्रीय भंडारण आधार परियोजना, यांग्त्ज़ी भंडारण 24 बिलियन $ की राशि के कुल निवेश के रूप में। कि परियोजना के पूरा होने में कुल उत्पादन क्षमता 3,00,000 / माह तक पहुंच जाएगा, वार्षिक उत्पादन मूल्य $ 10 बिलियन से अधिक होगा।

ऐसा लगता है कि यांग्त्ज़ी एक प्रारंभिक 4 परिशुद्धता उपकरणों अप्रैल 5 थी में $ मिलियन स्टोर वुहान में आ गया है, और अधिक सटीक उपकरणों हान को वैश्विक से अगले दो वर्षों में करीब 30,000 टन आयात किया। आज, यांग्त्ज़ी नदी वुहान में आधार मेमोरी चिप उत्पादन संयंत्र अधिकारी स्थापना, जो संयंत्र निर्माण चरण के बड़े पैमाने पर उत्पादन तैयारी मंच से राष्ट्रीय आधार स्मृति के निशान में प्रवेश, चीन पहली परत 3 डी NAND फ्लैश मेमोरी चिप के 32 है पूरी तरह से स्वतंत्र बौद्धिक संपदा अधिकारों वर्ष के दौरान उत्पादन की राशि होगी।

Unisplendour समूह के चेयरमैन और यांग्त्ज़ी भंडारण वी-गुओ झाओ ने अपने भाषण में जोर देकर कहा के अध्यक्ष: आधार परियोजना चीन के राष्ट्रीय आईसी स्मृति फ्लैश 'शून्य' सफलता की मेमोरी चिप उद्योग पैमाने पर विकास है, सितंबर में विज्ञान और चीन में उत्पादन संयंत्र में प्रौद्योगिकी के क्षेत्र में एक विमान वाहक के बराबर पिछले साल अग्रिम टोपी, 32 परत 3 डी NAND फ्लैश मेमोरी चिप्स स्वतंत्र अनुसंधान और एक बड़ी सफलता के आधार पर विकास, और आज में एक महीने हम 20 दिनों के अपने चिप उत्पादन मशीनों से आगे है में चलते हैं। यह विमान वाहक साज पूरा हो गया है की तरह, हम हथियारों और गोला बारूद कोडांतरण शुरू किया, अगले कदम है इस साल के अंत में हासिल की, चिप उत्पादन, समुद्र के बाहर है, शायद ही आप तीन आयामी NAND फ्लैश मेमोरी चिप्स घरेलू स्मार्ट फोन अगले 10 वर्षों के आगमन का उपयोग कर देख सकते हैं, बैंगनी योजनाओं कम से कम $ 100 अरब, $ 10 बिलियन एक वर्ष की एक औसत निवेश के बराबर निवेश करने के लिए। हम एक महान समय में कर रहे हैं, हमें विश्वास है कि यह एक बहुत अच्छा व्यापार होगा, यहाँ हम कर रहे हैं और सक्रिय रूप से संघर्ष करते हैं। हम ऐतिहासिक मिशन राज्य द्वारा सौंपा को पूरा करने का प्रयास करेंगे।

बड़े फंड अध्यक्ष डिंग Wenwu ने कहा कि वर्तमान चीन के सामान्य स्मृति पूरी तरह आयात पर निर्भर है, राज्य स्मृति आधार परियोजना अच्छी तरह से प्रगति पर है, 32-कहानी तीन आयामी फ्लैश मेमोरी चिप सफलतापूर्वक विकसित किया गया है सामरिक सफलता जल्दी जियान Shuguang स्मृति को विकसित करने, लेकिन यह केवल हमारे लंबे मार्च में पहला कदम है, भी भविष्य प्रौद्योगिकी अनुसंधान और विकास, कर्मियों के प्रशिक्षण और लागत नियंत्रण, संचालन प्रबंधन और बाजार प्रतिस्पर्धा और इसलिए एक महान प्रयास, महान प्रयास की शुरूआत में, यांग्त्ज़ी हमारे उद्योग और पूरे आईसी उद्योग के विकास में एक भंडारण स्मृति नवाचार को तोड़ने के लिए आशा , नई सड़क के एकाधिकार को तोड़ने

ऐसा लगता है कि राष्ट्रीय स्मृति आधार पिछले साल सफलतापूर्वक चीन की पहली 32 परत 3 डी NAND फ्लैश मेमोरी चिप्स विकसित की है, Fengyun अरब $ 1, दो साल की स्वतंत्र अनुसंधान और विकास टीम 1000 एक चिप ले लिया है, उच्च स्तरीय अंतरराष्ट्रीय के निर्माण की प्रक्रिया में सबसे करीब है मुख्यधारा के चिप से उम्मीद की जा सकती है कि चीन वैश्विक स्मृति चिप्स की पहली सौभाग्य में प्रवेश करे और अंतरराष्ट्रीय बाजार में 'चीन कोर' की स्थिति को प्रभावी ढंग से बढ़ा सके।

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