یہ سمجھا جاتا ہے کہ دو اہم قسم کے سیمیکمڈکٹر چارج اسٹوریج ٹیکنالوجی ہیں. پہلی قسم بے ترتیب میموری ہے، جیسے کمپیوٹر میں میموری. ڈیٹا بجلی کی ناکامی کے فورا بعد ہی غائب ہوجائے گا. دوسرا قسم غیر مستحکم میموری، جیسے یو. ڈسک، اعداد و شمار لکھنے کے بعد کوئی اضافی توانائی 10 سال تک ذخیرہ نہیں کیا جاسکتا ہے. سابق نانسویکنڈ میں ڈیٹا لکھ سکتا ہے، دوسری قسم کے چارج اسٹوریج ٹیکنالوجی کو مائیکروسافٹ کو ڈیٹا کو بچانے کے لئے مائیکروسافٹ کی ضرورت ہوتی ہے.
لکھنے کے ڈیٹا کو تازہ وقت 156 مرتبہ میموری ٹیکنالوجی ہے موجودہ یو ڈسک کے مقابلے میں 10،000 گنا تیز رفتار، اور ہے بہترین ریگولیٹری، ڈیزائن کی ضروریات حاصل کیا جا سکتا ...... میموری ساخت معائنہ کی گئی ہے، ڈیٹا درست وقت کے مطابق کہ Fudan یونیورسٹی تحقیقی ٹیم کے محققین پایا اس heterojunction اسٹوریج خصوصیات کی ایک نئی تیسری قسم کو حاصل کرنے کے قابل نئے جامع دو جہتی مواد کی بنیاد پر.
یہ قابل ذکر ہے کہ نئے انچارج اسٹوریج ٹیکنالوجی اس وقت تیار کی گئی ہے کہ نہ صرف 10 نانوسیکنڈ ڈیٹا بیس کی رفتار کو پورا کرے بلکہ نہ ہی تقاضا (10 سیکنڈ 10 سال تک) باقاعدگی سے اعداد و شمار کے ظہور غیر معمولی خصوصیات کو بھی سمجھ سکے. یہ نئی خصوصیت نہ صرف ہائی سپیڈ میموری میں اسٹوریج پاور کی کھپت کو بہت کم کرسکتا ہے، بلکہ اعداد و شمار کے اختتام کے بعد ڈیٹا کی قدرتی گمشدگی کو بھی حاصل کرسکتا ہے، رازداری اور ٹرانسمیشن کے درمیان تضاد کو حل کرنے کے لئے خصوصی درخواست کے منظر میں.
رپورٹرز کی کارکردگی کا تجزیہ، آزادانہ Fudan یونیورسٹی تحقیقی ٹیم کی طرف سے سائنسی پیش رفت ہے. مقامی ٹیم، چین کی سرزمین میں جڑیں بنا پر، اسٹوریج کے میدان میں ایک بین الاقوامی سطح پر اہم مستقبل ٹیکنالوجیز بنا دیا ہے کے پورے عمل کو تکنیکی تعریف ساخت ماڈل سے سیکھا سائنسی کامیابیاں، اور سب سے بین الاقوامی جریدے "NatureNanotechnology" ( "فطرت نےنو") پر ایک طویل مضمون کی شکل میں شائع کیا گیا.