Понятно, что существуют два основных типа технологий хранения полупроводниковых зарядов: первый тип - энергозависимая память, такая как память на компьютере. Данные исчезнут сразу же после сбоя питания. Второй тип - энергонезависимая память, такая как U. Диск, никакой дополнительной энергии после записи данных не может быть сохранен в течение 10 лет. Первые могут записывать данные примерно за несколько наносекунд, второй тип технологии хранения заряда требует от микросекунд до десятков микросекунд для сохранения данных.
Скорость записи в 10000 раз выше, чем текущий диск U, время обновления данных в 156 раз больше, чем у технологии памяти, и оно обладает превосходной управляемостью. Оно может реализовать структуру структуры памяти в соответствии с требованиями к эффективному времени данных ... После тестирования исследовательская группа исследовательской группы Университета Фудань обнаружила, что Этот новый тип гетероперехода, основанный на полном двумерном материале, позволяет использовать новую функцию хранения класса III.
Стоит отметить, что новая технология хранения заряда, разработанная на этот раз, не только удовлетворяет 10-нанометровой скорости записи данных, но также реализует квазинеравновесные характеристики регулируемых данных по требованию (от 10 секунд до 10 лет). Эта новая функция не только может значительно снизить энергопотребление памяти в высокоскоростной памяти, но также может обеспечить естественное исчезновение данных после истечения срока действия данных в специальном сценарии приложения для устранения противоречия между конфиденциальностью и передачей.
Репортер узнал, что из определения технологии, структурной модели для анализа производительности этот научный прорыв был независимо завершен исследовательской группой Университета Фудань. Команда, основанная на местном сообществе, укоренилась в Китае и в будущем достигла важной международной технологии хранения данных. Научный прорыв и опубликован в длинном тексте в главном журнале мира «Nature Nanotechnology» («Nature Nanotechnology»).