यह समझा जाता है कि दो मुख्य प्रकार के सेमीकंडक्टर चार्ज स्टोरेज टेक्नोलॉजीज हैं.पहली प्रकार एक अस्थिर स्मृति है, जैसे कंप्यूटर में मेमोरी। डेटा तुरंत बिजली की विफलता के बाद गायब हो जाएगा। दूसरा प्रकार गैर-वाष्पशील स्मृति है, जैसे कि यू। डिस्क, डेटा लिखने के बाद कोई अतिरिक्त ऊर्जा 10 साल तक संग्रहीत नहीं किया जा सकता है। पूर्व में कुछ नैनोसेकेंड में डेटा लिख सकता है, दूसरे प्रकार के चार्ज स्टोरेज तकनीक को डेटा को बचाने के लिए माइक्रोसेकेंड के दसियों तक माइक्रोसेकेंड की आवश्यकता होती है।
लिखने की गति वर्तमान यू डिस्क की तुलना में 10,000 गुना तेज है, डेटा रीफ्रेश समय स्मृति प्रौद्योगिकी का 156 गुना है, और इसमें उत्कृष्ट नियंत्रण योग्यता है। डेटा के प्रभावी समय की आवश्यकताओं के अनुसार स्मृति संरचना का डिजाइन समझ सकता है ... परीक्षण के बाद, फ़ुडन विश्वविद्यालय अनुसंधान दल के शोधकर्ताओं ने पाया कि एक पूर्ण दो आयामी सामग्री के आधार पर इस नए प्रकार के हेरर्सोजन एक नया वर्ग III स्टोरेज सुविधा सक्षम बनाता है।
यह उल्लेख के लायक है कि अनुसंधान और नए प्रभारी भंडारण प्रौद्योगिकी के विकास, दोनों 10 नैनोसेकंड के डेटा लिखने की गति को पूरा करने, लेकिन यह भी मांग पर प्राप्त करने के लिए है। (10 सेकंड -। 10 वर्ष) के लिए आवश्यक डेटा इस गैर अस्थिर विशेषताओं को विनियमित कर सकते हैं। नई सुविधाओं, न केवल उच्च गति स्मृति भंडारण में किस प्रकार के बहुत बिजली की खपत को कम कर सकते, लेकिन यह भी प्राप्त कर सकते हैं डेटा समाप्ति की तारीख के बाद स्वाभाविक रूप से गायब हो जाते हैं, विशेष रूप से स्थितियों में गोपनीयता और ट्रांसमिशन के बीच विरोधाभास को हल करने के।
रिपोर्टर प्रदर्शन विश्लेषण, फूडन विश्वविद्यालय अनुसंधान दल द्वारा वैज्ञानिक सफलता स्वतंत्र रूप से। स्थानीय टीम, चीन की भूमि में निहित के आधार पर, भंडारण के क्षेत्र में एक अंतरराष्ट्रीय स्तर पर महत्वपूर्ण भविष्य प्रौद्योगिकियों बना दिया है की पूरी प्रक्रिया के लिए संरचनात्मक मॉडल तकनीकी परिभाषा से, सीखा वैज्ञानिक सफलताओं, और शीर्ष अंतरराष्ट्रीय पत्रिका "NatureNanotechnology" ( "प्रकृति नैनो") पर एक लंबा लेख के रूप में प्रकाशित किया।