บริษัท Dalian Pinjia เปิดตัว Infineon 1200V Silicon Carbide MOSFET

10 เมษายน 2018 มีความมุ่งมั่นที่จะจัดจำหน่ายชั้นนำของส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ในตลาดเอเชียแปซิฟิก --- WPG โฮลดิ้งประกาศว่า บริษัท ย่อยสำหรับพร็อกซี่ที่ดี Infineon (Infineon) เปิดตัวการปฏิวัติ 1200V SiC MOSFET ผลิตภัณฑ์ การออกแบบสามารถบรรลุความหนาแน่นและประสิทธิภาพของพลังงานได้อย่างไม่เคยมีมาก่อนนอกจากนี้ยังช่วยให้นักพัฒนาซอฟต์แวร์สามารถแปลงพื้นที่ลดน้ำหนักลดความต้องการการกระจายความร้อนและเพิ่มความน่าเชื่อถือและลดต้นทุนระบบ

ผลกระทบของ SiC MOSFET จาก Infineon มีความสำคัญมากแผนการแปลงกำลังไฟฟ้าสามารถบรรลุความถี่ในการสลับสามครั้งหรือมากกว่าความถี่สลับที่ใช้อยู่ในปัจจุบันนอกจากนี้ยังนำประโยชน์มากมายเช่นคุณสมบัติแม่เหล็กลดลง ปริมาณทองแดงและอลูมิเนียมที่ใช้ในส่วนประกอบและเปลือกของระบบช่วยให้ง่ายขึ้นในการสร้างระบบไฟแช็กขนาดเล็กลงซึ่งช่วยลดความพยายามในการขนส่งและทำให้ง่ายต่อการติดตั้งโซลูชั่นใหม่ช่วยประหยัดพลังงานโดยการแปลงพลังงานให้กับผู้ออกแบบ เพื่อให้บรรลุประสิทธิภาพประสิทธิภาพและความยืดหยุ่นของระบบของแอ็พพลิเคชันเหล่านี้จะได้รับการอัปเกรดให้ครอบคลุมอีกด้วย

ฟิวชั่นใหม่ Infineon MOSFET จากหลายปีของประสบการณ์ในการพัฒนาในด้านการ SiC ตามเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงสลัก, Infineon CoolSiC แสดงให้เห็นถึงการพัฒนาล่าสุดของผลิตภัณฑ์ในตระกูล. ครั้งแรกที่ไม่ต่อเนื่อง 1200 V CoolSiC MOSFET บนต้านทาน (RDS (ON)) คะแนนของ45mΩ. พวกเขาจะใช้ 3 ขา TO-247 และแพคเกจ 4 ขา, แพคเกจสี่ขามีแหล่งที่มาเชื่อมต่อกับขั้วเพิ่มเติม (เคลวิน) ในฐานะขาสัญญาณประตูไดรฟ์ เพื่อขจัดอิทธิพลของแรงดันที่เกิดจากการเหนี่ยวนำของแหล่งที่มาซึ่งต่อไปอาจจะลดการสูญเสียการสลับโดยเฉพาะอย่างยิ่งที่ความถี่สลับที่สูงขึ้น

นอกจากนี้ Infineon จากตัวแทนของ Dalian Pinjia ยังได้แนะนำโมดูลครึ่งพระบาทและโมดูลเพิ่มกำลังไฟฟ้า Easy1B ขนาด 1200V โมดูลที่ใช้การเชื่อมต่อ PressFIT มีส่วนติดต่อทางความร้อน โมดูลทั้งหมดมีตัวเลือกการจัดเรต RDS (ON) ของ11mΩและ23mΩ

รูปที่ 1 - กลุ่ม Daihatsu Daipin เพื่อส่งเสริมผลิตภัณฑ์หลักของ Infineon 1200V ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

ลักษณะเฉพาะ

Infineon CoolSiC ™ MOSFET ใช้เทคโนโลยีสลักประตูน่าเชื่อถือและประสิทธิภาพได้เปรียบทั้งในแง่ของการสูญเสียแบบไดนามิกกำหนดมาตรฐานใหม่เมื่อเทียบกับ 1200V ซิลิกอน (Si) ลำดับความสำคัญ IGBT ต่ำ. the MOSFET เป็นอย่างเข้ากันได้กับที่ใช้กันทั่วไปในการขับรถ IGBT . the 15 แรงดันไฟฟ้า V / -5V ลัดวงจรนั้นทนทาน 4V แรงดันเกณฑ์อ้างอิงที่ระบุ (Vth) และการประยุกต์ใช้เป้าหมายความต้องการและควบคุมได้อย่างเต็มที่ DV / dt รวมกันลักษณะเปรียบที่สำคัญเมื่อเทียบกับประกอบด้วยศรี IGBT: สลับการสูญเสียและค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิต่ำลักษณะคงที่โดยไม่ต้องแรงดันเกณฑ์

ทรานซิสเตอร์เหล่านี้สามารถที่จะควบคุมให้เป็นไปให้เป็น IGBT, ปิดให้บริการในกรณีของความล้มเหลวด้านความปลอดภัยในนอกจากนี้เทคโนโลยีซิลิกอนคาร์ไบด์ MOSFET Infineon ความเร็วในการเปลี่ยนสามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยการปรับต้านทานประตูนั้นมันเป็นไปได้ที่จะเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานได้อย่างง่ายดายอีเอ็มซี

รูปที่ 2 - ข้อกำหนดผลิตภัณฑ์ของ Infineon 1200V SiC MOSFET

ใบสมัคร

การปรับปรุงระบบในปัจจุบันสำหรับแอพพลิเคชันเช่นอินเวอร์เตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์, อุปกรณ์ไฟฟ้าสำรอง (UPS) หรือระบบชาร์จ / เก็บข้อมูลสามารถขยายไปยังไดรฟ์อุตสาหกรรม