Синтез вложенных частиц наносферы в кристаллах Nd: YAG был исследован путем имплантации ионов золота и термического отжига для получения поверхностного плазмонного резонансного эффекта (SPR), который делает линейное и нелинейное поглощение кристаллов Nd: YAG в видимом свете Значительное улучшение, среди которых нелинейный коэффициент поглощения кристалла был увеличен на 5 порядков и в то же время демонстрирует ярко выраженную насыщающую характеристику поглощения. Используя Au: YAG в качестве насыщаемого поглотителя, реализуется импульсный лазерный выход с импульсной связью с длиной волны 639 нм. Изменяя инъекционную дозу ионов золота, можно эффективно контролировать линейные и нелинейные оптические свойства материала, тем самым обеспечивая новую схему для усиления и регулирования нелинейных свойств диэлектрических материалов, что обеспечивает основу для применения в генерации импульсных лазеров. ,
Исследования позволили значительно улучшить линейное и нелинейное поглощение кристаллов Nd: YAG в видимой области. Изменяя имплантированную дозу ионов золота, можно эффективно контролировать линейные и нелинейные оптические свойства материала, тем самым усиливая и регулируя нелинейные свойства диэлектрических материалов. Предложена новая схема, которая обеспечивает основу для применения импульсной лазерной генерации. Результаты исследований обеспечивают направление последующих исследований и имеют большое значение.
Ионный пучок относится к группе ионов, движущихся почти в одном и том же направлении с примерно одинаковой скоростью. Для получения ионного пучка используется ионный источник. Среди различных типов ионных источников наиболее часто используется источник ионов плазмы, т. Е. Электрическое поле. Ионы извлекаются из плазмы. Основные параметры этого типа источника ионов определяются плотностью плазмы, температурой и качеством системы экстракции. Среди этих ионных источников: ионный источник ионного источника пеннинга разряда, микроволновый Источники ионов, источники двойной плазмы, источники ионов Фулемана и т. Д. Другим типом ионного источника, который используется чаще, является ионный источник типа электронного столкновения, который в основном используется в различных приборах масс-спектрометра.
Основные параметры источника ионов являются: ① может быть получен сильный эквивалентно ионного пучка плотности тока полезного пучка ионов, т.е., выраженные в единицах тока или мА ② в процентах от полезного пучка ионов, который является полезным в процентах от общего ионного пучка .... В общем случае полный ионный пучок, задаваемый источником ионов, включает в себя однозарядные ионы, многозарядные ионы, ионные ионы различных молекулярных ионов и ионы примесных элементов и т. Д. 3 Расходимость энергии. Из-за теплового движения ионов и места извлечения, Энергия ионного пучка, задаваемая ионным источником, имеет определенную дисперсию для требуемой одиночной энергии. Как правило, желательно, чтобы расходимость энергии была как можно меньше. Это особенно справедливо в приложениях с высокоточным ионным пучком. Характеристики фокусировки 4 пучков. и представляет собой угол открытия. сфокусированный ионный луч не будет терять много ионов во время передачи. хорошо фокусирующих свойств конечных препятствий на пути ионного пучка электростатическое отталкивание между ионным пучком, с тем чтобы преодолеть это препятствие, как можно скорее Заставляет ионы получать более высокую энергию 5 Эффективность ионного источника. Рабочее вещество, которое выводится в виде ионного пучка, занимает долю от общего потребляемого рабочего вещества. 6 Срок службы. Ионный источник устанавливается один раз После того, как во время использования.