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माइक्रोन फ्लैश सिंगापुर तीसरे आधार कारखाने का निर्माण शुरू करने के लिए: एसएसडी कीमतों में स्थिरता

इस साल, स्मृति, ग्राफिक्स कार्ड की कीमतों के ऊपर उच्च किया गया है, एसएसडी सॉलिड स्टेट ड्राइव बहुत अस्थिर, आंशिक रूप से नदी के ऊपर कण उत्पादन और आपूर्ति की कमी, लेकिन यह भी अत्यंत अस्थिर है।

सैमसंग, माइक्रोन, Hynix और अन्य निर्माताओं, हालांकि नए संयंत्रों के निर्माण में, उत्पादन क्षमता का विस्तार करने के लिए, लेकिन पहुंचे, लेकिन प्राकृतिक आपदाओं, क्या बिजली की कटौती, उपकरण विफलताओं, आग और की तरह है, और अक्सर बस को स्थिर में प्रदर्शित की कीमतों जब, वास्तव में, Mozhe लोग।

यह कहना है कि निर्माताओं, कठिन काम नहीं करते उदाहरण के लिए नहीं है, माइक्रोन, निर्माण सिंगापुर में तीसरे NAND फ्लैश मेमोरी संयंत्र के स्थानीय सीट पर इस सप्ताह शुरू कर दिया।

, चौथी तिमाही 2019 के मध्य -2019 के आसपास पूरा हो जाने की योजना बना रही है माइक्रोन सिंगापुर में दो फ्लैश मेमोरी संयंत्र में किया गया था, नाम हैं फैब 10N, फैब 10X, नए संयंत्र होगा तीसरे चरण परियोजना 165,000 वर्ग मीटर के एक क्षेत्र को शामिल किया गया है, उत्पादन में डाल दिया।

माइक्रोन नए संयंत्र क्षमता के विशिष्ट उत्पादन और एक फ्लैश मेमोरी प्रकार का खुलासा नहीं किया है, यह अगले परत ढेर के एक परंपरागत फ्लैश मेमोरी 64 हो जाएगा।

माइक्रोन भी घोषणा की अपने अनुसंधान और सिंगापुर में विकास के विस्तार, स्थानीय कर्मचारियों की संख्या 7500 से 1 लाख से अधिक लोगों के लिए वृद्धि की संभावना है।

सैमसंग के साथ, देश में माइक्रोन नए संयंत्र शुरू कर दिया है, एसएसडी सॉलिड स्टेट ड्राइव की कीमतों के भविष्य ज्यादा अस्थिरता नहीं करना चाहिए, जब तक कि बंद करो क्या एकात्मक पतंगों।

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