Сегодня Group-Electronics официально анонсировала новый SSD SSD-накопитель PCI-EPS5012-E12', верхний флагманский SSD имеет новый выбор.
PS5012-E12 - первый мастер группы, использующий 28-нм новый процесс , Можно назвать большим шагом вперед, литейным цехом TSMC, а новый процесс помогает сократить площадь чипа и снизить энергопотребление.
Он поддерживает Интерфейс PCI-E 3.0 x4 , пропускная способность до 8 ГБ / с, Поддерживает новейшие TLC, QLC и другие типы 3D-флеш-памяти с максимальной емкостью до 8 ТБ, а также поддерживает внешние SSD-модули Thunderbolt 3.
С точки зрения производительности, официальный пример соответствует Flash-памяти компании Toshiba BiCS3, которая обеспечивает непрерывную скорость чтения и записи до 2 ТБ. 3,2 ГБ / с, 2 ГБ / с , Скорости чтения и записи в случайном порядке 600 000 IOPS.
Фактически, в карьере Yingchi в конце 2017 года групповая ассоциация с уникальным стратегическим партнерством Yingchi в Китае подробно рассказала о главном управлении PS5012-E12 и назвала его поддержкой. Стандартный протокол NVMe 1.3, защита от перегорания конденсатора Tantalum, исправление ошибок LDPC второго поколения, Smart X-Block, кодовый знак и т. Д. , и продолжают поддерживать SmartFlush, SmartRefresh, GuaranteedFLush, сквозную защиту пути данных и другие методы оптимизации.
В то время GALAXY также продемонстрировал новый SSD-диск PCI-E на базе основного блока управления мощностью 8 ТБ и с танталовым конденсатором.
Я считаю, что GALAXY снова получил исходную проблему.
В начале года группа CES также продемонстрировала этот главный контроль.
