Объем вспышки NAND увеличивается и уменьшается, рост на стороне приложения

Хранение флэш-ралли застопорился. Гоу Цзя Хуэй Чжан Жун, генеральный директор отметил, что первая половина этого года давление вспышки перепроизводства, снижение будет расширяться в этом сезоне, но с основными марками производителей мобильных телефонов во второй половине введения новых самолетов, увеличение балансовой стоимости флэш-памяти, цена остановится 2. Снижение цены и увеличение цены будут способствовать быстрому росту заявки.

Хуэй Ронг является мировым лидером в области разработки флеш-памяти. Это компания, зарегистрированная в Nasdaq. В прошлом году флеш-память отсутствовала, а операционная производительность была хуже, чем в предыдущем году.

Потому что рынок считает, что цены на флэш-памяти слишком высоки, то система работает покупающих свернула, Хуэй крыла на первый квартал и полный год прогноз консервативной оценки первого квартала консолидированная выручка снизится на 3% до 7%, годовой консолидированный рост доходов от 5 до 10 лет %.

Однако, в последнее время Жун Хуэй значительный сдвиг во взглядах на рыночных условиях, рост операций становятся более оптимистичными, так как 3D NAND Flash производства быстро подъехала цены, система была модернизирована фабричные товары будут тянуть, тянуть рост объемов в марте.

Гоу Цзя Чжан подчеркнул, что международные компании, такие как Samsung, SK Hynix, Toshiba и Western Digital (WD), Intel и Micron и другие усилия по расширению производственных мощностей, в конце этого года 96 слоев или QLC спецификации производства 3D NAND емкостью много из первой половины цены большего давления , В следующем году будет открыт парк Янцзы реки Янцзы, который принадлежит группе Ziguang Group материкового Китая Китая.

Он считает, что рынок NAND Flash вряд ли будет в наличии в прошлом году, в этом сезоне будет больший спад, но во второй половине ряда производителей мобильных телефонов запустит новые машины, объем памяти которых будет увеличен до 128 ГБ, а жесткий диск жесткого диска будет постепенно Заменяемый твердотельными накопителями (SSD), темпы роста NAND Flash все еще сильны. В третьем квартале NAND Flash перестанет падать. В условиях баланса между спросом и предложением общие рыночные условия относительно здоровы.

По мере увеличения и уменьшения объема флэш-памяти NAND, импорт вниз по течению ускоряется, а работа в течение всего года Huirong очень благоприятная. В частности, значительно вырос уровень проникновения твердотельного накопителя (SSD) и встроенной флэш-памяти (eMMC). Рынок ожидает, что Huirong может быть В конце сезона, когда закон вышел, ежегодный прогноз роста был пересмотрен.