El camino hacia los chips autónomos autónomos fue cada vez más lejos, lo que hizo que Samsung se sintiera incómodo. En su opinión, el mejor ataque es aumentar la inversión, sacudir a los oponentes en innovación y cavar más profundo en el foso.
Ahora, El funcionario de Samsung Electronics dio las últimas noticias de que realizaron una ceremonia de inicio de la segunda línea de producción de chips de memoria flash NAND en Xi'an, China, esta semana, y la expansión de toda la planta se completará en 2019.
A fines de agosto del año pasado, Samsung Electronics anunció que había alcanzado un acuerdo de cooperación con el gobierno provincial de Shaanxi, que ampliará la capacidad de memoria flash de la fábrica de alta tecnología Xi'an Zone, construirá un nuevo proyecto de fase II e invertirá 7.000 millones de dólares en los próximos tres años.
En la actualidad, la planta de Xi'an es responsable del embalaje y las pruebas de los chips de memoria flash de Samsung, y su capacidad de producción se puede aumentar a 10 millones de unidades de estado sólido por año.
