वैश्विक स्मृति बाजार में सैमसंग, एसके हेनिक्स और माइक्रोन का वर्चस्व है। तीन कंपनियों का हिस्सा 95% के बराबर है। चीन के लिए स्मृति बाजार में नाकाबंदी के माध्यम से तोड़ना आसान नहीं है। ज़िगुआन, चांग्ज़िन, झाओई इनोवेशन आदि के बावजूद। मेमोरी चिप बाजार में निवेश करें, लेकिन मौजूदा डीडीआर मेमोरी टेक्नोलॉजी में, चीनी कंपनी टेक्नोलॉजी, उत्पादन क्षमता अभी भी दूर है।
इसके अतिरिक्त, स्मृति पारंपरिक डीडीआर प्रौद्योगिकी तक ही सीमित नहीं है। ऐसे कई उभरते हुए क्षेत्रों में विकसित हो रहे हैं, जैसे कि पीसीएम चरण-परिवर्तन मेमोरी, जिसमें परंपरागत मेमोरी पर कई फायदे हैं, जैसे कि 1000 गुना तेज और पारंपरिक स्मृति से 1000 गुना अधिक टिकाऊ। Huai'an टाइम्स कोर जमा कंपनी 13 अरब युआन का निवेश चीन के सबसे बड़े चरण परिवर्तन भंडारण आधार बनाने के लिए। यह पिछले हफ्ते औपचारिक संचालन शुरू हो गया है और 4.5 अरब युआन का वार्षिक उत्पादन मूल्य होने की उम्मीद है।
चीन Jiangsu नेटवर्क से समाचार, Huai'an सिटी, Jiangsu आईसी उद्योग में 22 मार्च को प्रोत्साहन कहा साइट-सह-युग कोर जमा सेमीकंडक्टर कंपनी लिमिटेड संयंत्र पूरा चरण परिवर्तन स्मृति समारोह की शुरूआत संचालन Huai'an तकनीक औद्योगिक विकास क्षेत्र में आयोजित किया गया है, जो 130 चिह्नित चरण निवेश परियोजना के परिवर्तन स्मृति युआन नवंबर में इस परियोजना के परिचालन चरण में प्रवेश किया जो पिछले साल संयंत्र टोपी पूरी की, और उपकरणों की खरीद, शुरू से ही इस वर्ष मार्च के अंत तक कम से कम नौ महीने सीमित रखने के लिए संचालन शुरू करने के पूरा किया।
पिछले खबर के अनुसार, Huaian इस परियोजना 13 अरब युआन, 4.3 बिलियन युआन का निवेश की कुल निवेश, एक वार्षिक उत्पादन 21 वीं सदी में चरण परिवर्तन मेमोरी चिप मेमोरी चिप के रूप में जाना 100,000 12 इंच पीसीएम चरण में बदलाव मेमोरी चिप के साथ बनाया जाएगा मानक, और पारंपरिक मेमोरी चिप (जैसे स्मृति के रूप में) की तुलना में, जो एक nonvolatile स्मृति चिप है, लेकिन 1,000 बार पारंपरिक मेमोरी चिप की गति, जबकि विश्वसनीयता 1000 बार उत्तरार्द्ध है - निश्चित रूप से, इन संकेतक हैं सैद्धांतिक।
पीसीएम मेमोरी चिप की वर्तमान उत्पादन इंटेल की 3 डी XPoint पीसीएम फ्लैश मेमोरी चिप का एक प्रकार कहा जाता है कि है, लेकिन पुष्टि नहीं की गई है, इसलिए मजबूत नहीं है, लेकिन यह प्रचार की विशेषता 1,000 बार फ्लैश मेमोरी के प्रदर्शन, लेकिन यह भी फ्लैश मेमोरी की विश्वसनीयता है 1000 बार, 10 बार जबकि क्षमता घनत्व फ्लैश मेमोरी।
