Исследовательская группа из Токийского технологического института и Университета Васеда в Японии разработала новую технологию производства тонкопленочных монокристаллических кремниевых солнечных элементов, которая, как ожидается, значительно снизит издержки производства, сохранив эффективность преобразования ячейки.
Ученые утверждают, что они могут разработать высококачественный тонкопленочный монокристаллический кремний толщиной около 10 мкм, а также уменьшилась плотность дефектов кристаллов. Плотность кремния была снижена до уровня чистоты кремниевой пластины.
Исследовательская группа объяснила, что тонкослойная тонкослойная пленка с высоким кристаллическим качеством была получена методом перегрева зоны нагрева (метод ZHR), чтобы шероховатость поверхности кремниевой пластины достигала 0,2-0,3 нм. «Использование слоя с двойным пористым кремнием можно легко отслаивать. Взрослую пленку и полученный субстрат можно повторно использовать или использовать в качестве источника испарения для роста пленки, что значительно снижает потерю материала.
По мнению ученых, этот экспериментальный процесс также доказывает, что шероховатость поверхности кремниевой пластины в диапазоне 0,1-0,2 нм оказывает важное влияние на формирование плотности дефектов кристалла.
