Eine Forschungsgruppe vom Tokyo Institute of Technology und der Waseda-Universität in Japan hat eine neue Technologie für die Herstellung von monokristallinen Silizium-Dünnschichtsolarzellen entwickelt, die die Produktionskosten signifikant senken und gleichzeitig die Umwandlungseffizienz der Zelle aufrechterhalten soll.
Wissenschaftler behaupten, dass sie hochwertiges monokristallines Dünnfilm-Silizium mit einer Dicke von etwa 10 & mgr; m entwickeln können, und die Dichte von Kristalldefekten hat ebenfalls abgenommen. Die Dichte von Silizium wurde auf das Niveau der Siliziumwafer-Reinheit reduziert.
Das Forscherteam erklärte, dass ein einkristalliner Dünnfilm mit hoher kristalliner Qualität durch ein Zonenerhitzungs-Rekristallisationsverfahren (ZHR-Verfahren) erhalten wurde, um die Oberflächenrauheit des Siliziumwafers von 0,2 bis 0,3 nm zu erreichen. Die Verwendung einer doppelten porösen Siliziumschicht kann leicht abgezogen werden. Der gewachsene Film und das resultierende Substrat können wiederverwendet oder als eine Verdampfungsquelle für das Filmwachstum verwendet werden, was den Materialverlust stark reduziert.
Wissenschaftlern zufolge zeigt dieser experimentelle Prozess auch, dass die Oberflächenrauigkeit von Siliziumwafern im Bereich von 0,1-0,2 nm einen wichtigen Einfluss auf die Bildung von Kristalldefektdichten hat.
