Actuellement, Lianxin peut fournir à la fois la technologie Poly / SiON et High-K / Metal Gate.
Selon les rapports, le procédé 28nm High-K / Metal Gate de Lianxin adopte la technologie Gate Last la plus avancée au monde, qui permet de réduire considérablement le courant de fuite de la porte et d'améliorer les performances du transistor. Produits électroniques
En réponse à cette percée technologique, Xu Zhiqing, PDG et vice-président de Lianxin, a déclaré qu'il était très heureux et qu'il espérait renforcer la coopération avec les clients à l'avenir et promouvoir activement la production en volume de produits.
Le projet de fabrication de Lianxin IC est situé dans le district de Xiang'an, agglomération de Xiamen, province du Fujian.Le projet couvre une superficie d'environ 255 000 mètres carrés et une superficie totale de construction d'environ 368 000 mètres carrés. Dans la première phase, toutes les installations et les bâtiments ont été construits et la capacité d'équipement de 25 000 pièces / mois a été installée, la deuxième étape a permis d'installer des équipements sur la base du premier étage pour une capacité de production de 25 000 pièces / mois. Une puce de circuit intégré de 12 pouces, 55-28nm de largeur avec une capacité de production totale de 50 000 pièces / mois.
On peut dire que le projet de fabrication de Lianxin IC est la première joint-venture de 12 pouces entre les deux rives du détroit de Taiwan, et que c'est le projet d'investissement le plus important dans la province du Fujian. Pleine vitesse à pleine capacité.