На саммите Open Computing Summit OCP Samsung Electronics продемонстрировала память DDR4 емкостью до 64 ГБ на основе последних 16 ГБ (2 ГБ) гранул и заявила, что в будущем будет легко достичь одного 256 ГБ.
Эта память представляет собой тип RDIMM для основных серверов, номинальную частоту 2666MHz , Напряжение - это промышленный стандарт 1.2V, Процесс изготовления частиц очень продвинут, но не раскрывается (он должен быть 10 нм), известный как Потребляемая мощность на 20% ниже, чем предыдущие частицы 8Gb.
Samsung сказал Эта 64-Гбайт-память представляет собой конфигурацию с двумя рангами и продолжает разрабатывать RDIMM с четырьмя рангами 128 ГБ и восемь RRIMIM-модулей Rank 256GB.
Samsung также продемонстрировала новую память с использованием платформ Intel Xeon и AMD EPYC. С 256-Гбайт-картой памяти общая одноканальная емкость может достигать 3 ТБ и 4 ТБ соответственно.
Что касается настольных компьютеров, Samsung может использовать новые частицы для создания единого 32-гигабайтного UDIMM , Такая высококачественная система может иметь 256 ГБ памяти, конечно, цена будет очень красивой.
SK Hynix также ранее объявила, что она завершила работу с одной DDR4-матрицей Die 16Gb, также может создать 256 ГБ памяти.
