No Summit da OCP, Open Computing Summit, a Samsung Electronics demonstrou uma memória DDR4 com capacidade de até 64 GB, com base em seus últimos grânulos de 16 GB (2 GB), e afirmou que seria fácil alcançar um único 256 GB no futuro.
Esta memória é do tipo RDIMM para servidores mainstream, frequência nominal 2666 MHz , A tensão é o padrão da indústria 1.2VO processo de fabricação de partículas é muito avançado, mas não especificamente divulgado (deve ser de 10nm), conhecido como O consumo de energia é 20% menor que as partículas anteriores de 8 Gb.
Samsung disse Esta memória de 64 GB é uma configuração de classificação dupla e continua a desenvolver quatro RDIMMs de Rank de 128 GB e oito LRDIMMs de 256 GB de classificação.
A Samsung também demonstrou nova memória usando as plataformas Intel Xeon e AMD EPYC Com um cartão de memória de 256 GB, a capacidade total de canal único pode chegar a 3 TB e 4 TB, respectivamente.
Quanto ao desktop, a Samsung pode usar novas partículas para criar um único UDIMM de 32GB , Tal sistema high-end pode ter 256GB de memória, é claro, o preço será muito bonito.
SK Hynix também anunciou anteriormente que completou uma única partícula Die 16Gb DDR4, também pode criar 256GB de memória.
