В этой теме Дэвид Ши, старший менеджер высокопроизводительных интегрированных решений от Qorvo, обсудит эти проблемы с многочисленными отраслевыми экспертами:
Является ли GaN заменой LDMOS на беспроводную инфраструктуру? Преимущество GaN на основе кремния изменилось с PPT на реальность? Оказывает ли GaN GaAs и кремний на частотах миллиметровых волн? Каковы преимущества производительности GaN для коммутаторов, микшеров и малошумящих усилителей? • Имеют ли китайские компании уже конкурентные технологии и производственные возможности?
Ультраплотная сеть повышает эффективность повторного использования частоты за счет увеличения плотности развертывания базовых станций и приводит к значительному увеличению емкости. С увеличением числа базовых станций в будущем спрос на радиочастотные устройства в базовых станциях также существенно возрастет.
Дэвид Ши считает, что все развертывания на базе малой базовой станции выше 5 ГГц будут постепенно исчезать с помощью GaN, заменяя LDMOS, и GaAs также выиграет от роста спроса на небольшие сети базовых станций. Быстрое развитие небольших базовых станций и Massive MIMO потребует все большей интеграции. Высокие преимущества, присущие GaN, ускорят процесс интеграции силовых устройств. 5G будет стимулировать быстрое развитие индустрии GaN, но LDMOS по-прежнему имеет преимущества стоимости, размера чипов и других аспектов.
GaN стала важной технологией экономической мощи РФ устройства, приложения 4G в настоящее время поделены на рынке акции LDMOS. Таким образом, с увеличением сложностью мобильного телефоном РФ переднего конца, будь то устройство ГАНО РФ может быть применено к конструкции терминала, таким как мобильные телефоны, а?
Он сказал, что главная задача для GaN телефона имеет два, один является высокая стоимость GaN, GaN является другое напряжение питания слишком высоко, не подходит для мобильных телефонов, но в будущем путем совершенствования устройств ГАН РФ по-прежнему может использоваться в мобильных телефонах Таким образом, с более высокой плотностью частот, более высокой частотой среза и высокой термостойкостью GaN может не только удовлетворить потребности 5G RF front-end, но и удовлетворить потребности 5G небольших базовых станций.
С этой точки зрения очень хорошие частотные характеристики радиочастотных устройств GaN действительно являются лучшим выбором для 5G, но другие устройства в системе не имеют таких хороших частотных характеристик, которые бы соответствовали им. Преимущества устройств GaN в настоящее время не полностью используются. Более критическая дорогостоящая проблема влияет на популяризацию и применение GaN. Что касается приложения в мобильных устройствах, то применение стоимости и напряжения нецелесообразно. Однако Дэвид Ши подчеркнул, что с развитием технологии GaN я считаю В эпоху 5G GaN заменит традиционные полупроводниковые материалы и получит более обширные приложения.
Qorvo работает над улучшением производительности продуктов GaN-on-SiC и предоставил самый универсальный и инновационный в отрасли ассортимент продукции GaN-on-SiC. Например, недавно введенный транзистор QPD1025 является действительно разрушительным продуктом для рынка. По сравнению с кремниевыми основанными на LDMOS и кремниевыми биполярными устройствами, QPD1025 не только обладает одинаковой мощностью импульсов и рабочим циклом, но также значительно улучшает эффективность. Qorvo представила это высокомощное и высокопроизводительное решение в области управления температурой. В этом процессе не используются высокотемпературные материалы, такие как алмазы, что делает их очень экономичными. По сравнению с LDMOS эффективность дренажа QPD1025 значительно улучшилась, а его эффективность почти на 15 процентных пунктов выше. Это справедливо для приложений IFF и авионики. Это очень важно.