DRAMeXchange Asesor: los precios de DRAM temporada Server seguirá aumentando

Según la última cita del centro de investigación de semiconductores de Jibang Consulting, los fabricantes de DRAM del primer trimestre del servidor se transfirieron activamente a las especificaciones del módulo RDIMM de 32 GB y al fabricante original DRAM del servidor para garantizar el precio preferencial. Volumen de ventas, citado solo para mantener ganancias de alrededor del 4%; luego de entrar en el segundo trimestre, a medida que aumenta la demanda del etiquetado del servidor de China y el calentamiento de la fundición, los precios estimados de la memoria del servidor seguirán aumentando.

analista DRAMeXchange Liu Jia Hao señaló que este año las ventas de servidores en todo el mundo van a mantener la tasa de crecimiento de un solo dígito, la tasa de crecimiento en el segundo trimestre de China más deslumbrante, hasta aproximadamente dos niveles por ciento, y si desde un servidor con una perspectiva de la oferta de memoria, cada uno Para acelerar la introducción de nuevas plataformas y la transición de módulos de alta capacidad, las grandes fábricas también ofrecieron precios más preferenciales sobre el precio del contrato, de modo que el aumento converja con respecto al año pasado.

Tres importantes fabricantes de DRAM ajustan sus planes de producción y comenzarán la producción en masa de troqueles mono de 16 Gb en la segunda mitad del año.

Además, Liu Jiahao analizó las condiciones de la cadena de suministro y destacó que la industria de servidores se ha beneficiado de la popularización de terminales inteligentes y, por otro lado, ha resultado del impacto de la computación en la nube en servidores empresariales, que a su vez impulsa la demanda de servicios de red. Caliente y se convierta en la clave del impulso de crecimiento del mercado de servidores.

Además, en respuesta al servidor global con el centro necesidades de datos y mejorar la memoria de las tres principales fábrica de DRAM aumentará la proporción de la producción de procesos avanzados en la segunda mitad, impulsada por alta capacidad coste módulo de ventaja con la demanda de montaje. En la actualidad la DRAM sistema coreano planta prevista en el tercer trimestre comenzará a producir partículas de 16 GB mono troquel de alta capacidad, con el fin de mejorar eficientemente la capacidad de penetración de 64 GB o más módulos, además de la corriente principal proceso de la memoria del servidor transferido gradualmente a los 17 y 18 nanómetros nodos en el segundo medio, la alta capacidad aumentando gradualmente la proporción de segmentos de salida, y mejorar la estructura de costos, se acelerará la velocidad del módulo de conversión de alta capacidad.