1.123 नई तीन पैनल व्यापार आईपीओ, दो अर्धचालक कंपनियों ध्यान के योग्य;
सूक्ष्म नेटवर्क समाचार सेट, के साथ 2017 की आय का खुलासा किया गया है, तीन नए बोर्ड कंपनी के आईपीओ लिस्टिंग मार्गदर्शन की मांग एक शर्मनाक स्थिति का सामना करना पड़ेगा पर ध्यान केंद्रित कर रहा है, अगर 'बदल रहा है चेहरे', एक स्पष्ट रणनीतिक योजना के अभाव में प्रदर्शन, प्रस्तावित आईपीओ या छोड़ने है डुबकी लेता है। यह अधूरा आंकड़ों के microgrid सेट 15 मार्च के रूप में, वहाँ 123 नए तीन पैनल व्यापार स्प्रिंट आईपीओ, जो दो अर्धचालक कंपनियों, जो सूक्ष्म कोर मित्र, एशिया विश्व फोटो इलेक्ट्रिक भी इस स्थिति का सामना कर रहे है कर रहे हैं।
चार सूक्ष्म कोर: कोर उत्पाद राजस्व वर्ष में और साल
कोर मित्र माइक्रो पुराने बिजली प्रबंधन चिप डिजाइन कंपनी, 2005 में स्थापित किया गया की योग्यता है, जनवरी 2014 में कंपनी सूचीबद्ध तीन नए बोर्ड। सूचीपत्र, कोर मित्र सूक्ष्म इरादा रखता जीईएम से अधिक 2570 मिलियन शेयर नहीं जारी किए गए, रिहाई के लिए लेखांकन कुल शेयर पूंजी का 25% के अनुपात में, स्मार्ट घर प्रणाली शक्ति प्रबंधन चिप के विकास और नई मोटर चालक चिप और मॉड्यूल विकास और औद्योगीकरण और अनुसंधान एवं विकास केंद्र निर्माण परियोजना के औद्योगीकरण के लिए धन का 220 मिलियन युआन जुटाने की योजना है। ऐसा लगता है कि सूक्ष्म आईपीओ कोर मित्र प्रायोजक संस्थान ह्यूएलिन सिक्योरिटीज है
समीक्षाधीन अवधि 2014 के दौरान - 2016 और 2017 1--6 महीने, कोर मित्र माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक राजस्व 1.63 अरब युआन, 187 मिलियन युआन, 230 मिलियन युआन और 52.85 मिलियन युआन, इसी अवधि में 14,929 मिलियन युआन का शुद्ध लाभ, 2062.89 थे लाख, 30,0513 मिलियन युआन और 6,073 मिलियन युआन।
प्रोस्पेक्टस पर हस्ताक्षर करने की तारीख के रूप में, कोर मित्र माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक तीन पूर्ण स्वामित्व वाली सहायक है और 2016 में एक संयुक्त स्टॉक कंपनी केवल एक सूज़ौ Borch में लाभ प्राप्त करने के लिए।
रिपोर्टों के अनुसार, चिप मोबाइल डिजिटल वर्ग कोर मित्र माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक के मुख्य उत्पादों में से एक है 2014 - 2016 और 2017 1--6 Yuefen बिक्री 83,315,800 युआन, 71,471,400 युआन, 66,212,600 युआन और 1,208.90 युआन, लेखांकन थे मुख्य व्यवसाय आय के अनुपात में 51.48 प्रतिशत, क्रमशः, 38.23%, 28.85% और 22.87% थी। समीक्षाधीन अवधि के दौरान, वहाँ डिजिटल मोबाइल चिप राजस्व के मामले में एक बूंद है।
हालांकि, सूक्ष्म कोर मित्र, अनुसंधान एवं विकास निवेश का समर्थन मूल प्रौद्योगिकी संचय वृद्धि हुई है। समीक्षाधीन अवधि के दौरान जारी है, कोर मित्र सूक्ष्म अनुसंधान एवं विकास व्यय 24,941,600 युआन, 31,176,000 युआन, 4,116.52 करोड़ और 10,704 $ मिलियन युआन थे, परिचालन आय के अनुपात के लिए लेखांकन वे क्रमशः 15.34%, 16.67%, 17.93% और 20.25% थे।
कोर पेंग वेई ने कहा कि कंपनी, उच्च अंत उत्पाद लाइन शिफ्ट करने पर ध्यान केंद्रित करने के लिए 'आयात प्रतिस्थापन' 'उन्नयन' से आगे बढ़ा रहा है, मानव रहित हवाई वाहन, बिजली के वाहनों, चार्ज ढेर, बुद्धिमान घर के लिए उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स बाजार से बाजार में उभर में और सक्रिय रूप से विकास।
एक्सल ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स: मुनाफे और अनुसंधान एवं विकास उदय महत्वपूर्ण रूप से अस्वीकार
सार्वजनिक सूचना, 21 जुलाई को एशिया वर्ल्ड तस्वीर 2015 सूचीबद्ध तीन नए बोर्ड, मुख्य व्यवसाय प्रदर्शन मॉड्यूल डिजाइन, विकास, उत्पादन और बिक्री, कंपनी के छोटे और मध्यम आकार एलसीडी और अंत उत्पादों के निर्माण के लिए नियंत्रण रेखा के लिए मुख्य ग्राहक प्रदाताओं और संबंधित प्रौद्योगिकी सेवाओं, मुख्य रूप से देशों और जर्मनी, संयुक्त राज्य अमेरिका, जापान और मुख्य भूमि चीन में क्षेत्रों में।
प्रोस्पेक्टस के अनुसार पता चलता है कि हाल के वर्षों में एशिया वर्ल्ड फोटो इलेक्ट्रिक प्रदर्शन स्थिर नहीं है। 2015, 2016 और 2017, 3.85 बिलियन युआन, 398 मिलियन युआन और 242 मिलियन युआन की एशिया वर्ल्ड फोटो इलेक्ट्रिक परिचालन आय, 61,1832 मिलियन युआन का शुद्ध लाभ, 7759.17 दस हजार युआन और 30.5732 मिलियन युआन
आप देख सकते हैं एशिया वर्ल्ड फोटो इलेक्ट्रिक राजस्व लाभ दोनों 2017 में गिर गई, आदर्श नहीं है। एशिया वर्ल्ड फोटो इलेक्ट्रिक कहा रिपोर्ट अवधि में शुद्ध लाभ में गिरावट का मुख्य कारण कंपनी मुश्किल गुणांक, कम उपज के कारण पहले दो टच स्क्रीन TFT उत्पादों, एक नुकसान में, दूसरा 2017 के पहली छमाही है, अमेरिकी डॉलर के खिलाफ RMB प्रशंसा एक राज्य में किया गया है।
स्पर्श पैनल उद्योग के तीव्र विकास के साथ, प्रौद्योगिकी विकास तेजी, एशिया विश्व फोटो इलेक्ट्रिक के प्रयोजनों के लिए भी मजबूत अनुसंधान एवं विकास समर्थन की जरूरत है। हालांकि, यह समझना महत्वपूर्ण है कि एशिया विश्व फोटोवोल्टिक अनुसंधान और विकास तथा तकनीकी कर्मियों कोई लाभ के लिए लेखांकन के लिए मुश्किल है विरोधी शून्य से।
सार्वजनिक हस्तांतरण निर्देश (प्रतिक्रिया मसौदा) ने जुलाई 2015 के अनुसार - विश्व फोटो इलेक्ट्रिक 31 दिसम्बर 2014 के रूप में खुलासा,, कंपनी, अनुसंधान एवं विकास और 165 लोगों के तकनीकी स्टाफ सहित 530 लोगों को, रोजगार 31.13% के लिए लेखांकन।
एशिया विश्व फोटो इलेक्ट्रिक प्रोस्पेक्टस (मसौदा रिपोर्ट) के नवीनतम प्रकटीकरण के अनुसार, मार्च 2017 के अंत के रूप में, 1693 लोगों को, 110 लोगों की अनुसंधान एवं विकास स्टाफ सहित, करने के लिए कर्मचारियों की संख्या 6.50% के लिए लेखांकन।
राजस्व और मुनाफे में दोनों गिर गया, अनुसंधान और विकास तथा काफी कम पृष्ठभूमि के लिए लेखांकन तकनीकी कर्मियों, पल को देखने के लिए मुश्किल हो सकता है - फोटो इलेक्ट्रिक आईपीओ की दुनिया भी सफल हो जाएगा।
2. चीन छीना शोधकर्ताओं ने सफलतापूर्वक एक कण या सेल पर कब्जा प्राप्त;
हेफ़ेई विज्ञान और प्रौद्योगिकी डेली मार्च 16 (रिपोर्टर वू Changfeng) रिपोर्टर विज्ञान और प्रौद्योगिकी, इंजीनियरिंग स्कूल, इंजीनियरिंग साइंस लेबोरेटरी के स्कूल के चीन विश्वविद्यालय से सीखा कब्जा माइक्रो और नैनो अनुसंधान एक कण या सेल में महत्वपूर्ण प्रगति की है। वे वास्तविक समय दो femtosecond लेजर उपयोग का प्रस्ताव रखा फोटोन लिथोग्राफी प्रौद्योगिकी, सफलतापूर्वक एकल कणों या कोशिकाओं के कब्जा हासिल की है, प्रौद्योगिकी भी कोशिकाओं या कणों के बीच बातचीत का अध्ययन करने के संचार के लिए इस्तेमाल कर रहे हैं वास्तविक समय पर कब्जा और अधिक चलाया कण या कोशिका समूहों प्राप्त कर सकते हैं, यह बहुत सेल को बढ़ावा देने की उम्मीद है विकास अध्ययन के क्षेत्र में कब्जा अनुसंधान हाल ही में microfluidic नियंत्रण क्षेत्र के अंतरराष्ट्रीय जर्नल "एक चिप पर प्रयोगशाला" में प्रकाशित, और, कवर के रूप में चयनित किया गया था, जबकि "नेचर फोटोनिक्स," प्रकाशित किया।
एकल कक्ष के विश्लेषण में, लक्ष्य सेल एकल कोशिका विश्लेषण कब्जा करने के लिए एक पहला कदम है। microfluidic चिप पारंपरिक प्रयोगात्मक विधियों उपलब्ध नहीं हैं, बड़े पैमाने पर अध्ययन किया गया है और। जिसमें एकल कक्ष पर कब्जा कला में प्रयोग किया जाता से अधिक के कई फायदे हैं, कब्जा सरणियों के आधार पर microfluidics सरल और सबसे अधिक इस्तेमाल किया विधि के सेल जुदाई या कब्जा कणों को प्राप्त करने है, तथापि, वर्तमान सूक्ष्म कब्जा सरणियों कई समस्याओं का सामना करता है: पहला, कब्जा दक्षता बहुत कम है (कम से कम 10%); , इसके अलावा, जबकि कण समूहों को हासिल करना मुश्किल नियंत्रित कब्जा, वास्तविक समय के बाद लक्ष्य संरचना आकार और ज्यामिति के नियमन के लिए हासिल नहीं किया जा सकता।
सबसे पहले, एक निश्चित ऊंचाई microfluidic चिप के उत्पादन के लिए डिजाइन टीम, चिप लक्ष्य कोशिकाओं photoresist या microparticles या हाइड्रोजेल में निहित; वास्तविक समय अवलोकन लक्ष्य कणों छवि द्वारा जांच की, तो जल्दी से नियंत्रण द्रव का प्रवाह रुक; एक femtosecond लेजर प्रसंस्करण या सूक्ष्म स्तंभ कोशिकाओं के आसपास के सरणी में लक्ष्य कणों, और अंत में धोया photoresist या हाइड्रोजेल, एकल कोशिका एकल कक्ष या कण कब्जा दक्षता 100% के करीब है, और लक्ष्य अधिग्रहण के बाद के विश्लेषण के लिए लक्ष्य संरचना प्रदान करने में ज्यामिति और वास्तविक समय समायोज्य के आकार, अतिरिक्त कब्जा कण समूहों के चलाया संख्या भी लागू किया जा सकता है।
3.2017 चीन शीर्ष दस ऑप्टिकल प्रगति सिंघुआ विश्वविद्यालय दो अध्ययनों वर्ग के आधार पर चुना गया था की घोषणा की,
सिंघुआ न्यूज नेटवर्क मार्च 17 13 मार्च से बिजली शाम, चीन लेजर पत्रिका आयोजित "शंघाई पुडोंग, सिंघुआ विश्वविद्यालय से, 20 झेजियांग विश्वविद्यालय, प्रकाशिकी और ठीक यांत्रिकी और अन्य संस्थानों के शंघाई संस्थान में 2017 चीन के शीर्ष दस ऑप्टिकल प्रगति के सम्मेलन अचीवमेंट अवार्ड (बुनियादी अनुसंधान और प्रत्येक वर्ग 10 में लागू अनुसंधान)।
सम्मान स्रोत के मेहमानों के साथ एक ग्रुप फोटो की ओर से पुरस्कार: चीन लेजर
उप चयन समिति की ओर से शोधकर्ता झोउ Changhe द्वारा चयन समिति शंघाई-रे मशीनों के निदेशक की घोषणा की 2017 चीन के शीर्ष दस चयनित कागजात के ऑप्टिकल सूची में अग्रिम। फैन Dian युआन, विज्ञान के चयन समिति के निदेशक, ऑप्टिक्स शंघाई संस्थान और ललित मैकेनिक्स संस्थान आरयू नई शिक्षाविदों की ओर से विजेताओं को ट्राफ़ी सिंघुआ विश्वविद्यालय के प्रोफेसर रेन Huangyi पूर्व के और प्रमाण पत्र। इलेक्ट्रानिक्स विभाग जीतने के मुख्य प्रतिनिधि के रूप में।
प्रोफेसर हुआंग Xiaodong एक भाषण दिया
Tsinghua विश्वविद्यालय द्वारा चयनित दो परिणाम हैं:
सिंघुआ विश्वविद्यालय के प्रोफेसर हुआंग यी पूर्व टीम प्रोफेसर लियू Fangfu के इलेक्ट्रॉनिक्स विभाग एक गैर सीमा Cerenkov विकिरण प्राप्त करने के लिए ऑन-चिप एक एकीकृत मुक्त इलेक्ट्रॉन स्रोत विकसित की है, दुनिया की पहली। मुक्त इलेक्ट्रॉन प्रकाश स्रोतों के परंपरागत स्वरूप की तोड़फोड़ के परिणाम, लेकिन यह भी चिप उड़ान पर अनुसंधान करता है इलेक्ट्रॉनों और माइक्रो-नैनोस्ट्रक्चर के बीच बातचीत संभव हो जाती है।
2004 सूक्ष्म और nanostructures optoelectronic उपकरणों, सूक्ष्म नैनो संरचना और उत्पादन तकनीक में Optoelectronic भौतिकी में प्रोफेसर हुआंग यी पूर्व टास्क फोर्स, परीक्षण प्रौद्योगिकी अंतरराष्ट्रीय नेतृत्व जमा हो गया। अनुसंधान समूह प्रोफेसर लियू Fangfu अनुसंधान समूह डॉ चंद्र नव वर्ष लांग, जो, में के नेतृत्व में अध्ययन के दौरान कृत्रिम अतिशयोक्तिपूर्ण metamaterial Cerenkov विकिरण पाया गया कि, चाहे कितना धीमी इलेक्ट्रॉन की गति अतिशयोक्तिपूर्ण metamaterial में विकिरण कि सेरेन्कोव विकिरण मुक्त सीमा प्राप्त कर सकते हैं उत्पादन कर सकते हैं।
(ए) पर चिप एकीकरण सेरेन्कोव विकिरण, (ख) एक इलेक्ट्रॉन माइक्रोग्राफ: (बाएं) चादर विमान इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन स्रोत पर () अतिशयोक्तिपूर्ण metamaterial, (दाएं) भूतल plasmon nanoslits अवधि है।
इस महत्वपूर्ण खोज के परीक्षण के लिए निरंतर प्रयासों, पर चिप प्लानर इलेक्ट्रॉन उत्सर्जन स्रोत से निपटने के लिए सतत प्रयासों, अतिशयोक्तिपूर्ण metamaterials, कई बाधाओं और कठिन सतह plasmon अवधि भट्ठा या तरह nanostructure निर्माण और परीक्षण के दो से अधिक वर्षों के बाद समूह के सदस्यों, इलेक्ट्रॉनों की इजाजत दी के बाद नैनोमीटर के कई दसियों की एक मोलिब्डेनम टिप वक्रता त्रिज्या से उत्सर्जित कर रहे हैं, चिप की सतह 200 माइक्रोन सीधे उड़ान से 40 एनएम पर बनाए रखा है, अंत में कोई Cerenkov विकिरण सीमा 500 से 900 नैनोमीटर के तरंग दैर्ध्य होने विकिरण, इलेक्ट्रॉन ऊर्जा केवल मनाया 250 1400 eV के लिए, की तुलना में समान प्रयोगों ऊर्जा के इलेक्ट्रॉन वोल्ट के हजारों की तारीख सैकड़ों की सूचना दी परिमाण के 2-3 आदेश द्वारा कम की आवश्यकता प्रायोगिक तौर पर प्राप्त 200 नव उज्ज्वल प्रकाश उत्पादन शक्ति अन्य nanostructures के उपयोग के साथ प्राप्त किया जाता है सेरेनकोव विकिरण की तुलना में, उत्पादन शक्ति परिमाण के उच्चतर के 2 से अधिक ऑर्डर है।
थ्रेशोल्ड चेरेनकोव विकिरण प्रयोगात्मक परिणाम
बल्कि मोलिब्डेनम और सिलिकॉन आधारित बाध्यकारी हाथ गुहा के सिंघुआ विश्वविद्यालय के प्रोफेसर सरकार अनुसंधान समूह ditelluride monolayer, दुनिया में पहली बार एक दो आयामी नैनो लेजर के कमरे के तापमान आपरेशन प्राप्त करने के लिए इलेक्ट्रॉनिक स्मृति। यह परिणाम एक सिलिकॉन लेजर और excitons है पोलरिमेट्रिक लेसरों पर रिसर्च बहुत महत्वपूर्ण है।
इलेक्ट्रॉनिक्स लाइन निंग दुकान सिंघुआ विश्वविद्यालय अनुसंधान समूह प्रोफेसर झेंग एनएम लेजर अनुसंधान अनुभव के वर्षों के साथ संयुक्त के नेतृत्व में केवल 300 multinanopore की चौड़ाई को टेल्यूराइड लाभ सामग्री के रूप में दो मोलिब्डेनम का केवल 0.7 नैनोमीटर के एक एकल परत मोटाई का उपयोग किया, मोटाई 200 multinanopore समूह सिलिकॉन नैनो हाथ गुहा लेजर गुंजयमान यंत्र के रूप में। दो आयामी सामग्री में पाया, इलेक्ट्रॉनों और छेद के बंधन ऊर्जा बहुत अधिक है, यह एक स्थिर excitons, उच्च दक्षता सी आधारित भुजा के साथ प्रकाश उत्सर्जन फार्म कर सकते हैं एक ऑप्टिकल एक सुपर उच्च गुणवत्ता कारक होने गुहा, सिलिकॉन सामग्री के भीतर exciton तरंगदैर्ध्य विकिरण ditelluride मोलिब्डेनम थोड़ा अवशोषण और इस तरह, दो आयामी सामग्री, और सिलिकॉन आधारित हाथ चैम्बर 'मजबूत - मजबूत'। बाध्यकारी, लेजर संचालित है तापमान को कमरे के तापमान पर उठाया जाना महत्वपूर्ण कारण है।
दो-आयामी सामग्री पर आधारित नैनो लेज़रों के योजनाबद्ध आरेख।
एकल परत जाल संरचना एक योजनाबद्ध दो आयामी सामग्री, नीचे एक सिलिकॉन नैनो cantilevers की लेजर गुहा के रूप में प्रयोग किया जाता है।
अध्ययन एक आयामी सटीक नैनो ब्रैकट संरचना की आवश्यकता है, और जब तक केवल एक ही दो आयामी सामग्री सही ढंग से नैनो ब्रैकट संरचना करने के लिए स्थानांतरित कर रहा है नक़्क़ाशी, ब्रैकट परिपत्र छेद के विभिन्न आकारों एक आयामी सरणी पर किया जाता है, और नैनो की जोड़ी नैनो प्रौद्योगिकी संचालन एक बड़ी चुनौती प्रस्तुत किया। प्रोफेसर निंग ली Yongzhuo ऑपरेटिंग कमरे दो आयामी सामग्री नैनोमीटर लेजर प्राप्त करने के लिए दुनिया में पहली बार के लिए युवा शिक्षकों, जो कठिनाइयों की एक श्रृंखला पर काबू पाने के राजनीतिक नेतृत्व रखने के लिए, और अंत में।
Nanowire बढ़े योजनाबद्ध ऑप्टिकल waveguides (बाएं), एक स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप फोटोग्राफ (दाएं) nanowires।
लेजर नैनो अनुसंधान बुनियादी अनुसंधान और व्यावहारिक अनुप्रयोगों के लिए महत्वपूर्ण प्रभाव पड़ता है। सबसे पहले, सबसे पतला ऑप्टिकल लाभ सामग्री के रूप में दो आयामी सामग्री कम तापमान पर लेजर के आपरेशन का समर्थन दिखाया गया है, लेकिन यह कमरे के तापमान पर एकल आणविक सामग्री का समर्थन करने के लिए पर्याप्त है लेजर आपरेशन, वहां अभी भी वैज्ञानिक समुदाय में, दो आयामी सामग्री, बहुत मजबूत कूलम्ब के कारण संदेह कर रहे हैं। कमरे के तापमान आपरेशन लेजर है, जो एक नई लेजर अर्धचालक लेजर विकास के इतिहास में महत्व के कमरे के तापमान संकेतक पर काम किया है के व्यावहारिक अनुप्रयोग के अधिकांश के लिए एक शर्त है। इसके अलावा में आइंस्टीन संघनन निकट से संबंधित है, सबसे अधिक सक्रिय वर्तमान मौलिक भौतिकी है - बातचीत, इलेक्ट्रॉन और excitons में छेद हमेशा की तरह, तब होता है तो यह वास्तव में एक नई लेजर exciton polaritons बोस है यह विषयों में से एक है।
इसके अलावा बुनियादी अनुसंधान चयनित आठ साल की प्रकाशिकी अनुसंधान के क्षेत्र में महत्वपूर्ण प्रगति कर रहे हैं: पीकिंग विश्वविद्यालय पाया 'अराजक राजमार्ग' की फोटॉन गति अंतरण; प्रकाशिकी और ठीक यांत्रिकी के शंघाई संस्थान अखिल ऑप्टिकल ड्राइव विकसित की है, मजबूत टेराहर्ट्ज़ विकिरण पैदा करने 'मिनी undulator '; साथ Nankai पूरक खड़ी कार्बनिक सौर सेल डिवाइस प्रकाश अवशोषित निर्माण रणनीति oligomer सामग्री के व्यापक वर्णक्रमीय अवशोषण विशेषताओं वाले, Zhongshan विश्वविद्यालय ऊर्जा घाटी एक फोटोनिक क्रिस्टल डिजाइन करने के लिए, नई ऊर्जा प्राप्त करने के लिए घाटी - छद्म स्पिन संपर्क, और प्राप्त करने के लिए और एक छद्म स्पिन विनियमन टोपोलॉजी; दक्षिण पूर्व विश्वविद्यालय समता एक खुली प्रणाली में हासिल की - सममित क्वांटम चलने का समय, और मनाया सुरक्षा टोपोलॉजी सीमा राज्य को एक नया आयाम; चुंबकीय दर्पण सामान्यीकृत राष्ट्रीय रक्षा विश्वविद्यालय, विज्ञान रेल आधारित संकल्प के Huazhong विश्वविद्यालय एक दूसरे हार्मोनिक आणविक पैमाने परमाणु ऊर्जा स्पेक्ट्रम का पता लगाने सीखने; नानजिंग विश्वविद्यालय में पाया गया कि तीन आयामी डिराक semimetal पतली फिल्म सामग्री के मध्य अवरक्त स्पंदित लेजर से अधिक एक उच्च प्रदर्शन स्विचिंग सामग्री के रूप में तैयार किया जा सकता है।
10 बड़े ऑप्टिकल प्रगति प्रायोगिक अनुसंधान श्रेणियों में नामांकित हैं: पीकिंग विश्वविद्यालय सफलतापूर्वक लघु दो फोटॉन प्रतिदीप्ति सूक्ष्मदर्शी की एक नई पीढ़ी का विकास किया; पहली बार नैनो टाइल के लिए नैनो झेजियांग विश्वविद्यालय के दूर-क्षेत्र माइक्रोस्कोपी इमेजिंग पर अचिह्नित बड़े क्षेत्र; नेनौसाइंस के लिए राष्ट्रीय केन्द्र सफलतापूर्वक विकसित आणविक स्पिन फोटोवोल्टिक उपकरण, विज्ञान और प्रौद्योगिकी के Huazhong विश्वविद्यालय गैर नेतृत्व आधारित perovskite एकल क्रिस्टल एक्स-रे डिटेक्टर का विकास किया; झेजियांग विश्वविद्यालय subwavelength सभी ऑप्टिकल एनालॉग आपरेशन प्राप्त करने के लिए सहयोग, कैस झिंजियांग सफलतापूर्वक गैर रेखीय ऑप्टिकल क्रिस्टल सामग्री DUV की एक नई पीढ़ी विकसित भौतिक ; अल्ट्रा अवशोषक सामग्री संरचना और एकीकृत नैनो तकनीक और नैनो-बायोनिक्स चीनी अकादमी ऑफ साइंसेज के संवेदक समाधान अपवर्तनांक सूज़ौ संस्थान microfluidic चैनलों के एकीकरण; चीनी अकादमी ऑफ साइंसेज के शंघाई Jiaotong विश्वविद्यालय सफलतापूर्वक सिलिकॉन आधारित एकीकृत लगातार समायोज्य ऑप्टिकल बफ़र्स / देरी चिप्स की एक विस्तृत श्रृंखला विकसित फोटोनिक्स की रासायनिक संस्थान छिपा बार कोड डिजाइन अवधारणाओं और आधारित जैविक फुसफुसा गैलरी microcavity के तरीके प्रस्तुत करता है, बीजिंग जियाओतोंग विश्वविद्यालय UNB प्रतिक्रिया की जैविक photodetectors दोहरीकरण के अध्ययन में नई प्रगति की है।
4. चांग्शा देश 'कोर आग' के निर्माण के लिए मंजूरी दे दी दो आधार हिट
चांग्शा Xiaoxiang मॉर्निंग न्यूज़ हाल ही में, चांग्शा राष्ट्रीय आर्थिक और तकनीकी विकास क्षेत्र निवेश होल्डिंग्स लिमिटेड विशेषज्ञों द्वारा 'कोर आग' दो-आधार हिट (मंच), उद्योग और समीक्षा के मंत्रालय द्वारा आयोजित मान और निर्माण करने के लिए सहमत हुए।
राज्य 'कोर आग' अभिनव कार्य योजना के अनुसार, हमारे देश, केन्द्र बिन्दु के रूप में सार्वजनिक सेवाओं, प्रमुख उद्यमों के लाभ, सामाजिक शक्तियों और अन्य संसाधनों के एकीकृत परिपथ प्रौद्योगिकी और उत्पादों के लिए इकट्ठा होते हैं को विकसित करने और (प्लेटफार्मों का निर्माण एक नया दो आधार सूचना प्रौद्योगिकी के एक नंबर मारा जाएगा पारिस्थितिकी तंत्र) छोटे और सूक्ष्म उद्यमों, स्टार्ट-अप और एक ध्वनि नीति और संस्थागत वातावरण और सेवा प्रणाली स्थापित करने के लिए उद्यमशीलता की टीम के लिए, '- सॉफ्टवेयर - हार्डवेयर - - प्रणाली सूचना सेवाओं चिप' के गठन को बढ़ावा देने के।
इसके बाद, हुनान एकीकृत परिपथ उद्योग के गुण रखती है आगे, सभी संसाधनों का 'कोर आग' दो-आधार हिट (मंच) निर्माण कार्यक्रम, एकीकरण में सुधार हुनान सभा आईसी उद्योग। रिपोर्टर चेन झांग किताब में नवाचार और विकास को बढ़ावा देने होगा