บทความนี้พิมพ์ซ้ำได้รับอนุญาตจาก Superpower.com
ตลาดเก็บข้อมูลเดิมไม่มีอะไรในประเทศแม้ว่าจะมีผู้ผลิต SSD จำนวนมากในจีนชิป SSD ในประเทศเหล่านี้เป็น บริษัท ต่างชาติทั้งหมดและเทคโนโลยีหลักอยู่ในมือของผู้อื่น
อย่างไรก็ตามสถานการณ์นี้จะสิ้นสุดลงเร็ว ๆ นี้ แม่น้ำแยงซีริเวอร์จัดเก็บข้อมูล 3D NAND เพื่อใช้ SSD ในปีหน้า แต่ SSDs ในประเทศจะเร็วกว่าในการควบคุมความจริงแล้วมีหลาย บริษัท และตลาดการทหารอยู่ในขณะนี้ผู้ครุ่นคิดในตลาดแรกในตลาดผู้บริโภคจะเป็น Yone เทคโนโลยี STAR1000 ซึ่งเป็น บริษัท แรกที่ใช้ตัวควบคุมหลักคือ Lite-On T10 Plus
แม้ว่า บริษัท แม่ Lite และ Lite เป็น บริษัท ไต้หวัน แต่พวกเขาได้ปลูกรากในแผ่นดินใหญ่และชิปหน่วยความจำ บริษัท ในประเทศที่ขยายความลึกของความร่วมมือสถานประกอบการของกว่างโจว 2016 Nianguang สัญลักษณ์เทคโนโลยีศูนย์ R & D ที่จะสนับสนุนการพัฒนาของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ในประเทศในปีเดียวกัน 7 Yi Bao แสงจันทร์และเทคโนโลยีหลักถึงข้อตกลงความร่วมมือในการร่วมกันพัฒนาต้นแบบในประเทศหลักของ SSDs ระดับ high-end
พฤศจิกายน 2017 ได้รับการปล่อยตัวด้วยกัน Lite T10 พลัสที่ศูนย์การประชุมแห่งชาติและหน่วยความจำ STAR1000 หลักและในปีนี้ด้วยการร่วมทุน Lite ม่วงมุ่งเน้นไปที่การพัฒนาของอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลในประเทศที่มองเห็นสมบัติถูกทรัพยากรที่เพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่องการลงทุนในแผ่นดินใหญ่
ปัจจุบัน Lite T10 พลัส 256GB ได้เริ่มขายใน Jingdong ราคาอยู่ที่ 739 หยวน เพื่อนคนเดียวหัว 50 อาทิตย์ยังได้รับส่วนลด 50 หยวนบัตร Jingdong E
นอกจากนี้เรายังได้รับผลิตภัณฑ์นี้เป็นครั้งแรก แต่เราสามารถทดสอบได้เพียงไม่กี่ครั้งเนื่องจากเวลาทดสอบที่ จำกัด
Lite-On T10 Plus เป็น M.2 PCI-E NVMe SSD ที่มีความจุเริ่มต้น 256GB และ 512GB และ 1TB
ประสิทธิภาพของ 512GB และ 1TB เหมือนกันทั้งสองอ่านจาก 1700MB / s ที่ 2700MB / s, IOPS อ่าน / เขียนแบบสุ่ม 320,000 / 275,000 ในขณะที่ประสิทธิภาพการทำงานของ 256GB ค่อนข้างต่ำอ่าน 2500MB อย่างต่อเนื่อง / s เขียน 1000MB / s อย่างต่อเนื่องสุ่มอ่าน / เขียน IOPS 160,000 และ 145,000 ตามลำดับ
กำลังเปิดกระบอง ~
มีไขควงและสกรู M.2 ในอุปกรณ์เสริม
น็อต M.2 บนเมนบอร์ดมี สนิทสนมมาก
Lite-On T10 Plus ใช้ดิสก์ชนิด M.2 2280, M.2 Socket 3 interface และใช้ช่อง PCI-E 3.0 x4
เช่นเดียวกับ M.2 SSD ก่อน Liteon ก็มีหม้อน้ำ T10 Plus คราวนี้หม้อน้ำถูกแทนที่ด้วยการออกแบบสไตล์จีนเน้นการใช้การควบคุมหลักในประเทศ
แม้ด้านหลังของสติกเกอร์ที่มีลมจีนและอื่น ๆ ที่เป็นฝ่ายเดียวเท่านั้น 256GB หน่วยความจำแฟลช, 512GB และ 1TB มีแฟลชสองด้าน
ถอดอ่างความร้อนออก
หน่วยความจำหลักในการควบคุมหลัก SSD เชิงพาณิชย์แห่งแรกในประเทศ STAR1000
STAR1000 หลักหน่วยความจำมีประสิทธิภาพการทำงานที่มีประสิทธิภาพการประมวลผล ARC แบบ dual-core ใช้ TSMC กระบวนการผลิต 28nm HPC ให้การสนับสนุนช่องทางที่แปดแฟลช ONFI 4.0 และสลับ DDR 3.0 หน่วยความจำแฟลชความเร็วอินเตอร์เฟซ 800mt / s สามารถรองรับได้ถึง 2400MT / s DDR4 / LPDDR3 แคชภายนอกต้นแบบลำดับความเร็วในการอ่านสูงสุด 3GB / s สูงสุดตามลำดับความเร็วในการเขียน 2GB / s IOPS สูงสุดสุ่มอ่านและเขียน 350K และ 300K ตามลำดับ 90us อ่านแฝงเขียนล่าช้า 20us, อำนาจสูงสุด น้อยกว่า 2.5 วัตต์
แคชคือเอเชียใต้ 512MB LPDDR3 รุ่นคือ NT6CL128M32BM-H2
Lite T10 พลัส 3D เดิม TLC โดยใช้หน่วยความจำแฟลชของโตชิบา, 256GB หมายเลขที่ใช้ข้างต้นเป็น TH58TFT0T23BADE มันเป็นรุ่นที่สามของรุ่นที่สามของโตชิบา BICS สินค้า 3D64 ชั้นกองกำลังการผลิตเดียวของ 128GB
SSD หางขนาดเล็กสองแสงสีแดงตกแต่ง
นี่คือข้อมูลที่ระบุกับ CDI, รุ่นปัจจุบันเฟิร์มแว LTNFW1.1
ทดสอบ CDM ออก 256GB Lite T10 พลัส ความเร็ว 2539.7MB Sequential อ่าน / s ความเร็วในการเขียนลำดับ 1000.5MB / s และอย่างมีนัยสำคัญตรงกับข้อมูลในกล่อง 4K QD1 ความเร็วในการอ่านแบบสุ่มของ 57.89MB / s ความเร็วในการเขียนแบบสุ่มของ 216.6MB / s ก็ปรากฏว่าผลการดำเนินงานหลักในประเทศเป็นสิ่งที่ดีมาก
เราใช้การคัดลอกไฟล์ขนาดใหญ่ 44.7GB เข้า Lite T10 พลัส 256GB ภายในไม่ได้ที่จะเริ่มความเร็วในการเขียน 10% จะลดลงและที่เป็น TLC Plus 256GB SLC Cache มีขนาดประมาณ 4GB หลังจากที่ SLC Cache กำลังทำงานหมดความเร็วในการเขียนต้นฉบับของ TLC flash ก็ประมาณ 250MB / s
ความจุแคช SLC เป็นจริงน้อย TLC หน่วยความจำแฟลชความเร็วในการเขียนต้นฉบับและประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์ความจุเดียวกัน
ในฐานะที่เป็นจุดเริ่มต้นของการบงกชในเชิงพาณิชย์ในประเทศ Lite-On T10 Plus 256GB ประสิทธิภาพยังดีมาก แต่ประสิทธิภาพการทำงานของความจุนี้ไม่ใหญ่เท่ากับที่ของทั้งสองต่อมาเราจะได้รับรุ่น 512GB แล้วเราจะ ดูประสิทธิภาพที่ดีขึ้น
