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El mercado de almacenamiento anterior en realidad no era nada doméstico. Aunque hay muchos fabricantes de SSD nacionales, los chips en estos SSD domésticos son compañías extranjeras, y las tecnologías centrales están en manos de otros.
Sin embargo, esta situación pronto terminará. Yangtze River Storage producirá en serie 3D NAND para el uso de SSD el próximo año, pero las SSD domésticas tendrán un dominio más rápido. De hecho, ha habido varios avances en los mercados corporativo y militar. El primer cerebro nacional en el mercado de consumo será Yixin. La tecnología STAR1000, la primera en usar el control principal es Lite-On T10 Plus.
A pesar de su empresa matriz, Lite y Lite es una compañía taiwanesa, pero habían plantado raíces en el continente, y las empresas nacionales de chips de memoria amplían la profundidad de la cooperación, el establecimiento de la Guangzhou 2016 centro Nianguang Symbol Technologies de I + D para apoyar el desarrollo de la industria de los semiconductores interno, el mismo año 7 Yi Bao luz de la luna y el centro de tecnología llegaron a un acuerdo de cooperación para desarrollar conjuntamente maestro interno del núcleo de las unidades SSD de gama alta.
2017 Noviembre lanzado junto Lite T10 Plus en el Centro Nacional de Convenciones y el STAR1000 núcleo de la memoria, y este año con la empresa conjunta Lite-violeta se centró en el desarrollo de dispositivos de almacenamiento interno, tesoro visibles objeto de continuas mejoras recursos invertidos en el continente.
Actualmente Lite T10 Plus de 256 GB ha comenzado a vender en Jingdong, un precio de 739 yuanes , Los primeros 50 amigos que toman el sol también pueden obtener una tarjeta Jingdong E de 50 yuanes.
También obtuvimos este producto por primera vez, pero solo podemos realizar algunas pruebas simplemente por el tiempo limitado de prueba.
El Lite-On T10 Plus es un SSD NVMe M.2 PCI-E con una capacidad de inicio de 256 GB y 512 GB y 1 TB.
El rendimiento de 512 GB y 1TB es el mismo. Ambas lecturas son de 1700 MB / s a 2700 MB / s, lectura aleatoria / escritura de IOPS de 320,000 / 275,000, mientras que el rendimiento de 256 GB es relativamente bajo, leyendo 2500 MB continuamente. / s, escribe 1000MB / s continuamente, lee / escribe aleatoriamente IOPS 160,000 y 145,000, respectivamente.
Desempaquetando ~
Hay un destornillador y tornillos M.2 en los accesorios.
La tuerca M.2 en la placa base tiene Muy íntimo
M.2 2280 Lite T10 Plus utilizando el tipo de disco, M.2 Socket 3 interfaces, ir PCI-E 3.0 x4 canal.
Al igual que el M.2 SSD antes de Liteon, tenía un radiador T10 Plus. El radiador uso del diseño de estilo chino, con el punto culminante de este producto se hace en China maestro.
Incluso la parte posterior de las pegatinas son china del viento, y el otro es unilateral solamente 256 GB de memoria flash, 512 GB y 1 TB son de flash de doble cara
Retire el disipador de calor
El primer núcleo de memoria de control maestro SSD comercial doméstico STAR1000
STAR1000 núcleo de la memoria con el procesador de doble núcleo ARC potente rendimiento utilizando el proceso de fabricación de 28nm de TSMC HPC, proporcionando ayuda de pista de ocho Flash ONFi 4.0 y Toggle DDR 3.0, una memoria flash velocidad de la interfaz 800mt / s, puede soportar hasta 2400MT / s de DDR4 / LPDDR3 caché externa, el maestro máximo secuencial velocidad de lectura de 3 Gb / s, la velocidad de escritura secuencial máxima de 2 GB / s, máximo IOPS de lectura aleatoria y escribir 350K y 300K, respectivamente, leer 90US latencia, escribir retrasar 20us, la potencia pico Menos de 2.5W.
El caché es 512 MB LPDDR3 en el sur de Asia, el número de modelo es NT6CL128M32BM-H2
Lite T10 Plus TLC 3D original utilizando la memoria flash de Toshiba, 256 GB de numeración utilizado anteriormente es TH58TFT0T23BADE, pertenece a la tercera generación de la tercera generación BiCS Toshiba producto 3D64 pila de capas, la capacidad única de 128 GB.
SSD tiene dos luces rojas decorativas en la cola
Esta es la información que se indica con CDI, la versión de firmware actual LTNFW1.1
Prueba de CDM sale Lite-T10 Plus 256GB velocidad de lectura secuencial 2539.7MB / s, velocidad de escritura secuencial de 1000.5MB / s, y sustancialmente coincide con la información en la caja, 4K QD1 velocidad de lectura aleatoria de 57.89MB / s, velocidad de escritura aleatoria de 216.6MB / s Parece que el rendimiento del maestro doméstico es muy bueno.
Utilizamos una gran copia de archivos en 44.7GB Lite T10 Plus de 256 GB en el interior, no comenzó la velocidad de escritura 10% a la baja, y que es La memoria caché SLC TLC Plus de 256 GB tiene un tamaño de aproximadamente 4 GB. Después de que se está acabando la memoria caché SLC, la velocidad de escritura original de la memoria flash TLC es de aproximadamente 250 MB / s.
La capacidad de SLC Cache es en realidad menor, la velocidad de escritura original de la memoria flash TLC y el rendimiento de los mismos productos de capacidad.
A medida que la primera muestra de maestría comercial interna, el rendimiento Lite T10 Plus 256 GB sigue siendo muy bueno, pero esta capacidad no es el rendimiento de gran capacidad de dos tan color de rosa. Más adelante vamos a obtener la versión de 512 GB, y luego vamos a Ver un rendimiento más fuerte.
