Debutto principale SSD nazionale: velocità Jianxing Rui T10 Plus M.2 SSD misurata

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Precedente mercato dello storage in realtà non è altro fatto in Cina. Anche se molti produttori nazionali SSD, ma questi chip sono al di sopra compagnie straniere nazionali SSD, la tecnologia di base nelle mani di altri.

Tuttavia, questa situazione sarà presto finita, stoccaggio Yangtze prossimo anno sarà la produzione di massa per il 3D NAND SSD utilizzati, mentre il controller SSD interno più veloce, infatti, ci sono diverse società e nel mercato militare, il mercato consumer sarà il primo nucleo di memoria maestro domestico Tecnologia STAR1000, il primo uso del master è la Lite T10 plus.

Anche se la sua società madre, Lite e Lite è una società di Taiwan, ma avevano piantato le radici nel continente, e le società nazionali di chip di memoria espandere la profondità della cooperazione, l'istituzione del Guangzhou 2016 Centro Nianguang Symbol Technologies R & S per sostenere lo sviluppo del settore dei semiconduttori nazionale, lo stesso anno 7 Yi Bao chiaro di luna e la tecnologia di base hanno raggiunto un accordo di cooperazione per lo sviluppo congiunto maestro interno il nucleo dei SSD di fascia alta.

Novembre 2017, rilasciato insieme Lite T10 Inoltre presso il Centro Congressi Nazionale e la STAR1000 nucleo di memoria, e quest'anno con la Lite-viola joint venture focalizzata sullo sviluppo di dispositivo di memorizzazione interno, tesoro visibile continuamente migliorato risorse investite nel continente.

Attualmente Lite T10 Inoltre 256GB ha iniziato a vendere in Jingdong, al prezzo di 739 yuan , Capo 50 del sole amici single ricevono anche 50 yuan Jingdong E carta.

Abbiamo anche ottenuto questo prodotto per la prima volta, ma possiamo eseguire solo alcuni test semplicemente a causa dei tempi di test limitati.

Lite-On T10 Plus è un SSD PCIe M.2 PCI-E con capacità di avvio da 256 GB e 512 GB e 1 TB.

Le prestazioni di 512 GB e 1 TB sono le stesse: entrambe le letture di 1700 MB / s a ​​2700 MB / s, IOPS di lettura / scrittura casuale di 320.000 / 275.000, mentre le prestazioni di 256 GB sono relativamente basse, con una lettura continua di 2500 MB. / s, Scrive 1000MB / s in modo continuo, IOPS di lettura / scrittura casuale 160.000 e 145.000, rispettivamente.


Disimballaggio ~


C'è un cacciavite e viti M.2 negli accessori. Il dado M.2 sulla scheda madre ha Molto intimo

Lite-On T10 Plus utilizza il tipo di disco M.2 2280, l'interfaccia M.2 Socket 3 e accetta il canale PCI-E 3.0 x4.

Come l'SSD M.2 prima della Liteon, aveva un radiatore T10 Plus. Questa volta, il radiatore è stato sostituito con un design in stile cinese, evidenziando l'uso dei controlli master domestici.


Anche l'adesivo sul retro è in stile cinese, inoltre, solo 256 GB sono memorie flash unilaterali, entrambi da 512 GB e 1 TB sono memorie flash fronte-retro.


Rimuovere il dissipatore di calore


Il primo nucleo di memoria di controllo principale SSD commerciale domestico STAR1000

STAR1000 nucleo di memoria con il processore dual-core ARC potenti prestazioni usando TSMC ÷ 28 Nm processo di produzione HPC, fornendo supporto corsia otto Flash ONFI 4.0 e Toggle DDR 3.0, una memoria flash velocità dell'interfaccia 800MT / s, in grado di supportare fino 2400mt / s di DDR4 / LPDDR3 cache esterna, il master massima velocità di lettura sequenziale di 3GB / s, la massima velocità di scrittura sequenziale 2GB / s, IOPS massima di lettura casuale e scrivere 350K e 300K, rispettivamente, la latenza 90US leggere, scrivere ritardare 20us, potenza di picco Meno di 2.5W.


La cache è 512MB LPDDR3 in Asia meridionale, il numero di modello è NT6CL128M32BM-H2

Lite T10 più originale TLC 3D utilizzando la memoria flash di Toshiba, numerazione 256 GB usato sopra è TH58TFT0T23BADE, appartiene alla terza generazione della terza generazione BiCS Toshiba prodotto 3D64 strato pila, singola capacità di 128 GB.


SSD ha due luci rosse decorative sulla coda


Questa è l'informazione identificata da CDI.La versione attuale del firmware è LTNFW1.1.

Il test CDM esce Lite-T10 Plus da 256 GB lettura sequenziale velocità 2539.7MB / s, velocità di scrittura sequenziale di 1000.5MB / s, e sostanzialmente corrisponde alle informazioni sulla scatola, 4K QD1 casuale velocità di lettura di 57.89MB / s, velocità di scrittura casuale di 216.6MB / s , Sembra che l'esibizione del maestro domestico sia molto buona.

Abbiamo utilizzato un grande file da 44,7 GB per copiare nel Lite-On T10 Plus da 256 GB e ha iniziato a diminuire dopo il 10% della velocità di scrittura. La SLC Cache da 256 GB TLC Plus ha una dimensione di circa 4 GB. Dopo che la cache SLC si sta esaurendo, la velocità di scrittura originale del flash TLC è di circa 250 MB / s.

La capacità della cache SLC è in realtà inferiore, la velocità di scrittura originale della memoria flash TLC e le prestazioni degli stessi prodotti di capacità.

Come il primo spettacolo del controllo commerciale interno, le prestazioni del Lite-On T10 Plus da 256 GB sono ancora molto buone, ma le prestazioni di questa capacità non sono così grandi come quelle delle due. Avremo una versione da 512 GB più tardi, quindi Guarda le prestazioni più forti.

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