De acuerdo con los informes de los medios coreanos, El proyecto de expansión de la línea de producción de memoria flash NAND Xian de Samsung Electronics se iniciará oficialmente a fines de este mes.
A fines de agosto de 2017, Samsung Electronics anunció que había alcanzado un acuerdo de cooperación con el gobierno provincial de Shaanxi para ampliar la capacidad de memoria flash de la fábrica de la zona de alta tecnología Xi'an y construir un nuevo proyecto de fase II. Invertirá 7 mil millones de dólares en los próximos tres años.
Al mismo tiempo, Samsung también ha aumentado continuamente la inversión en Corea del Sur, y sucesivamente ha construido dos nuevas fábricas, ambas con capacidad de memoria y memoria flash.
En Pyeongtaek, Gyeonggi-do Corea, Samsung tiene una gran fábrica, la producción en masa a mediados de año memoria flash pila 64 capa también puede ser producido, hay una inversión inicial de 15,6 billones de wons para el año 2021 puede duplicar.
Mientras tanto, Samsung sigue siendo el lugar para construir otra fábrica, inversión que asciende al 30 billones de won, se espera que el segundo trimestre que esté terminado en 2019.
La cooperación de Samsung con Xi'an es bastante profunda. A finales de 2013, Samsung invirtió proyecto de construcción de $ 500 millones de dólares tras el proyecto de producción de chips de memoria flash - embalaje y pruebas del proyecto, en abril el año 2015 ha completado y puesto en marcha.
De marzo de 2016, Samsung Semiconductor, sede de las ventas de Samsung en China, Xi'an zona de alta tecnología, Samsung Semiconductor (Xian) Co., Ltd.
De septiembre de 2016, Samsung reposición de $ 370 millones de dólares para iniciar la segunda fase de construcción y envases proyecto de prueba, terminó la primera mitad de 2017.
Actualmente, fábrica de Xian llevan los envases y las pruebas de trabajo chips de memoria flash de Samsung, la capacidad se puede elevar a una producción anual de 10 millones de discos SSD.
