Secondo i resoconti dei media coreani, Il progetto di espansione della linea di produzione di memorie flash Xi'an NAND Samsung Electronics sarà ufficialmente avviato alla fine di questo mese.
Alla fine di agosto 2017, Samsung Electronics ha annunciato di aver raggiunto un accordo di cooperazione con il governo provinciale dello Shaanxi per espandere la capacità di memoria flash della fabbrica di Xi'an High-tech Zone e costruire un nuovo progetto di fase II. Investirà 7 miliardi di dollari negli Stati Uniti nei prossimi tre anni.
Allo stesso tempo, Samsung ha anche aumentato continuamente gli investimenti in Corea del Sud, e successivamente ha costruito due nuove fabbriche, entrambe con memoria, capacità di produzione di memorie flash.
A Pyeongtaek, nel Gyeonggi-do, in Corea del Sud, Samsung ha una grande fabbrica che può produrre 64 memorie flash accatastate a metà di quest'anno e può anche produrre memoria: l'investimento iniziale sarà di 15,6 miliardi di won e raddoppierà entro il 2021.
Allo stesso tempo, Samsung ha anche stabilito un altro stabilimento nell'area, con un investimento di 30 trilioni di won, che dovrebbe essere completato nel secondo trimestre del 2019.
La cooperazione di Samsung con Xi'an è piuttosto profonda. Alla fine del 2013, Samsung ha investito 500 milioni di dollari USA per costruire un progetto di test post-progetto-pacchetto per un progetto di produzione di chip di memoria flash, completato e messo in funzione nell'aprile 2015.
A marzo 2016, Samsung ha fondato il quartier generale delle vendite di Samsung Semiconductor in Cina nella zona high-tech di Xi'an, Samsung Semiconductor (Xi'an) Co., Ltd.
A settembre 2016, Samsung ha aggiunto 370 milioni di dollari USA per avviare la seconda fase del progetto di test del pacchetto e completato la prima metà del 2017.
attualmente, Lo stabilimento di Xi'an è responsabile per il confezionamento e il test dei chip di memoria flash Samsung e la sua capacità di produzione può essere aumentata a 10 milioni di unità a stato solido all'anno.
