Inländische SSD Beware! Samsung Xi'an erweitert Flash-Speicherkapazität: $ 7 Milliarden

Koreanischen Medienberichten zufolge Das Xi'an-NAND-Flash-Speicher-Produktionslinien-Erweiterungsprojekt von Samsung Electronics wird Ende dieses Monats offiziell gestartet.

Ende August 2017 gab Samsung Electronics bekannt, dass eine Kooperationsvereinbarung mit der Regierung der Provinz Shaanxi getroffen wurde, um die Flash-Speicherkapazität der Fabrik in Xi'an High-Tech-Zone zu erweitern und ein neues Phase-II-Projekt aufzubauen. Sie wird in den nächsten drei Jahren 7 Milliarden US-Dollar investieren.

Zur gleichen Zeit hat Samsung auch kontinuierlich Investitionen in Südkorea erhöht und nacheinander zwei neue Fabriken gebaut, beide mit Speicher, Flash-Speicher-Produktionskapazität.

In Pyeongtaek, Gyeonggi-do, Südkorea, hat Samsung eine große Fabrik, die Mitte dieses Jahres 64 gestapelte Flash-Speicher produzieren kann, die auch Speicher produzieren können, die Anfangsinvestition wird 15,6 Billionen Won betragen und sich bis 2021 verdoppeln.

Gleichzeitig hat Samsung mit einer Investition von 30 Billionen Won eine weitere Fabrik in der Region gegründet, die voraussichtlich im zweiten Quartal 2019 fertiggestellt wird.

Samsungs Zusammenarbeit mit Xi'an ist ziemlich tief. Ende 2013 investierte Samsung 500 Millionen US-Dollar in ein Testprojekt für ein Flash-Speicher-Chip-Projekt, das im April 2015 fertiggestellt und in Betrieb genommen wurde.

Im März 2016 gründete Samsung das Samsung-Vertriebszentrum Samsung Semiconductor in der Xi'an High-Tech-Zone, Samsung Semiconductor (Xi'an) Co., Ltd.

Im September 2016 fügte Samsung 370 Millionen US-Dollar hinzu, um mit dem Bau der zweiten Phase des Paketierungstests zu beginnen, die im ersten Halbjahr 2017 endete.

Derzeit Das Werk in Xi'an ist verantwortlich für das Paketieren und Testen von Samsungs Flash-Speicherchips und seine Produktionskapazität kann auf 10 Millionen Solid-State-Laufwerke pro Jahr erhöht werden.

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