1. การตลาด DRAM scrambling: ตราบเท่าที่กำไร Big Three, Intel พบงานอดิเรกใหม่จีนใช้ประโยชน์จากการเพิ่มขึ้น;
เมื่อเร็ว ๆ นี้ บริษัท วิจัย IC Insights เตือนว่าราคา DRAM พุ่งสูงขึ้นและดาวรุ่งของจีนคาดว่าจะใช้ประโยชน์จากโอกาสในการบรรเทาความต้องการที่ถูกกดขี่ข่มเหง
เมื่อพิจารณาจากสถานการณ์ในอดีตตลาด DRAM เป็นตลาดที่มีความผันผวนมากที่สุดในช่วง 2 ปีที่ผ่านมาตลาด DRAM ลดลง 8% ในปี 2016 และ 777 เป็นปี 2017 นี่เป็นตัวอย่างที่ดี .
ในช่วง 30 ปีที่ผ่านมาราคาของ DRAM ลดลงอย่างต่อเนื่องในช่วง 34 ปีตั้งแต่ปีพ. ศ. 2521 ถึงปี 2012 ราคาเฉลี่ยต่อบิตของ DRAM ลดลงในอัตราประจำปีเฉลี่ย 33% อย่างไรก็ตามตั้งแต่ปี 2012 ถึงปี 2017 DRAM เฉลี่ยต่อบิต การลดลงของราคาในปีนี้ลดลงเหลือ 3% ภายในปี 2017 ราคาของ DRAM ลดลงก่อนการกลับรายการซึ่งเป็นการกลับรายการ 47% ซึ่งนับเป็นการเพิ่มขึ้นมากที่สุดนับตั้งแต่ปีพศ.
จากมุมมองของการเพิ่มจำนวนบิต DRAM จำนวนบิต DRAM เพิ่มขึ้น 40% ในปี 2016 และ 20% ในปี 2560 ดังแสดงในรูปที่ 1 ตั้งแต่เดือนพฤษภาคมของปี 2560 ถึงเดือนมกราคมของปี พ.ศ. 2561 9 เดือนบิต DRAM อัตราการเติบโตเฉลี่ยต่อปีของเงินดอลลาร์อยู่ที่ระดับ 13% เท่านั้นในปี 2018 อัตราการเติบโตของจำนวนบิต DRAM จะอยู่ที่ 20%
รูปที่ 1 แสดงราคา DRAM ต่อเดือนสำหรับแต่ละเดือนตั้งแต่มกราคม 2017 ถึงมกราคม 2018 ตามตารางแสดงราคา DRAM ต่อกิกะบิตเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วมกราคม 2018 และมกราคม 2017 เมื่อเทียบกับเดือนราคาเพิ่มขึ้น 47% ไม่ต้องสงสัยเลยว่าผู้ผลิตระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลังปรับตัวเพื่อปรับตัวและปรับตัวให้เข้ากับราคาหน่วยความจำที่พุ่งสูงขึ้น
เช่นเดียวกับสินค้าโภคภัณฑ์ส่วนใหญ่ความต้องการสินค้ามีความยืดหยุ่นซึ่งหมายความว่าการเพิ่มราคาจะช่วยลดความต้องการในขณะที่ราคาที่ต่ำกว่าจะเพิ่มขึ้นและสร้างการใช้ใหม่ตัวอย่างเช่นเมื่อราคาน้ำมันต่ำ ในขณะที่ผู้บริโภคจำนวนมากซื้อ suvs ขนาดใหญ่เพราะมีความกังวลเล็กน้อยเกี่ยวกับประสิทธิภาพของการใช้แกลลอนของน้ำมันเบนซินอย่างไรก็ตามเมื่อราคาน้ำมันเพิ่มขึ้นผู้บริโภคมักจะเลือกแหล่งพลังงานขนาดเล็กหรือทางเลือก (เช่นไฮบริดหรือทั้งหมดไฟฟ้า)
แสดงในรูปที่ 1, ค่าสัมประสิทธิ์สหสัมพันธ์ระหว่างจากมกราคม 2017 เพื่อมกราคม 2018 ระยะเวลาที่ราคาต่อบิตของ DRAM และจำนวนของบิตในการเพิ่มขึ้นของ -0.88. ดังนั้นในขณะที่ผู้ผลิตระบบและไม่เนื่องจากการเพิ่มขึ้นของราคา ลดลงในการจัดส่งของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้ในปริมาณของ DRAM ปัจจุบัน แต่มีจำนวนมากที่มีข่าวลือเกี่ยวกับบางส่วนของผู้ผลิตโทรศัพท์สมาร์ทเพื่อลด DRAM ในรุ่นรุ่นต่อไปมาร์ทโฟนของตัว DRAM ลดลงจาก 5GB 4GB
IC ข้อมูลเชิงลึกเชื่อว่าในปี 2018 เป็นผู้ผลิต DRAM ที่สำคัญควรจะระมัดระวังหากผู้ถือหุ้นมีความสุขฐานลูกค้า DRAM บาดหมางกันต่อไป. ถ้าเริ่มต้นขึ้นในผู้ผลิต DRAM จีนที่จะเปิดตัวในอีกไม่กี่ปีข้างหน้าสินค้าที่มีการแข่งขัน ผู้ใช้ DRAM อาจแห่กันไปที่ซัพพลายเออร์ใหม่เหล่านี้พยายามที่จะกำจัดของแรงกดดันด้านราคาใกล้เข้ามาในขณะนี้. ผู้ผลิต DRAM ปัจจุบันอาจจะตอบโต้หนัก
Violet สามารถร่วมมือกับ Intel เพื่อลดช่องว่างในด้านเทคโนโลยีหน่วยความจำเป็นเวลาสามปีหรือไม่?
เกาหลีใต้สื่อเปิดเผยเมื่อเร็ว ๆ นี้ businesskorea, Tsinghua Unisplendour จะทำงานร่วมกับอินเทลในการพัฒนา 3D NAND ชิปหน่วยความจำแฟลช. มีรายงานว่าตามที่สัญญาระหว่างทั้งสองฝ่ายอินเทลก่อนตัดสินใจที่จะให้เวเฟอร์สำหรับชิปหน่วยความจำแฟลช NAND และจากนั้นให้ 64 ชั้น 3D NAND ชิปหน่วยความจำแฟลช. Intel ด้วยการสนับสนุนผลิตภัณฑ์แฟลชเมมโมรี่ของ Tsinghua Unisplendour ไม่เพียงเพิ่มขีดความสามารถในการแข่งขันในด้านการขาย แต่ยังเพิ่มการรับรู้แบรนด์ในตลาดอีกด้วย
เทคโนโลยีแฟลชนี้จาก Intel, ไมครอนร่วม IMFlash กิจการ แต่ต้นปีหน้าของทั้งสองฝ่ายจะสิ้นสุดความร่วมมือการเพิ่มประสิทธิภาพอิสระของผลิตภัณฑ์และบริการของพวกเขาในขณะที่ Intel จะขายเกือบทุกหุ้นที่ถือโดยไมครอนจากการที่จะหลบหนี. หากอิสระอย่างเต็มที่ที่ถูกผูกไว้ จะส่งผลต่อประสิทธิภาพการผลิตและอุปทานอย่างมากและความต้องการตลาดหน่วยความจำแฟลชในปัจจุบันยังคงสูงอยู่เรื่อย ๆ ดังนั้น Intel จึงต้องการพันธมิตรรายใหม่
สีม่วงเป็นเป้าหมายที่สำคัญในการพัฒนาของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของจีนขอสนับสนุนห้าปีข้างหน้าจีนจะลงทุน 1 ล้านล้านหยวนในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์เป้าหมายก็คือว่าในปี 2025 จะเพิ่มอัตราการพึ่งตัวเองถึง 70% เซมิคอนดักเตอร์ที่นี่เล่นที่สำคัญธรรมชาติ บทบาท. ขณะม่วงได้มีการลงทุน $ 30 พันล้านในการสร้างหน่วยความจำของตัวเองโรงงานหน่วยความจำแฟลชในหนานจิง แต่ยังมีการก่อสร้างของการพัฒนาร่วมกัน SSD Lite และโรงงานผลิตในซูโจว
อินเทลจัดอันดับในชิป NAND หกส่วนแบ่งการตลาดอยู่หลังจาก SK Hynix. อินเทลปีที่ผ่านมาที่จะฟื้นธุรกิจชิปหน่วยความจำหลังจากเลิกธุรกิจ 20 ปีก่อนที่จะเข้าสู่ตลาดอีกครั้ง แต่ยังคงมีระดับสูงทางด้านเทคนิคของ บริษัท ฯ ในปี 2012 ในส่วนแบ่งการแฟลช NAND ตลาดหน่วยความจำในอันดับที่สี่ บริษัท ไมครอนเทคโนโลยีและจาก 64 ปีที่ผ่านมาเริ่มผลิตชั้น 3D NAND ชิปหน่วยความจำแฟลช. อินเทลกำลังพัฒนา 96 ชั้นชิป 3D NAND. นอกจากนี้ IMFlash ยังมีการพัฒนารุ่นใหม่ของ 3D แฟลชชั้นสแต็ค 96 และด้วยความช่วยเหลือของขั้นตอนการผลิต 10nm ความหนาแน่นของกำลังการผลิตจะเท่าตัวจาก 64 ชั้นในปัจจุบันและคาดว่าจะสามารถชำระได้ในอนาคต
บางคนดูตลาดกล่าวว่าช่องว่างระหว่างเทคโนโลยีสิ้นปีนี้ที่จะเริ่มต้นการผลิตจากผู้ผลิตชั้น 32 3D ชิปหน่วยความจำ NAND ชิปจีนและคู่ของเกาหลีใต้เป็นเวลาสามปี. เพราะนี่คือครั้งแรกในปี 2014 ทั่วโลกเดือนสิงหาคมซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ 3D ชั้น 32 ภายในผลิตชิป NAND ที่ในเดือนสิงหาคม 2015 ชิปชั้น 3D 48, 64 ธันวาคม 2016 ชิปชั้น. บิตระดับที่สูงขึ้นและชิป NAND ซ้อนกัน 3 มิติต้องมีระดับที่สูงขึ้นของเทคโนโลยี. ดังนั้น เวลาและพลังงานเพียงอย่างเดียวไม่สามารถลดช่องว่างทางเทคโนโลยีได้
แต่ผ่านความร่วมมือกับ Intel, จีนคาดว่าจะได้อย่างรวดเร็วหรือช่องว่างด้านเทคโนโลยีระหว่างเกาหลีผู้ผลิตชิปหน่วยความจำภัยคุกคามรวมทั้งซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์รวมทั้งจีนจะสามารถที่จะเผยแพร่ที่มีประสิทธิภาพสูงผลิตภัณฑ์ NAND 3D ล่วงหน้าคาดว่าในครั้งแรกที่สองถึงสามปีก่อนที่จะนำต่ำสิ้นสุด ผลิตภัณฑ์
"ความร่วมมือของจีนกับอินเทลอาจทำให้เกิดอุปทานส่วนเกินและเป็นอันตรายต่อระบบนิเวศของอุตสาหกรรมแฟลช NAND ทั้งหมด" เจ้าหน้าที่จากอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของเกาหลีใต้กล่าวว่า "Samsung Electronics และ SK Hynix กำลังเฝ้าดูเนื่องจากคู่แข่ง" การขยายตัวของ NAND ที่สภาวะตลาดอาจกลายเป็นเลว. มันอาจเพิ่มขึ้นสถาบันการลงทุนทั่วโลกยืนยันว่าราคาของชิป NAND จะลดลง.
นอกเหนือไปจาก Intel, ประเทศจีนก็ยังพยายามที่จะสร้างความร่วมมือทางวิชาการกับโตชิบา. โตชิบาต้องได้รับอนุมัติจากหน่วยงานกำกับดูแลการต่อต้านการผูกขาดจีนเพื่อที่จะขายหน่วยชิปหน่วยความจำในการสมาคมนำโดยเบนเมืองหลวงรวมทั้ง SK Hynix เพื่อให้จีนใช้นี้จะทำให้หนึ่งชนิดของการทำธุรกรรมทดแทนกับโตชิบา. อุตสาหกรรมเชื่อว่าเงื่อนไขดังกล่าวอาจจะเป็นจีนอาจจะต้องให้ความร่วมมือทางวิชาการหรือเสนอผลิตภัณฑ์โตชิบา. ราคาหน่วยความจำได้พุ่งตั้งแต่ปี 2016 ประเทศจีนของ บริษัท โทรศัพท์สมาร์ท ความต้องการหน่วยความจำเซมิคอนดักเตอร์ไม่ได้รับการจัดหาอย่างเพียงพอและ บริษัท เหล่านี้ก็ไม่พอใจอย่างมาก
ชื่อเรื่องข้างนอก
สำหรับสองปีที่ผ่านมาอุตสาหกรรมการจัดเก็บของการเคลื่อนไหวของราคาที่แข็งแกร่งได้รับอิทธิพลอย่างมากในการพัฒนาของอุตสาหกรรมโทรศัพท์สมาร์ทในประเทศเป็นอุตสาหกรรมชิป IC ทั้งในขณะนี้คือไม่ว่าจะเป็นด้านเงินทุนกับผู้บริโภคหรือขั้วห่วงโซ่อุตสาหกรรมข่าวหน่วยความจำที่เกี่ยวข้องกับการมีความไวผิดปกติและ ระมัดระวังเมื่อเร็ว ๆ นี้ซีอานสีม่วง Guoxin ชิปหน่วยความจำบน DDR4 กระตุ้นความกังวลที่ดี
ความคืบหน้าของอุตสาหกรรมหน่วยความจำเซมิคอนดักเตอร์ในประเทศหมายถึงการชั่งเป็นลักษณะโดยมีการสนับสนุนประเทศที่แข็งแกร่งอยู่เบื้องหลังอำนาจที่จะเข้าสู่วงการนี้พัฒนาโดยรวมของอุตสาหกรรมหน่วยความจำคือไม่ต้องสงสัยมีบทบาทสำคัญในการส่งเสริมการหลังจากที่ทุกธุรกิจนี้ในขณะนี้ได้เข้าเกือบ oligarchs ที่ สถานการณ์การแข่งขัน. จากพลังงานสากลของวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีหลาย ๆ คนคนจีนจำนวนมากเกี่ยวกับความคืบหน้าในประเทศจีนมีความสุขที่จะเห็นความทรงจำของซ้ำ. มุมมองอื่น ๆ ที่หน่วยความจำในประเทศในลักษณะความถี่สูงเข้ากันได้ ฯลฯ ทุกคนอาจประสบปัญหามากไม่ว่าจะสามารถดึงดูดลูกค้าได้มากพอหรือไม่ก็ตามความสามารถในการทำกำไรและความสามารถในการกำหนดราคาจะต้องผ่านการทดสอบและอาจมีผลกระทบไม่มากนักในตลาด
ทั้งสำหรับอูหลงผิดหวังมาก่อนหน้าข้อความหรือการพิสูจน์อนุภาค DDR4 ผ่าน CPU-Z ตรวจสอบของความสุขเช่นเดียวกับด้านของช่องการทะเลาะวิวาทในร้าน Taobao หัวใจของผู้อ่านพร้อมกับน้ำท่วมของข่าวการอัพและดาวน์. สำหรับการ สีม่วงเป็นตัวแทนของหน่วยความจำภายในประเทศและแม้แต่อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ในประเทศทั้งการประเมินผลบนอินเทอร์เน็ตไม่เหมือนกันพร้อมกับการล้มล้างอย่างต่อเนื่องของข่าวคนในอุตสาหกรรมที่มีในแง่ดีและแง่ร้ายอารมณ์ขัดแย้งรุนแรงสลับกัน
2 อุตสาหกรรมชิปจีนการจัดเก็บ, แซง, การแนะนำความสามารถเป็นทางลัด;
IC Insights บริษัท วิจัยตลาดเซมิคอนดักเตอร์ประกาศเมื่อเร็ว ๆ นี้ว่าตลาดชิปหน่วยความจำระหว่างประเทศจะสิ้นสุดลงในปีนี้เนื่องจากเหตุผลหลัก ๆ ที่ บริษัท จีนจะดำเนินการจัดเก็บข้อมูลภายในสิ้นปีนี้ การผลิตชิพขนาดใหญ่
แนวโน้มของอุตสาหกรรมชิปหน่วยความจำของเราไม่เพียง แต่ส่งผลกระทบต่อตลาดเซมิคอนดักเตอร์ระหว่างประเทศทั้งซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ได้กลายเป็น SK Hynix ชิปหน่วยความจำและการผูกขาดอื่น ๆ กำไรและราคาหุ้นตัวแปรที่ใหญ่ที่สุดได้เสมอที่จะอยู่ข้างหน้าในพื้นที่นี้ บริษัท เกาหลีรู้สึกจริง ภัยคุกคาม. สื่อเมื่อเร็ว ๆ นี้ชาวเกาหลีใต้ "เกาหลีเศรษฐกิจรายวัน" ถึง "ความเร็วเต็มรูปแบบของการเพิ่มขึ้นของเซมิคอนดักเตอร์ของจีนรายงานการพัฒนาอย่างรวดเร็วของอุตสาหกรรมชิปหน่วยความจำจีน. รายงานว่าภายใต้นโยบายของรัฐบาลจีนและการสนับสนุนทางการเงินของจีน บริษัท ชิปหน่วยความจำที่มีน้อยกว่า 3 ปีที่ผ่านมามีการเติบโตถึง 20 ปีกับการผลิตของธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์ของไต้หวันเทียบได้กับระดับของ บริษัท เกาหลีควรระวังของปีซัมซุงแซงญี่ปุ่นไปยังผู้ประกอบการจีนที่แม่น้ำแยงซีอยู่นอกเหนือหน่วยความจำยาวเหอเฟย์ซินและ บริษัท อื่น ๆ
จีนประกาศใช้ "ชาติ IC สรุปส่งเสริมอุตสาหกรรม" ในปี 2014 หลังจากที่รัฐบาลและผู้ประกอบการในปีที่ผ่านมาของความพยายามความเพียรและการลงทุนได้จัดตั้งหน่วยความจำสามเซมิคอนดักเตอร์ R & D และฐานการผลิตคือการจัดเก็บแยงซีเหอเฟย์ยาวและฝูเจี้ยนซินจิน จีน. ตอนนี้ทั้งสามฐานเป็นชิปหน่วยความจำจะก้าวขึ้นการก่อสร้างของชิปหน่วยความจำที่โรงงานในท้องถิ่นคาดว่าเป็นช่วงต้นครึ่งหลังของปี 2018 จะมีโรงงานชิปหน่วยความจำเริ่มต้นการผลิต. ในคำอื่น ๆ 2018 จะกลายเป็นกระแสหลักของการพัฒนาของชิปหน่วยความจำจีนทำ ปีแรกของปี
ชิปหน่วยความจำจะมีอยู่มาก NAND Flash และ DRAM. NAND Flash หน่วยความจำแฟลชเป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนที่ยังคงสามารถบันทึกข้อมูลหลังจากความล้มเหลวของอำนาจเช่นไดรฟ์ของรัฐที่มั่นคงบนโทรศัพท์บน / 32G หน่วยความจำแฟลช 16G / 64G และคอมพิวเตอร์ การใช้ NAND Flash DRAM เป็นหน่วยความจำเข้าถึงแบบไดนามิกสามารถเก็บข้อมูลไว้ได้ในระยะเวลาอันสั้นและการปิดระบบจะสูญเสียข้อมูลคอมพิวเตอร์จะใช้หน่วยความจำ 4G / 8G / 16G เป็น DRAM
ตามที่ผู้สื่อข่าวเข้าใจของแม่น้ำแยงซีจะเป็นหลักผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ NAND Flash, ฝูเจี้ยน Jinhuagong และเหอเฟย์ซินใส่ยาวกำหนดเป้าหมาย DRAM. ทั้งสาม บริษัท ในเร็วจัดเก็บแยงซีซึ่งประกอบด้วย Unisplendour กลุ่มและวงจรรวมอุตสาหกรรมกองทุนรวมที่ลงทุนแห่งชาติ การจัดตั้ง บริษัท ร่วมทุนถือเป็นประเทศจีนอุตสาหกรรมชิปหน่วยความจำซึ่งเป็นระดับสูงสุดของผู้ประกอบการด้านเทคนิคและการเงินในช่วงครึ่งหลังของปีที่ผ่านมาการพัฒนาธนาคารของรัฐและแกนสีม่วงของการลงทุนในประเทศจีนเป็นจำนวนเงินรวม 150,000,000,000 หยวนของเงินทุนครั้งนี้เป็นสีม่วงแก้โรงงานชิปหน่วยความจำ เงินทุนที่ให้การป้องกันที่สำคัญ. เนื่องจากการปัญหาทางเทคนิคต่ำค่อนข้าง NAND Flash DRAM หน่วยความจำของแม่น้ำแยงซีจะกลายเป็นการผลิตมวลแรกของชิปหน่วยความจำผู้ประกอบการจีนในขณะที่อีกสอง บริษัท เพื่อให้เกิดการทดลองการผลิตสินค้าในปีนี้คาดว่าจะ การผลิตมวลอย่างเป็นทางการในปีถัดไป
ถึงแม้ว่าเราเร็ว ๆ นี้จะมีการทำที่บ้านชิปหน่วยความจำของตัวเอง แต่ บริษัท เทคโนโลยีชิปหน่วยความจำของเราและ บริษัท ชั้นนำต่างประเทศก็ยังคงเป็นช่องว่างกว้าง. ตามการวิเคราะห์มืออาชีพเกาหลีอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ถ้าปริมาณการผลิตการจัดเก็บแยงซีในช่วงเวลาที่ซัมซุงอิเล็กทรอนิคส์ชั้นนำของเทคโนโลยีแม่น้ำแยงซีเกียง ความแตกต่างคือ 4--5 ปีและเป็นเวลานานเหอเฟย์ซินเป็น 68 ปี, ฝูเจี้ยนจินหัวเว่ย 8-10 ปีและ SK Hynix ของช่องว่างเทคโนโลยีที่แตกต่างกันตามแต่ละสถานการณ์ของ บริษัท ประมาณร่น 1--2 ปี ในการพิจารณาการผลิตมวลของ DRAM และฝูเจี้ยนซินเหอเฟย์ยาว Jinhuagong คาดว่าหนึ่งปีต่อมากว่าการจัดเก็บข้อมูล NAND ของแม่น้ำแยงซีก็สามารถตรวจสอบช่องว่างระหว่างจีนและเกาหลีใต้เทคโนโลยี NAND เป็นเวลาห้าปีที่ผ่านมา DRAM 10 ปี
เป็นเวลานานในตลาดชิปหน่วยความจำจะถูกผูกขาดโดยไม่กี่ บริษัท ต่างประเทศที่มีขนาดใหญ่. ตลาด NAND Flash ในความร่วมมือกับค่ายซัมซุงและโตชิบาสลับ DDR และอินเทลและไมครอนนำโดยโฮลดิ้งค่าย ONFI, Samsung, Toshiba, SanDisk, ไมครอน, SK Hynix และอื่น ๆ ที่ต่างประเทศ ยักษ์ใหญ่ในบัญชีกว่า 80% ส่วนแบ่งการตลาดที่ซัมซุงเป็นผู้นำในส่วนแบ่งการตลาดประมาณ 38%
ในตลาด DRAM, ซัมซุง, SK Hynix ไมครอนครองส่วนแบ่งการตลาดที่สำคัญ. ส่วนแบ่งการตลาดของซัมซุงเกือบครึ่งหนึ่งส่วนแบ่งการตลาด SK Hynix ของเกือบ 30% เมื่อเทียบกับการจัดอันดับของส่วนแบ่งการตลาดของไต้หวัน 4-6 ผลรวมของส่วนแบ่งการตลาดผู้ขายระบบเป็นเพียงประมาณ 5%
มันสามารถเห็นซัพพลายเออร์ชิปหน่วยความจำถูกควบคุมแน่นอยู่ในมือของไม่กี่ บริษัท และมีชนะจะใช้เวลาของปรากฏการณ์ซึ่งสำหรับการปกครองแบ่งการตลาดของ บริษัท ต่างประเทศที่เป็นประโยชน์มากสำหรับล่าจะเสียเปรียบมาก วิธีการได้รับเทคโนโลยีหลัก, การลดช่องว่างระหว่างวัยในเร็ว ๆ นี้เทคโนโลยีกลายเป็นสิ่งสำคัญ
กว่า บริษัท ที่ผ่านมาจีนได้พยายามที่จะได้รับเทคโนโลยีที่ทันสมัยผ่านการควบรวมข้ามพรมแดน. แต่ทั้งหมดตามประเทศตะวันตกที่มีเทคโนโลยีสูงไปยังประเทศจีนเฉียบขาดปกป้องการซื้อสีม่วงไมครอนและพยายามที่จะพยายามที่จะ SanDisk ผ่านการเข้าซื้อกิจการของ Western Digital และซื้อกิจการต่อไปจะเสียชีวิตในที่สุด. ธุรกิจโตชิบาขายการจัดเก็บยัง ผู้ซื้อจีนรักษาที่แตกต่างกัน. ตามของญี่ปุ่นอาซาฮีชิมบุนรายงานว่ารัฐบาลญี่ปุ่นเริ่มการพิจารณาหากมีการขายให้กับแผ่นดินใหญ่หรือ บริษัท ไต้หวันโตชิบาจะแนะนำให้ระงับหรือพิจารณาตามอัตราแลกเปลี่ยนเงินตราต่างประเทศและกฎหมายการค้าต่างประเทศ
จากมุมมองนี้การเข้าซื้อกิจการของถนนในต่างประเทศไม่สามารถเปิดการแนะนำของบุคลากรทางเทคนิคหลักจากต่างประเทศที่จะเป็นทางเลือกที่เหมาะสมภายใต้สถานการณ์ปัจจุบันนี้จะเป็นอุตสาหกรรมชิปหน่วยความจำภาษาจีนเพื่อให้บรรลุมุมแซงทางลัดในอนาคตอันใกล้
นักข่าวชาวเกาหลีใต้จากเพื่อนได้ยิน บริษัท เซมิคอนดักเตอร์เกาหลีเนื่องจากการแนะนำของความสามารถที่จะบรรลุกรณีตีโต้จริงในปัจจุบัน บริษัท ชิปหน่วยความจำรายใหญ่ที่สุดอันดับสองของโลก Hynix ที่จุดเริ่มต้นของศตวรรษนี้กำลังจะล้มละลายเกือบไมครอนได้มา แต่ บริษัท มีบทบาทสำคัญจากชายคนหนึ่งชื่อ Choi Jin-Seok วิศวกรอาวุโสของแผนกเซมิคอนดักเตอร์ของซัมซุงได้รับการว่าจ้างและเขานำทีมงานด้านเทคนิคของผู้ชายผ่านนวัตกรรมเทคโนโลยีในน้อยกว่าสองปีที่ผ่านมาจะช่วยเพิ่ม บริษัท R & D ความสามารถในระดับเดียวกันกับซัมซุง แม้โลกภายนอกได้รับข่าวลือผลิตภัณฑ์ Hynix เสียค่าใช้จ่ายน้อยกว่าซัมซุง, Hynix ความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีทำให้กลับมาจากความตาย
ในความเป็นจริง บริษัท จีนเริ่มงานนำเสนอพรสวรรค์แล้วความสามารถของเซมิคอนดักเตอร์ของไต้หวันกลายเป็นเป้าหมายสำหรับผู้บริหารแผ่นดินใหญ่โดยเฉพาะอย่างยิ่งหลังจากที่ไมครอนเข้ารับตำแหน่งย่อยของ Huayake คนที่ไม่มั่นคงภายในของ Huayike และวิศวกรจำนวนมากได้รวมตัวกันเพิ่มขึ้นเพื่อจัดเก็บข้อมูลของจีน Chip บริษัท อาจกล่าวได้ว่าแม่นยำเนื่องจากการไหลเข้าของความสามารถชาวไต้หวัน บริษัท จีนได้อย่างรวดเร็วทันกับการก้าวของ บริษัท เซมิคอนดักเตอร์ของไต้หวันและเป็นแรงผลักดันการพัฒนาอุตสาหกรรมชิปหน่วยความจำของจีน
อย่างไรก็ตามเราควรเห็นด้วยว่าเทคโนโลยีของไต้หวันไม่สามารถแข่งขันกับ บริษัท ของเกาหลีใต้และ บริษัท อเมริกันปัจจุบัน บริษัท ชิปหน่วยความจำของไต้หวันที่รอดชีวิตส่วนใหญ่เป็น DRAM แบบ low-end ที่ Samsung Electronics และ SK Hynix ไม่ต้องการผลิต ในอนาคตเทคโนโลยีของไต้หวันจะช่วย จำกัด ช่องว่างระหว่างจีนกับเทคโนโลยีชิปหน่วยความจำขั้นสูงของโลกดังนั้นการหาวิธีที่จะนำเสนอความสามารถระดับสูงจากผู้ผลิตเกาหลีที่เชี่ยวชาญด้านเทคโนโลยีหลักอาจเป็นคำถามที่ บริษัท จีนต้องพิจารณาอย่างจริงจัง
3. ระดับใหม่ของนวัตกรรมในการก่อสร้างเมืองเซียะเหมิ
ผู้สื่อข่าวเมื่อวานนี้จากวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีเทศบาลสำนักได้รับแจ้งไม่กี่วันที่ผ่านมากระทรวงอุตสาหกรรมและเซียะเหมิรัฐอย่างเป็นทางการตกลงที่จะสร้างชาติ 'ไฟหลักสองฐานตี (แพลตฟอร์ม) เมืองกลายเป็นหนึ่งในประเทศที่ได้รับการอนุมัติการก่อสร้างของเจ็ดเมือง. ฉันจะสร้างแพลตฟอร์ม เมืองแบบบูรณาการประกอบการออกแบบวงจรโดยเฉพาะอย่างยิ่งผู้ประกอบการขนาดกลางและเล็กเพื่อให้สภาพแวดล้อมที่ดีในการสร้างสรรค์นวัตกรรมและผู้ประกอบการอุตสาหกรรมวงจรรวมเพื่อส่งเสริมการพัฒนาอย่างต่อเนื่องและรวดเร็ว. ได้รับการอนุมัติการก่อสร้างของชาติ 'ไฟหลักสองฐานตี (แพลตฟอร์ม) และเมืองวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีนวัตกรรมเพื่อนำไปสู่อุตสาหกรรมในการอัพเกรด ความสำเร็จที่โดดเด่นจะแยกออก. ตั้งแต่สิบเก้าแห่งชาติพรรคคองเกรสเมืองอย่างละเอียดใช้นวัตกรรมทางวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีคมในฝักยุคใหม่ของลักษณะจีนคิดสังคมนิยมและสิบเก้าสภาคองเกรสของ CPC อย่างใกล้ชิดรอบอาคารรัฐบาลแห่งชาติ 'ห้าการพัฒนาแบบจำลองเมือง แผนกลยุทธ์การฝูโจวเซียะเหมิสปริงชาติโซนสาธิตนวัตกรรมอิสระ (พื้นที่เซียะ) การพัฒนาภาคกลางด้านอุปทานการผลักดันการปฏิรูปโครงสร้างไปข้างหน้าในสาขาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีนวัตกรรมและผู้ประกอบการที่จะเพิ่มประสิทธิภาพสภาพแวดล้อมระบบนิเวศและส่งเสริมวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีการถ่ายโอนความสำเร็จและการเปลี่ยนแปลงเพื่อนำไปสู่อุตสาหกรรมใหม่เพื่อเร่งการเจริญเติบโตของนวัตกรรมเทคโนโลยี บูรณาการเข้าสู่สนามรบหลักของการพัฒนาเศรษฐกิจและสังคม, การก่อสร้างเมืองที่เป็นนวัตกรรมใหม่ในระดับใหม่, การเขียนบทใหม่
ตั้งแต่ปีที่แล้วกลุ่มของมุมมองพราวของความสำเร็จของนวัตกรรมทางวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีของเมือง: ในสิบอันดับประเทศที่ได้รับการอนุมัติการก่อสร้างของเมืองที่จะสร้างเมืองทางปัญญา, การก่อสร้างในแปดเมืองใหญ่ในการให้บริการการทำงานของระบบทรัพย์สินทางปัญญาสิทธิในทรัพย์สินทางปัญญาที่ครอบคลุมการปฏิรูปการจัดการเมืองนำร่องนวัตกรรมทางวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีในเมืองจีน ดัชนีการจัดอันดับที่ 11 ประเทศจีนนวัตกรรมและผู้ประกอบดัชนีการจัดอันดับที่ 9 ...... ในปีที่ผ่านมาเทคโนโลยีของเมืองและนวัตกรรมเพื่อนำการดำเนินงานอย่างต่อเนื่องของนวัตกรรมทางวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีในการปรับปรุงนวัตกรรมด้านวิศวกรรมวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีเพื่อนำไปสู่อุตสาหกรรมในการอัพเกรดความสำเร็จของการทำเครื่องหมาย. สถิติที่เกี่ยวข้องแสดง 2017 ในเมืองได้ลงทุนเงินทุนรวมของ 1451000000 หยวนวิทยาศาสตร์เทศบาลการเงินและเทคโนโลยีวิทยาศาสตร์แห่งชาติและกองทุนเทคโนโลยีกว่า 1.1 พันล้านหยวนคาดว่าจะนำไปสู่การลงทุนในสังคมทั้งในการวิจัยและพัฒนา (R & D) ของเกือบ 14 พันล้านหยวนคิดเป็นประมาณ 3.25% ของ GDP. เทคโนโลยีมูลค่าการซื้อขายสัญญาสาม ในรอบเกือบสามเท่าเกือบ 7 พันล้านหยวนในปีที่ผ่านสิทธิบัตรที่ถูกต้องของเมืองต่อล้านคนมีความจุ 23.5 ขณะที่ค่าเฉลี่ยของจังหวัด 3 ครั้ง 2.4 เท่าของสิทธิบัตรระดับชาติที่ได้รับเพิ่มขึ้นมากที่สุดในหมู่คนแรกที่เมืองย่อยจังหวัด ครั้งที่สอง
อุตสาหกรรมไฮเทคของเมืองได้กลายเป็นเครื่องมือใหม่ของการพัฒนาทางเศรษฐกิจและสังคมที่มีคุณภาพสูง. ปีที่ผ่านมาเมืองตระหนักสุทธิใหม่ บริษัท เทคโนโลยีชั้นสูง 200 บริษัท เทคโนโลยีชั้นสูงของเมืองถึงตอนนี้ 1425 จังหวัดคิดเป็น 46.6%. ผู้ประกอบการที่มีเทคโนโลยีสูง การพัฒนาอย่างรวดเร็วและการขยายตัวของกลุ่มที่มีส่วนร่วมในอุตสาหกรรมเทคโนโลยีชั้นสูงในการพัฒนาเศรษฐกิจและสังคมได้กลายเป็นที่โดดเด่นมากขึ้น. ปีที่ผ่านมามูลค่าการส่งออกอุตสาหกรรมของอุตสาหกรรมไฮเทคระเบียบ 424,138,000,000 หยวนคิดเป็นมูลค่าการส่งออกอุตสาหกรรมของเมืองของการปฏิบัติตาม 71.71%
ในขณะเดียวกันอุตสาหกรรมใหม่รูปแบบใหม่ที่มีการเร่งการก่อตัวของจุดเติบโตทางเศรษฐกิจใหม่และอุตสาหกรรมชีวภาพยาใหม่ได้กลายเป็นมาตรฐานของไฮไลท์มากที่สุดในอุตสาหกรรมความสามารถนวัตกรรมอิสระของเมือง - ชุดทดสอบชุดเอชไอวีได้รับนำไปใช้ใน 42 ประเทศ จำนวนเงินกว่า 500 ล้านคน; สาขาสามของโลกวัคซีนมะเร็งปากมดลูกเป็นครั้งแรกของประเทศที่ได้เสร็จสิ้นขั้นตอนที่ประยุกต์ใช้ทางคลินิก III สำหรับรายชื่อ ...... และทั้งอุตสาหกรรมในปี 2017 คาดว่าจะถึงรายได้ธุรกิจหลัก 64.6 พันล้านหยวนซึ่งยอดขายของผู้ประกอบการที่มีประสิทธิผล อุตสาหกรรม IC ถึง 48900000000 หยวนจ่ายเงินออก - สมานวงจรรวมในการดำเนินการกับการผลิตวงจรหลักบูรณาการในปี 2017 กฎระเบียบของเมืองกับค่าแบบบูรณาการการส่งออกผู้ประกอบการวงจรของ 14377000000 หยวนเพิ่มขึ้นร้อยละ 38.39 อันดับแรกในระดับประเทศ โวลต์วัสดุห่วงโซ่สารประกอบเซมิคอนดักเตอร์จะเกิดขึ้นกับผู้ optoelectronic ดันวันฮันกลายเป็นสูงอุณหภูมิสูงและความถี่สูงรุ่นที่สามของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ตัวแทนจากการก่อตัวเริ่มต้นของขนาดการผลิตซิลิกอนคาร์ไบด์, พลังงานไฟฟ้าสำหรับเรา การพัฒนาเทคโนโลยีการสื่อสาร 5G ให้การสนับสนุนอย่างมาก