1. Le brouillage du marché des DRAM: Tant que les trois gros profits, Intel trouve un nouveau passe-temps, la Chine profite de la hausse;
Collection de nouvelles de micro-réseau (compilation / Danyang, Le Chuan) Récemment, le cabinet de recherche IC Insights a averti que les prix de DRAM ont grimpé en flèche, l'étoile montante de la Chine espère saisir l'occasion pour alléger la demande a été supprimée.
Tout au long de l'histoire de la tendance, le marché DRAM est la plus grande partie des principaux segments de circuits intégrés volatilité des marchés au cours des deux dernières années, le marché DRAM 2016 est en baisse de 8% en 2017 et a augmenté de 77%, ce qui est un bon exemple .
Au cours des 30 dernières années, les prix des DRAM ont continué à baisser, que 1978-2012 de 34 ans, le prix moyen DRAM par bit diminuera à 33% le taux annuel moyen. Toutefois, 2012-2017, DRAM moyenne par bit baisse des prix l'année réduit à 3% en 2017, les prix des DRAM a chuté renversement de tendance avant, mais hausse de 47%, le plus élevé depuis 1978, la plus forte augmentation.
Il semble à partir du nombre de la croissance de bit DRAM en 2016 le nombre de bits DRAM croissance de 40% en 2017 à 20%. Comme le montre, à partir de neuf mois en mai 2017 au janvier des années 2018, DRAM bit illustré à la figure 1 Le taux de croissance annuel moyen du montant en dollars est seulement de 13% En 2018, le taux de croissance du nombre de bits DRAM se maintiendra à 20%.
La figure 1 montre également la période de mois DRAM à partir de Janvier 2017 à Janvier 2018, le prix par gigaoctet. Comme le montre, chaque prix des DRAM gigabit ont augmenté fortement, en Janvier 2018 et 2017 1 Comparé au mois, le prix a augmenté de 47% et il ne fait aucun doute que les fabricants de systèmes électroniques se démènent pour s'adapter et s'adapter au prix de la mémoire qui monte en flèche.
DRAM est souvent considérée comme une marchandise semblable à l'huile. Et la plupart des produits, la demande est élastique, ce qui signifie que la hausse des prix freineront la demande, la baisse des prix va augmenter et créer de nouvelles applications. Par exemple, lorsque les prix du pétrole sont faibles quand, de nombreux consommateurs achètent de grandes suv, parce que presque aucune inquiétude quant à l'efficacité de l'utilisation d'un gallon d'essence. Toutefois, lorsque les prix du pétrole augmentent, les consommateurs ont tendance à choisir plus ou moins des sources d'énergie alternatives (comme hybrides ou tout électrique) voitures.
Montré à la figure 1, le coefficient de corrélation entre de Janvier 2017 pour la période Janvier 2018, le prix par bit de DRAM et le nombre de bits dans une augmentation de -0,88. Ainsi, alors que le fabricant du système et non en raison de la hausse des prix la diminution des livraisons d'appareils électroniques actuellement utilisés dans la quantité de DRAM, mais il y a beaucoup de rumeurs au sujet de certains des fabricants de téléphones intelligents pour réduire DRAM sur les modèles de la prochaine génération, DRAM intégré du téléphone intelligent est tombé de 5 Go 4 Go.
IC Insights estime qu'en 2018, un des fournisseurs de DRAM principaux devraient faire attention, si les actionnaires plus heureux, plus aliénée de clients DRAM. Si le démarrage des fabricants de DRAM chinois pour lancer dans les prochaines années un produit compétitif , les utilisateurs peuvent DRAM se ruent sur ces nouveaux fournisseurs, en essayant de se débarrasser des pressions sur les prix actuellement imminente. les fabricants de DRAM actuels peuvent être soumis à des représailles lourdes.
Violet peut-il coopérer avec Intel pour réduire l'écart de la technologie de la mémoire pendant trois ans?
Sud médias coréens businesskorea récemment divulgué, Tsinghua Unisplendour travaille avec Intel pour développer des puces de mémoire flash NAND 3D. Il est rapporté que, selon le contrat entre les deux parties, Intel a décidé d'abord fournir des plaquettes pour des puces de mémoire flash NAND, puis fournir un puces de mémoire flash NAND 3D 64 couche. Intel Avec le soutien des produits de mémoire flash de Tsinghua Unisplendour, il peut non seulement accroître sa compétitivité dans les ventes, mais aussi augmenter sa notoriété sur le marché.
Cette technologie flash d'Intel, IMFlash joint-venture Micron, mais l'année prochaine, les deux parties se terminera la coopération, l'optimisation indépendante de leurs produits et services, alors que Intel va vendre la quasi-totalité des actions détenues par Micron dont s'échapper. Si elles sont liées totalement indépendante Cela affectera grandement la productivité et l'approvisionnement, et la demande actuelle pour le marché de la mémoire flash continue d'être élevée, et Intel a donc un besoin urgent d'un nouveau partenaire.
La violette est une cible clé dans le développement de l'industrie des semi-conducteurs de la Chine appuient fortement les cinq prochaines années, la Chine va investir 1 billion de yuans dans l'industrie des semi-conducteurs, l'objectif est que d'ici 2025 augmentera le taux d'autosuffisance à 70% semi-conducteurs, joue ici un naturel critique rôle. actuellement, violet a investi 30 milliards $ pour construire sa propre mémoire, l'usine de mémoire flash à Nanjing, mais aussi avec la construction de SSD Lite développement commun et des installations de fabrication à Suzhou.
Intel classé dans la puce NAND sixième des parts de marché, situé après SK Hynix. Intel l'année dernière pour reprendre l'activité de puces mémoire, après avoir renoncé à l'entreprise d'entrer sur le marché il y a 20 ans encore, mais a encore un haut niveau technique de la société en 2012 de la part classé quatrième Micron Technology sur le marché de la mémoire flash NAND entreprises, et de 64 l'année dernière a commencé à produire la couche des puces de mémoire flash NAND 3D. Intel développe actuellement 96 couches puces NAND 3D. en outre, IMFlash développe également une nouvelle génération d'empilement de couches 3D flash 96 , Et avec l'aide du processus de fabrication 10nm, la densité de capacité sera le double de celle de 64 étages actuels, et il est prévu de régler à l'avenir.
Certains observateurs du marché ont dit que le fossé technologique entre la fin de cette année pour commencer la production de 32 couche puce de mémoire NAND 3D fabricant de puces chinois et leurs homologues sud-coréens pendant trois ans. En effet, la première fois en Août 2014 dans le monde entier Samsung Electronics couche 3D 32 au sein de la production de puces NAND, en Août 2015 pour la couche de puce 3D 48, 64 Décembre puce couche 2016. bits de niveau supérieur et la puce empilés 3D NAND, ont besoin d'un niveau de technologie supérieure. Ainsi, Le temps et les efforts ne peuvent à eux seuls réduire l'écart technologique.
Cependant, grâce à la collaboration avec Intel, la Chine devrait réduire rapidement l'écart technologique entre les fabricants de puces de mémoire Corée menace dont Samsung Electronics, y compris la Chine sera en mesure de publier des produits NAND 3D de haute performance à l'avance, prévu dans les deux à trois premières années avant l'introduction de bas de gamme produits.
Le cabinet d'études de marché Market Realist a déclaré: "Les relations entre la Chine et Intel pourraient conduire à une offre excédentaire et nuire à l'écosystème de l'industrie Flash NAND." Un représentant de l'industrie sud-coréenne des semi-conducteurs: Samsung Electronics et SK Hynix regardent l'expansion NAND, les conditions du marché pourrait se détériorer. il peut augmenter les institutions d'investissement mondiaux soutiennent que le prix des puces NAND va baisser.
En plus d'Intel, la Chine cherche également à établir une relation de coopération technique avec Toshiba Corporation du Japon.Toxas a besoin de l'approbation du régulateur antitrust de la Chine avant de pouvoir vendre ses unités de mémoire à un consortium mené par Bain Capital, y compris SK Hynix. Par conséquent, la Chine utilise ce pour faire un remplacement avec Toshiba.Les initiés croient que cette condition peut être que la Chine peut exiger de Toshiba pour fournir une coopération technique ou la fourniture de produits.Ainsi, depuis 2016, le prix de la mémoire a monté en flèche depuis les affaires de téléphones intelligents chinois mémoire à semiconducteur nécessaire n'a jamais été en mesure d'obtenir un approvisionnement adéquat de ces entreprises ont été cette insatisfaction profonde.
Titre extérieur:
Depuis deux ans, les forts mouvements de prix de l'industrie de stockage, a grandement influencé le développement de l'industrie du téléphone intelligent domestique comme une industrie à puce entière IC est maintenant de savoir si le côté du capital, les consommateurs ou les bornes de la chaîne de l'industrie, les nouvelles liés à la mémoire sont particulièrement sensibles et vigilance récemment Guoxin violet Xi'an de puces de mémoire DDR4 sur suscité une grande inquiétude.
Les progrès de l'industrie de la mémoire à semi-domestique, destiné à l'échelle se caractérise par un fort soutien national derrière le pouvoir d'entrer dans cette industrie, le développement global de l'industrie de la mémoire est sans aucun doute un rôle important dans la promotion, après toute cette affaire est presque entré dans les oligarques la situation concurrentielle. de la puissance universelle de la science et de la technologie, beaucoup de gens, beaucoup de chinois, sur les progrès réalisés en Chine sont heureux de voir la mémoire d'itérations. l'autre point de vue est que la mémoire interne des caractéristiques à haute fréquence, compatibilité, etc. sont susceptibles de faire face à des difficultés considérables, nous sommes en mesure d'attirer suffisamment de clients, les marges de prix et profits compétitifs devront résister à l'épreuve peut ne pas être en mesure de produire un impact suffisamment important sur le marché.
Les deux pour Oolong déception est venu un message plus tôt, ou des particules DDR4 éprouvées par la validation CPU-Z de joie, ainsi que des aspects des canaux de controverse sur la boutique Taobao, le cœur du lecteur le long d'un flot de nouvelles des hauts et des bas. Car violet est représentatif de la mémoire interne, et même l'ensemble de l'industrie des semi-conducteurs interne, l'évaluation sur Internet ne sont pas uniformes, ainsi que le renversement continu des nouvelles, les gens de l'industrie sont d'humeur optimiste et pessimiste alternativement une opposition farouche.
2. Pliez la Chine pour dépasser la puce mémoire de l'introduction des talents de l'industrie est un raccourci;
Quotidien économique - Net 11 Mars économique Chine Nouvelles (journaliste Yang Ming) cabinet d'études de marché des semi-conducteurs IC Insights prévisions récemment publiées, l'économie de marché des puces super-mémoire internationale prendra fin cette année, principalement en raison de l'industrie chinoise sera la fin de ce stockage de l'année la production de puces.
Nos tendances de l'industrie des puces de mémoire non seulement une incidence sur le marché des semi-conducteurs internationale dans son ensemble, Samsung Electronics est devenu, SK puces de mémoire Hynix et d'autres monopoles bénéfice d'exploitation et le plus grand prix de l'action variable a toujours été de rester en tête dans ce domaine les entreprises coréennes se sentent le vrai menace. récemment les médias sud-coréen, « Korea Economic Daily » à « vitesse de la montée des semi-conducteurs de la Chine « a rapporté le développement rapide de la Chine industrie des puces de mémoire. rapporté que, en vertu de la politique et le soutien financier du gouvernement chinois, les sociétés de puces de mémoire chinois avec moins de 3 années, a augmenté à 20 ans avec la production de l'activité semi-conducteurs de Taiwan comparable au niveau des entreprises coréennes devraient se méfier de l'année Samsung a dépassé le Japon pour les entreprises chinoises, le fleuve Yangtsé est au-delà de la mémoire, à long Hefei Xin et d'autres entreprises.
La Chine a promulgué le « résumé de la promotion de l'industrie nationale IC » en 2014, après que le gouvernement et les entreprises au cours des dernières années d'efforts minutieux et de l'investissement, a formé trois R semi-conducteur de mémoire & D et de fabrication de base, à savoir le stockage Yangtsé, Hefei long et Fujian Xin Jin Chine. Or, ces trois bases sont des puces de mémoire intensifions la construction de puces de mémoire dans une usine locale, attendue dès le deuxième semestre de 2018, il y aura une usine de puces de mémoire a commencé la production. autrement dit, 2018 deviendra le courant dominant du développement des puces de mémoire fabriqués en Chine La première année de l'année.
Les puces mémoire sont plus fréquentes NAND Flash et DRAM. mémoire NAND Flash est une technologie de mémoire non volatile qui peut encore enregistrer les données après une panne de courant, comme les lecteurs de l'état solide sur le téléphone sur la mémoire flash 16G / 32G / 64G et l'ordinateur L'utilisation de NAND Flash.DRAM est une mémoire vive dynamique, ne peut conserver les données pendant une courte période, et l'arrêt va perdre des données, l'ordinateur utilise 4G / 8G / 16G mémoire DRAM.
Selon des journalistes saisir du fleuve Yangtsé seront les principaux produits de mémoire flash NAND, Fujian Jinhuagong et Hefei Xin. Mis la DRAM à long ciblant les trois entreprises le plus rapide de stockage Yangtsé, qui se compose du groupe Unisplendour et le Fonds de l'industrie nationale Circuit intégré d'investissement la mise en place d'une coentreprise, est considérée comme la Chine l'industrie des puces de mémoire, le plus haut niveau des entreprises techniques et financières au second semestre de l'année dernière, la Banque de développement Etat et le noyau pourpre de la Chine un investissement total de 150 milliards de yuans à nouveau de financement, c'est un violet résoudre usine de puce mémoire financement offre une garantie importante. en raison de la difficulté à faible technique est relativement NAND flash DRAM, la mémoire du fleuve Yangtsé deviendra la première production de masse de puces mémoire entreprises chinoises, tandis que les deux autres entreprises pour réaliser la production d'essai de produit cette année devrait à la production de masse officielle de l'année prochaine.
Bien que nous aurons bientôt leurs propres puces de mémoire faits maison, mais nos entreprises de technologie de puces mémoire et les grandes entreprises internationales est encore un écart important. Selon l'analyse professionnelle Semiconductor Industry Corée, si la production de volume de stockage du Yangtsé dans les délais prévus, Samsung Electronics leader de la technologie du fleuve Yangtsé la différence est 4--5 ans, et pour une longue Hefei Xin a été 6--8 ans, Fujian Jin Huawei 8 - 10 ans et l'écart technologique de SK Hynix est différent en fonction de chaque situation de l'entreprise, réduire environ 1--2 ans en considérant la production de masse de DRAM et Fujian Xin Hefei à long Jinhuagong prévu un an plus tard que le stockage NAND du fleuve Yangtsé, il peut déterminer l'écart entre la Chine et la Corée du Sud la technologie NAND pour cinq ans, DRAM 10 ans.
Pendant longtemps, le marché des puces de mémoire sera monopolisé par quelques grandes entreprises internationales. Marché NAND Flash en collaboration avec le camp Samsung et DDR Toshiba bascule et Intel et Micron, dirigé par tenue de camp ONFI, Samsung, Toshiba, SanDisk, Micron, SK Hynix et d'autres étrangers géants représentent plus de 80% des parts de marché, dont Samsung est le leader de la part de marché d'environ 38%.
Sur le marché des DRAM, Samsung, SK Hynix, Micron occupent la plus grande part du marché. La part de marché de Samsung près de la moitié, la part de marché de SK Hynix de près de 30%, par rapport au classement des parts de marché de Taiwan 4-6 la somme de la part de marché des fournisseurs de système est seulement d'environ 5%.
On peut voir les fournisseurs de puces de mémoire ont été fermement contrôlés dans les mains de quelques entreprises, et a un winner-take du phénomène, qui pour la domination de la part de marché des entreprises internationales est très bénéfique pour le persécuteur est très défavorable. comment obtenir la technologie de base, la réduction de l'écart de production technologique bientôt devenir critique.
Au cours des dernières entreprises chinoises ont tenté d'acquérir la technologie de pointe grâce à des fusions transfrontalières. Mais tout le long des pays occidentaux sur la haute technologie en Chine défendant résolument, l'acquisition pourpre de Micron et essayer d'essayer de SanDisk par l'acquisition de Western Digital et d'autres acquisitions sont finalement morts. Activité de stockage Toshiba vendent aussi les acheteurs chinois traitent différents. selon Asahi Shimbun du Japon a indiqué que le gouvernement japonais a entamé ses délibérations, si elle est vendue au continent ou société Taiwan, Toshiba conseillera de suspendre ou reconsidère selon changes et le commerce extérieur.
Dans cette perspective, l'acquisition de la route à l'étranger ne peut pas être ouvert, la mise en place du personnel technique de base à l'étranger pour être le seul choix approprié dans les circonstances actuelles, ce sera l'industrie des puces de mémoire chinoise pour atteindre raccourci dépasser d'angle dans un proche avenir.
Sud journaliste coréenne d'un ami a entendu une des sociétés de semi-conducteurs coréens en raison de l'introduction de talents pour réaliser contre-attaque de cas réel actuellement la deuxième puce mémoire du monde société Hynix au début de ce siècle était au bord de la faillite, était presque Micron acquis, mais le la société a joué un rôle clé d'un homme du nom de Choi Jin-seok, un ingénieur senior de la division semi-conducteurs de Samsung engagé, et il a dirigé l'équipe technique masculine, grâce à l'innovation technologique, en moins de deux ans permettra d'améliorer les capacités de R & D de la société au même niveau avec Samsung, même le monde extérieur a eu des rumeurs de produits Hynix coûtent moins que le Samsung, les avancées technologiques Hynix font des morts.
En fait, les entreprises chinoises ont commencé à introduire le travail des gens de talent, le sujet de la recherche de talents de semi-conducteurs de Taiwan visant à la terre ferme, surtout après la prise en charge Inotera Micron, Inotera personnes instables à l'intérieur, un grand nombre d'ingénieurs collectifs quitter magasin en Chine On peut dire que précisément à cause de l'afflux de talents taiwanais, les entreprises chinoises ont rapidement rattrapé le rythme des entreprises de semi-conducteurs taiwanaises et sont devenues une force pour accélérer le développement de l'industrie des puces de mémoire en Chine.
Mais il faut aussi voir que la technologie de Taiwan avec la Corée du Sud, les entreprises technologiques des États-Unis ne sont pas compétitifs par rapport aux survivants des sociétés de puces de mémoire taïwanaise actuelles sont pour la plupart de production Samsung Electronics et Hynix SK ne produirait pas DRAM bas de gamme, la technologie de Taiwan en Chine à l'avenir pour aider à réduire l'écart entre la technologie des puces de mémoire les plus avancées du monde est limité. par conséquent, comment trouver un moyen de maîtriser la technologie de base de l'introduction des meilleurs talents fabricants coréens, peut-être les entreprises chinoises doivent réfléchir sérieusement à.
3. Un nouveau niveau d'innovation dans la construction de la ville de Xiamen
Reporter hier du Bureau municipal des sciences et de la technologie a été informé il y a quelques jours, le ministère de l'Industrie et du Xiamen sont tombés d'accord pour construire un « feu de base » national a frappé deux bases (plate-forme), la ville est devenue l'un des pays a approuvé la construction de sept villes. Je vais construire la plate-forme ville entreprises de conception de circuits intégrés, en particulier les petites et moyennes entreprises pour fournir un meilleur environnement pour l'innovation et l'esprit d'entreprise, l'industrie des circuits intégrés pour promouvoir le développement durable et rapide. a approuvé la construction d'un « feu de base » national a frappé deux bases (plate-forme), et la science de la ville et l'innovation technologique pour diriger l'industrie pour mettre à niveau les réalisations remarquables sont inséparables. depuis que le Parti dix-neuvième Congrès national, la ville mettre pleinement en œuvre l'innovation scientifique et technologique Xi Jinping, une nouvelle ère de caractéristiques chinoises de la pensée socialiste et dix-neuvième Congrès du PCC, étroitement autour « cinq développement » du bâtiment du gouvernement municipal ville modèle plan stratégique à Fuzhou-Xiamen Ressorts zone nationale de démonstration d'innovation indépendante (zone Xiamen) de développement que les poussoirs de l'offre centrale avant les réformes structurelles dans le domaine de la science et de la technologie, l'innovation et l'esprit d'entreprise pour optimiser l'environnement écologique et promouvoir les réalisations scientifiques et technologiques de transfert et de transformation, de mener une nouvelle industrie pour accélérer la croissance, l'innovation technologique l'intégration complète dans le champ de bataille principal du développement économique et social, la construction de la ville innovante à un nouveau niveau, la rédaction d'un nouveau chapitre.
Depuis l'année dernière, un groupe de vue éblouissante sur les réalisations de l'innovation scientifique et technologique de la ville: les dix premiers pays a approuvé la construction de la ville pour créer une ville forte intellectuelle, la construction des huit grandes villes dans les services d'exploitation du système de la propriété intellectuelle, les droits de propriété intellectuelle réforme de la gestion globale des villes pilotes, urbain innovation scientifique et technologique chinoise indice classé 11, l'innovation de la Chine et de l'indice l'esprit d'entreprise classé n ° 9 ...... au cours des dernières années, la technologie de la ville et de l'innovation pour le rôle principal, la mise en œuvre continue de l'innovation scientifique et technologique pour améliorer l'ingénierie, l'innovation scientifique et technologique pour diriger l'industrie pour mettre à niveau le succès marqué. les statistiques connexes montrent, 2017 dans la ville a investi un capital total de 1.451 milliards de yuans de la science des finances municipales et de la technologie, les fonds scientifiques et technologiques nationales plus de 1,1 milliards de yuans, devrait conduire l'ensemble des investissements de la société dans la recherche et le développement (R & D) de près de 14 milliards de yuans, soit environ 3,25% du chiffre d'affaires du contrat PIB technologique. de trois dans presque triplé, à près de 7 milliards de yuans l'an dernier, les brevets valides de la ville par million d'habitants a une capacité de 23,5, la moyenne provinciale de 3 fois, 2,4 fois les brevets nationaux délivrés plus forte augmentation parmi la première ville sous-provinciale II.
L'industrie de haute technologie est en train de devenir un nouveau moteur de développement économique et social de haute qualité. L'année dernière, la ville nette réalisée nouvelle entreprise de haute technologie 200, l'entreprise high-tech de la ville atteint maintenant 1425, la province a représenté 46,6% de la ville. Les entreprises de haute technologie le développement rapide et l'expansion du groupe, la contribution de l'industrie de haute technologie pour le développement économique et social sont devenus de plus en plus important. l'année dernière, la valeur de la production industrielle des réglementation de l'industrie de haute technologie 424.138 milliards de yuans, ce qui représente la valeur de la production industrielle de conformité 71,71% de la ville.
En même temps, une nouvelle industrie, de nouveaux formats accélère la formation d'un nouveau point de croissance économique et nouvelle industrie bio-pharmaceutique est devenue la référence de plus fort capacité d'innovation indépendante de la ville de l'industrie - kit de test VIH série a été appliquée dans 42 pays, le montant de plus de 500 millions de personnes, la troisième branche, premier vaccin contre le cancer du col utérin du pays du monde a terminé la phase III application clinique pour l'inscription ...... et toute l'industrie en 2017 devrait atteindre le principal revenu d'entreprise de 64,6 milliards de yuans, dont les ventes des entreprises productives l'industrie IC a atteint 48,9 milliards de yuans remboursé - Saman circuits intégrés en service, avec la production de circuits intégrés de base en 2017, les règlements de la ville sur la valeur de sortie des entreprises de circuit intégré de 14.377 milliards de yuans, soit une augmentation de 38,39 pour cent, au premier rang dans l'échelle du pays. V. matériau semi-conducteur de composé à chaîne est formée, à un opto-électronique, jour Han devenir haute pression, haute température et à haute fréquence de la troisième génération de nitrure de gallium de matériau semi-conducteur représenté par la formation initiale de l'échelle de production de carbure de silicium, l'électronique de puissance pour notre Le développement de la technologie de communication 5G fournit un support solide.