Mirando la situación histórica, el mercado DRAM es la parte más volátil de los principales segmentos del mercado de productos IC. En los últimos 2 años, el mercado DRAM cayó un 8% en 2016 y un 77% en 2017. Este es un buen ejemplo. .
En los últimos 30 años, el precio de DRAM ha seguido disminuyendo. Durante los 34 años desde 1978 hasta 2012, el precio promedio por bit de DRAM cayó a una tasa promedio anual de 33%. Sin embargo, de 2012 a 2017, la DRAM promedio por bit La disminución interanual de los precios se redujo al 3%. En 2017, el precio de las DRAM había caído antes de la reversión, lo que representaba una inversión del 47%, el mayor aumento desde 1978.
Desde la perspectiva del aumento en el número de bits de DRAM, el número de bits DRAM aumentó en un 40% en 2016 y un 20% en 2017. Como se muestra en la Figura 1, desde mayo de 2017 hasta enero de 2018, 9 meses, el bit DRAM La tasa de crecimiento anual promedio del monto en dólares es solo del 13%. En 2018, la tasa de crecimiento del número de bits de DRAM se mantendrá en un 20%.
La Figura 1 también enumera el precio de DRAM por mes para cada mes desde enero de 2017 hasta enero de 2018. Como muestra el gráfico, el precio de DRAM por gigabit ha estado aumentando marcadamente, enero de 2018 y enero de 2017. Comparado con el mes, el precio se ha incrementado en un 47%. No hay duda de que los fabricantes de sistemas electrónicos están actualmente luchando para ajustarse y adaptarse al precio astronómico de la memoria.
A menudo se considera que la DRAM es un producto similar al petróleo. Como la mayoría de los productos, la demanda de productos es elástica, lo que significa que los aumentos de precios frenarán la demanda y aumentarán los precios y crearán nuevos usos. Por ejemplo, cuando los precios del petróleo son bajos En ese momento, muchos consumidores compran suvs a gran escala porque existe poca preocupación sobre la eficiencia del uso de galones de gasolina. Sin embargo, cuando los precios del petróleo aumentan, los consumidores a menudo eligen fuentes de energía más pequeñas o alternativas (como híbridas o totalmente eléctricas).
Figura 1
Como se muestra en la Figura 1, desde enero de 2017 hasta enero de 2018, el coeficiente de correlación entre el precio por bit de DRAM y el aumento anual en el número de bits es -0.88. Por lo tanto, aunque el fabricante del sistema no aumentó el precio Al tiempo que se reduce la cantidad de DRAM utilizada en los envíos actuales de dispositivos electrónicos, hay muchos rumores de que algunos fabricantes de teléfonos inteligentes están reduciendo la DRAM en los modelos de próxima generación, eliminando la memoria DRAM incorporada del teléfono inteligente de 5GB a 4GB.
IC Insights cree que en 2018, los principales proveedores de DRAM deben tener cuidado, si los accionistas son más felices, alienarán aún más a la base de clientes de DRAM. Si los fabricantes chinos de DRAM se ponen en marcha pueden lanzar un producto competitivo en los próximos años. Los usuarios de DRAM pueden acudir en masa a estos nuevos proveedores, tratando de deshacerse de la actual presión al alza sobre el precio inminente. Los actuales fabricantes de DRAM pueden estar sujetos a fuertes represalias.
¿Puede Violet cooperar con Intel para reducir la brecha en la tecnología de la memoria durante tres años?
Corea del Sur medios businesskorea divulgada recientemente, Tsinghua Unisplendour está trabajando con Intel para desarrollar 3D NAND flash chips de memoria. Se informa que, de acuerdo con el contrato entre las dos partes, Intel decidió proporcionar primera obleas de chips de memoria flash NAND, y luego proporcionar una 64 capa 3D NAND chips de memoria flash. Intel con el apoyo de productos de memoria flash de Tsinghua Unisplendour no sólo para mejorar la competitividad en términos de ventas, sino también mejorar su conocimiento de la marca en el mercado.
Esta tecnología flash de Intel, Micron IMFlash empresa conjunta, pero a principios del año siguiente, los dos lados terminará la cooperación, la optimización independiente de sus productos y servicios, mientras que Intel va a vender casi todas las acciones en poder de Micron desde el que se escapan. Si totalmente independiente enlazado Esto afectará en gran medida la producción y el suministro y la demanda del mercado actual y la memoria flash de alta continuada, Intel urgente necesidad de un nuevo socio.
El violeta es un objetivo clave en el desarrollo de la industria de los semiconductores de China apoyar firmemente los próximos cinco años, China invertirá 1 billón de yuanes en la industria de los semiconductores, el objetivo es que en 2025 se incrementará la tasa de autosuficiencia a 70% de semiconductores, aquí juega un crítico naturales papel. Actualmente, violeta ha invertido $ 30 de mil millones para construir su propia memoria, memoria flash fábrica en Nanjing, sino también con la construcción de SSD Lite desarrollo conjunto y la planta de fabricación en Suzhou.
Intel clasificado en la sexta cuota de mercado de los chips NAND, que se encuentra después de Hynix. Intel el año pasado para recuperar el negocio de chips de memoria, después de abandonar el negocio hace 20 años para entrar en el mercado de nuevo, pero todavía tiene un alto nivel técnico de la empresa en 2012 en la cuota de mercado de memoria flash NAND ocupó el cuarto compañías Micron Technology, y de un 64 el año pasado comenzó a producir capas 3D NAND chips de memoria flash. Intel está desarrollando actualmente 96 capa de virutas 3D NAND. Además, IMFlash también está desarrollando una nueva generación de flash 3D pila de capas 96 Y con la ayuda del proceso de fabricación de 10nm, la densidad de capacidad será el doble que la actual de 64 plantas, y se espera que se establezca en el futuro.
Algunos observadores del mercado dijeron que la brecha tecnológica entre el final de este año para iniciar la producción del fabricante de 32 capas de chips de memoria NAND chips 3D chino y homólogos surcoreanos durante tres años. Esto se debe a que la primera vez fue en agosto de 2014 en todo el mundo Samsung Electronics capa 3D 32 dentro de la producción de chips NAND, en agosto de 2015 para la capa de chip de 3D 48, 64 de diciembre de 2.016 mil chip de capa. poco más alto nivel y el chip apilado NAND 3D, necesita un mayor nivel de tecnología. por lo tanto, El tiempo y el esfuerzo solos no pueden reducir la brecha tecnológica.
Sin embargo, a través de la colaboración con Intel, se espera que China reduzca rápidamente la brecha tecnológica entre Corea fabricantes de chips de memoria amenaza como Samsung Electronics, incluyendo China será capaz de publicar productos NAND 3D de alto rendimiento con antelación, que se espera en los primeros dos a tres años antes de la introducción de la gama baja Productos.
La firma de investigación de mercado Market Realist dijo: "La relación entre China e Intel puede conducir a un exceso de oferta y dañar todo el ecosistema de la industria flash NAND." Un funcionario de la industria de semiconductores de Corea del Sur declaró: "Samsung Electronics y SK Hynix están mirando debido a la competencia Con la expansión de NAND, las condiciones del mercado pueden empeorar. Esto puede aumentar el debate entre las instituciones de inversión globales de que el precio de los chips NAND caerá dramáticamente.
Además de Intel, China también está tratando de establecer una cooperación técnica con Toshiba. Toshiba requiere la aprobación de los reguladores antimonopolio de China con el fin de vender su unidad de chips de memoria a un consorcio liderado por Bain Capital, incluyendo Hynix Por lo tanto, china está utilizando esto para hacer un tipo de operación de reemplazo con Toshiba. la industria considera que tales condiciones pueden ser los chinos pueden ser requeridos para proporcionar cooperación técnica o la oferta de productos de Toshiba. precios de las memorias se han disparado desde 2016, de china las compañías de teléfonos inteligentes La demanda de memoria de semiconductores no siempre se ha suministrado adecuadamente, y estas empresas se han sentido profundamente insatisfechas.
Exclusión:
La fuerte tendencia de precios de la industria de almacenamiento en los últimos dos años ha afectado enormemente el desarrollo de la industria nacional de teléfonos inteligentes y toda la industria de chips CI. Ahora independientemente del capital, la cadena industrial o el consumidor final, es extremadamente sensible a los mensajes relacionados con la memoria y Vigilancia. Recientemente, el chip de memoria DDR4 de Xi'an Ziguang Guoxin ha atraído la atención de todos.
El progreso de la industria doméstica de almacenamiento de semiconductores significa que se caracteriza por economías de escala. Las fuerzas detrás de un fuerte apoyo nacional han ingresado a la industria. El desarrollo general de la industria de la memoria es indudablemente un impulso considerable. Después de todo, esta industria casi ha entrado en un oligopolio. En la situación competitiva, a partir de la fuerza impulsora del avance científico y tecnológico universal, muchas personas y muchos chinos están felices de ver el progreso de la memoria casera de forma iterativa. La otra parte cree que la memoria doméstica tiene características de alta frecuencia, compatibilidad, etc. Todos ellos pueden enfrentar dificultades considerables. Ya sea que puedan atraer suficientes clientes, el espacio de rentabilidad y la competitividad de los precios deben ser probados, y es posible que no tengan suficiente impacto en el mercado.
Tanto para Oolong decepción vino mensaje anterior, o partículas DDR4 demostrado a través de la CPU-Z validación de alegría, así como aspectos de los canales de controversia en Taobao tienda, el corazón del lector junto con una avalancha de noticias de subidas y bajadas. Para que púrpura es representativa de la memoria interna, e incluso a toda la industria de los semiconductores interno, la evaluación en Internet no son uniformes, junto con la caída continua de las noticias, la gente en la industria son optimistas y pesimistas estado de ánimo oposición alternativamente feroz.