Рассматривая историческую ситуацию, рынок DRAM является наиболее волатильной частью основных сегментов рынка продуктов IC. За последние 2 года рынок DRAM упал на 8% в 2016 году и на 77% в 2017 году. Это хороший пример. ,
За последние 30 лет цена DRAM продолжала падать. За 34 года с 1978 по 2012 год средняя цена за бит DRAM упала со средней годовой ставкой 33%. Однако с 2012 по 2017 год средняя DRAM на бит Снижение цен в годовом исчислении сократилось до 3%. К 2017 году цена DRAM упала до разворота, что было отменено на 47%, что является самым большим увеличением с 1978 года.
С точки зрения увеличения количества бит DRAM количество бит DRAM увеличилось на 40% в 2016 году и 20% в 2017 году. Как показано на рисунке 1, с мая 2017 года по январь 2018 года 9 месяцев бит DRAM Среднегодовые темпы роста доллара составляют всего 13%. В 2018 году темпы роста номера DRAM будут поддерживаться на уровне 20%.
На рисунке 1 также приведена цена DRAM в месяц за каждый месяц с января 2017 года по январь 2018 года. Как показывает график, цена DRAM на гигабит резко возрастает, январь 2018 года и январь 2017 года. По сравнению с месяцем цена выросла на 47%. Нет сомнений, что производители электронных систем в настоящее время скремблируются, чтобы настроить и адаптироваться к стремительной цене памяти.
DRAM часто считается нефтеподобным товаром. Как и большинство товаров, спрос на продукцию является эластичным, а это означает, что рост цен будет обуздать спрос, в то время как более низкие цены будут увеличиваться и создавать новые виды использования. Например, когда цены на нефть низки В то время многие потребители покупают крупногабаритные заготовки, потому что мало внимания уделяется эффективности использования галлонов бензина. Однако, когда цены на нефть растут, потребители часто выбирают меньшие или альтернативные источники энергии (например, гибридные или полностью электрические).
Рисунок 1
Как показано на рисунке 1, с января 2017 года по январь 2018 года коэффициент корреляции между ценой за бит в DRAM и ежегодным увеличением количества бит составляет -0,88. Поэтому, хотя производитель системы не увеличил цену При уменьшении количества DRAM, используемого при текущих поставках электронных устройств, есть много слухов о том, что некоторые производители смартфонов уменьшают DRAM в моделях следующего поколения, отбрасывая встроенный DRAM смартфона с 5 до 4 ГБ.
IC Insights полагает, что в 2018 году основные поставщики DRAM должны быть осторожны, а если акционеры станут более счастливыми, они будут еще больше отчуждать клиентскую базу DRAM. Если китайские производители DRAM могут запустить конкурентоспособный продукт в ближайшие годы Пользователи DRAM могут стекаться к этим новым поставщикам, пытаясь избавиться от текущего восходящего давления на неминуемую цену. Существующие производители DRAM могут подвергаться серьезному возмездию.
Может ли Фиолетовый сотрудничать с Intel, чтобы сократить разрыв в технологии памяти в течение трех лет?
Недавно южнокорейские медиа-бизнесмены показали, что Tsinghua Unisplendour сотрудничает с Intel в разработке чипов флэш-памяти 3D NAND. Согласно сообщениям, согласно контракту между двумя сторонами, Intel решила сначала предоставить пластины для чипов флэш-памяти NAND, а затем предоставить 64-слойные чипы флэш-памяти 3D NAND. При поддержке флэш-памяти компании Tsinghua Unisplendour она может не только повысить конкурентоспособность в продажах, но и повысить узнаваемость бренда на рынке.
Этот вид технологии флэш-памяти исходит от IMFlash от Intel и Micron. Однако к началу следующего года обе стороны прекратят свое сотрудничество и оптимизируют свои собственные продукты и услуги независимо. В то же время Intel будет продавать почти все свои акции Micron, чтобы выйти из него. Если он полностью независим, он будет В значительной степени повлияет производительность и предложение, а текущий спрос на рынке флэш-памяти по-прежнему будет высоким, поэтому Intel срочно нуждается в новом партнере.
Фиолетовый является ключевой целью развития китайской полупроводниковой промышленности. В ближайшие пять лет Китай инвестирует в полупроводниковые отрасли 1 трлн юаней. Цель состоит в том, чтобы повысить уровень самообеспеченности полупроводников до 70% к 2025 году. Ziguang, естественно, играет чрезвычайно важную роль. Роль. В настоящее время Ziguang инвестировала 30 миллиардов долларов США для создания собственной памяти, фабрики флеш-памяти в Нанкине, а также создания SSD-оборудования для разработки и производства в Сучжоу с Jianxing.
Доля Intel в рынке чипов NAND занимает шестое место позади SK Hynix. Intel в прошлом году снова вышла на рынок после отказа от своего бизнеса в области чипов памяти 20 лет назад, но по-прежнему обладает высоким уровнем технологий. В сотрудничестве с Micron Technology, которая занимает четвертое место на рынке флэш-памяти NAND, в прошлом году начали выпускать 64-слойные чипы флэш-памяти 3D NAND. В настоящее время Intel разрабатывает 96-слойные 3D-чипы NAND. Кроме того, IMFlash также разрабатывает новое поколение 96-слойной трехмерной флеш-памяти. , А с помощью 10-нм производственного процесса плотность мощности будет вдвое больше, чем у нынешнего 64-слоя, и ожидается, что он будет в будущем.
Некоторые наблюдатели рынка заявили, что технологический разрыв между производителями чипов памяти в Китае и их южнокорейскими коллегами, который начал производство 32-слойных чипов NAND NAND в конце этого года, составляет три года. Это связано с тем, что Samsung Electronics Co., Ltd. была первой в мире в августе 2014 года. Массовое производство 32-слойных 3D-NAND-чипов, август 2015 г. для 48-слойных 3D-чипов, декабрь 2016 г. для 64-слойных микросхем. Микросхемы третьего уровня NAND с более высоким уровнем и бит-стопки требуют более высокого уровня технологии, Только время и усилия не могут сократить технологический разрыв.
Тем не менее, благодаря сотрудничеству с Intel, Китай, как ожидается, быстро сократит технологический разрыв и поставит под угрозу южнокорейские производители чипов памяти, в том числе Samsung Electronics. Китай сможет выпускать высокопроизводительные 3D-продукты NAND заблаговременно. Ожидается, что в первые два-три года начнется производство недорогих продуктов. продукты.
Исследовательская фирма Market Realist заявила: «Отношения между Китаем и Intel могут привести к избыточному спросу и нанесению вреда всей экосистеме флэш-индустрии NAND». Представитель из южнокорейской полупроводниковой промышленности заявил: «Samsung Electronics и SK Hynix наблюдают за конкурентами С расширением NAND рыночные условия могут ухудшиться. Это может усилить дискуссию среди глобальных инвестиционных институтов о том, что цена чипов NAND резко упадет.
В дополнение к Intel, Китай также стремится установить технологическое партнерство с японской корпорацией Toshiba. Toshiba нуждается в одобрении антимонопольного регулятора Китая, прежде чем он сможет продать свои чипсеты памяти консорциуму, возглавляемому Bain Capital, включая SK Hynix. Таким образом, Китай использует это для заключения сделки с Toshiba. Инсайдеры считают, что это может быть связано с тем, что Китай может потребовать от Toshiba технического сотрудничества или поставки продукта. В 2016 году цена памяти выросла с тех пор, как китайский бизнес смартфонов Потребность в полупроводниковой памяти не всегда была адекватно обеспечена, и эти компании были глубоко недовольны.
Название снаружи:
Сильная ценовая тенденция индустрии хранения данных за последние два года сильно повлияла на развитие отечественной индустрии смартфонов и всей индустрии чипов ИС. Теперь, будь то капитальная сторона, промышленная цепочка или конечный потребитель, она чрезвычайно чувствительна к сообщениям, связанным с памятью, и Бдительность. Недавно чип памяти DDR4 от Xi'an Ziguang Guoxin привлек всеобщее внимание.
Прогресс, достигнутый в отечественной индустрии полупроводниковых хранилищ, означает, что он характеризуется эффектом масштаба. Силы, стоящие за сильной национальной поддержкой, вошли в отрасль. В целом развитие индустрии памяти, несомненно, является значительным стимулом. В конце концов, эта отрасль почти вошла в олигополию. В конкурентной ситуации, начиная с движущей силы универсального научно-технического прогресса, многие люди и многие китайцы с радостью наблюдают за ходом внутренних итераций памяти. Другая сторона считает, что внутренняя память имеет высокочастотные характеристики, совместимость и т. Д. Все они могут столкнуться со значительными трудностями. Могут ли они привлечь достаточное количество клиентов, необходимо проверить конкурентоспособность и конкурентоспособность цен, и они могут не иметь достаточного влияния на рынок.
Было ли разочарование более ранними новостями о Улуне, было подтверждено, что частицы DDR4 прошли проверку на CPU-Z и даже споры по каналам Taobao. После сердец читателей последовали непрерывные колебания. Внутренняя память, представленная фиолетовым светом, включает в себя всю отечественную полупроводниковую промышленность. Оценка в Интернете неоднородна. Сопровождение новостей, которые постоянно свергают, - это настроение оптимизма и пессимизма.