Em relação à situação histórica, o mercado de DRAM é a parte mais volátil dos principais segmentos de mercado de produtos IC. Nos últimos 2 anos, o mercado de DRAM caiu 8% em 2016 e 77% em 2017. Este é um bom exemplo. .
Ao longo dos últimos 30 anos, o preço da DRAM continuou a cair. Nos 34 anos de 1978 a 2012, o preço médio por DRAM diminuiu a uma taxa média anual de 33%. No entanto, de 2012 a 2017, a DRAM média por bit O declínio homólogo dos preços diminuiu para 3%. Até 2017, o preço das DRAM caíram antes da reversão, que aumentou 47%, o maior aumento desde 1978.
Do ponto de vista do aumento do número de bits DRAM, o número de bits DRAM aumentou 40% em 2016 e 20% em 2017. Conforme mostrado na Figura 1, de maio de 2017 a janeiro de 2018, 9 meses, o bit DRAM A taxa de crescimento anual média do valor em dólares é de apenas 13%. Em 2018, a taxa de crescimento do número de bit DRAM manterá em 20%.
A Figura 1 também lista o preço DRAM por mês para cada mês de janeiro de 2017 a janeiro de 2018. Como o gráfico mostra, o preço da DRAM por gigabit tem aumentado acentuadamente, janeiro de 2018 e janeiro de 2017. Em comparação com o mês, o preço aumentou 47%. Não há dúvida de que os fabricantes de sistemas eletrônicos estão atualmente lutando para ajustar e adaptar-se ao preço disparado da memória.
A DRAM é muitas vezes considerada como uma mercadoria semelhante ao petróleo. Como a maioria das commodities, a demanda de produtos é elástica, o que significa que os aumentos de preços conterão a demanda, enquanto os preços mais baixos aumentarão e criará novos usos. Por exemplo, quando os preços do petróleo são baixos Na época, muitos consumidores compram produtos de grande escala, porque há pouca preocupação com a eficiência de usar galões de gasolina. No entanto, quando os preços do petróleo aumentam, os consumidores geralmente escolhem fontes de energia menores ou alternativas (como híbridas ou elétricas).
Figura 1
Conforme mostrado na Figura 1, de janeiro de 2017 a janeiro de 2018, o coeficiente de correlação entre o preço por bit da DRAM e o aumento anual no número de bits é de -0,88. Portanto, embora o fabricante do sistema não tenha aumentado o preço Ao reduzir a quantidade de DRAM usada nos atuais embarques de dispositivos eletrônicos, há muitos rumores de que alguns fabricantes de telefones inteligentes estão reduzindo o DRAM em modelos de próxima geração, deixando o DRAM incorporado do smartphone de 5 GB a 4 GB.
A IC Insights acredita que, em 2018, os principais fornecedores de DRAM devem ter cuidado e, se os acionistas estiverem mais felizes, alienarão a base de clientes da DRAM. Se os fabricantes chineses de DRAM no start-up pudessem lançar um produto competitivo nos próximos anos , Os usuários de DRAM podem se reunir com esses novos fornecedores, tentando se livrar da atual pressão ascendente sobre o preço iminente. Os fabricantes de DRAM atuais podem estar sujeitos a fortes retaliação.
Violet e Intel cooperam para reduzir a lacuna na tecnologia de memória por três anos?
A mídia sul-coreana businesskorea revelou recentemente que a Tsinghua Unisplendour está cooperando com a Intel para desenvolver chips de memória flash NAND 3D. De acordo com os relatórios, de acordo com o contrato entre as duas partes, a Intel decidiu fornecer primeiro wafers para chips de memória flash NAND e, em seguida, fornecer chips de memória flash NAND 3D de 64 camadas. Com o apoio dos produtos de memória flash da Tsinghua Unisplendour, não só pode aumentar a sua competitividade nas vendas, mas também aumentar a notoriedade da marca no mercado.
Este tipo de tecnologia de memória flash vem da empresa comum da Intel, a joint venture da Micron, IMFlash, mas, no início do próximo ano, as duas partes acabarão com a cooperação e otimizarão seus próprios produtos e serviços de forma independente. Ao mesmo tempo, a Intel venderá quase todas as suas ações para a Micron e sairá disso. Se for completamente independente Isso afetará grandemente a produtividade e o suprimento, e a demanda atual pelo mercado de memória flash continua a ser alta, então a Intel necessita urgentemente de um novo parceiro.
A Violet é um dos principais objetivos do desenvolvimento da indústria chinesa de semicondutores. Nos próximos cinco anos, a China investirá 1 trilhão de yuans na indústria de semicondutores. O objetivo é aumentar a taxa de auto-suficiência de semicondutores para 70% até 2025. Ziguang desempenha, naturalmente, um papel fundamental. No momento, Ziguang investiu US $ 30 bilhões para construir sua própria memória, fábrica de memória flash em Nanjing, e também construir uma unidade de desenvolvimento e fabricação de SSD em Suzhou com a Jianxing.
A participação da Intel no mercado de chips NAND ocupa o sexto lugar atrás da SK Hynix. A Intel no ano passado voltou a entrar no mercado depois de renunciar ao seu negócio de chips de memória há 20 anos, mas ainda tem um alto nível de tecnologia. A empresa em 2012 Em cooperação com a Micron Technology, que ocupa o quarto lugar na participação no mercado da memória flash NAND, e no ano passado começou a produzir chips de memória flash NAND 3D de 64 camadas. A Intel está atualmente desenvolvendo chips NAND 3D de 96 camadas. Além disso, o IMFlash também está desenvolvendo uma nova geração de memória flash 3D empilhada de 96 camadas. E, com a ajuda do processo de fabricação de 10nm, a densidade de capacidade será o dobro da atual camada de 64, e espera-se que se estabeleça no futuro.
Alguns observadores do mercado disseram que o fosso de tecnologia entre os fabricantes de chips de memória da China e seus colegas sul-coreanos, que iniciou a produção de chips NAND 3D de 32 camadas no final deste ano, é de três anos. Isso ocorre porque a Samsung Electronics Co., Ltd. teve seu alcance global pela primeira vez em agosto de 2014. Produção em massa de chips 3D NAND de 32 camadas, em agosto de 2015 para chips 3D de 48 camadas, em dezembro de 2016, para chips de 64 camadas. Os chips NAND 3D de nível superior e empilhados em bits requerem um nível de tecnologia mais alto. Portanto, Tempo e energia por si só não podem reduzir o fosso tecnológico.
No entanto, através da cooperação com a Intel, espera-se que a China reduza rapidamente o fosso tecnológico e ameace os fabricantes de chips de memória sul-coreanos, incluindo a Samsung Electronics. A China poderá lançar produtos 3D NAND de alto desempenho antecipadamente. Espera-se que eleça produtos de baixo custo nos primeiros dois a três anos. Produtos.
A pesquisa de mercado Mercado Realist, disse: 'A China ea parceria Intel poderia levar a um excesso de oferta da indústria flash NAND e pôr em risco todo o ecossistema "Um funcionário da indústria de semicondutores da Coréia do Sul, disse:'. A Samsung Electronics ea Hynix estão preocupados porque os concorrentes a expansão NAND, as condições de mercado podem tornar-se pior. pode aumentar instituições de investimento globais argumentam que o preço dos chips NAND vai cair '.
Além da Intel, a China também busca estabelecer uma relação de cooperação técnica com a Toshiba Corporation of Japan. A Toshiba precisa da aprovação do regulador antitruste da China antes de poder vender suas unidades de chip de memória para um consórcio liderado por Bain Capital, incluindo SK Hynix. Por conseguinte, a China está fazendo uso disso para fazer um acordo de substituição com a Toshiba. Os insiders acreditam que esta condição pode ser que a China possa exigir que a Toshiba forneça cooperação técnica ou fornecimento de produtos. Em 2016, o preço da memória aumentou desde as empresas chinesas de telefonia inteligente A demanda por memória semicondutora nem sempre foi adequadamente fornecida e essas empresas ficaram profundamente insatisfeitas.
Exclusão:
A forte tendência de preços do setor de armazenamento nos últimos dois anos afetou muito o desenvolvimento da indústria doméstica de telefonia inteligente e todo o setor de chips IC. Hoje em dia, independentemente da capital, da cadeia industrial ou do consumidor do terminal, eles são extremamente sensíveis às mensagens relacionadas à memória e Vigilância. Recentemente, o chip de memória DDR4 de Xi'an Ziguang Guoxin atraiu a atenção de todos.
O progresso alcançado na indústria doméstica de armazenamento de semicondutores significa que se caracteriza por economias de escala. As forças por trás do forte apoio nacional entraram na indústria. O desenvolvimento geral do setor de memória é, sem dúvida, um impulso considerável. Afinal, essa indústria quase entrou em um oligopólio. Na situação competitiva, a partir da força motriz do avanço científico e tecnológico universal, muitas pessoas e muitos chineses estão felizes em ver o progresso das iterações da memória doméstica. O outro lado acredita que a memória doméstica está em características de alta freqüência, compatibilidade, etc. Todos eles podem enfrentar dificuldades consideráveis. Se eles podem atrair clientes suficientes, a competitividade de rentabilidade e preços deve ser testada, e eles podem não ter impacto suficiente no mercado.
Se foi o desapontamento das notícias anteriores do Oolong, confirmou-se que as partículas DDR4 foram rejuvenescidas pela verificação CPU-Z, e até mesmo os canais na loja Taobao eram controversos. Os corações dos leitores foram seguidos por notícias flutuantes. A memória doméstica representada pela luz púrpura inclui inclusive toda a indústria nacional de semicondutores. A avaliação na Internet não é uniforme. Acompanhar a notícia que está constantemente derrubando é o clima de otimismo e pessimismo.