역사적 상황을 보면, DRAM 시장은 주요 IC 제품 시장에서 가장 불안정한 부분이며, 지난 2 년간 DRAM 시장은 2016 년에는 8 %, 2017 년에는 77 % 감소했습니다. 이는 좋은 예입니다. .
지난 30 년 동안 DRAM 가격은 계속 떨어졌으며 1978 년부터 2012 년까지 34 년간 DRAM 평균 가격은 연평균 33 %로 하락했지만 2012 년부터 2017 년까지 DRAM 당 평균 DRAM 가격은 전년 동월 대비 가격 하락폭은 3 %로 줄어들었고, 2017 년에는 DRAM 가격이 역전 전까지 하락하여 1978 년 이후 47 %의 역전 현상이 나타났습니다.
DRAM 비트 수가 증가한다는 관점에서 볼 때 DRAM 비트 수는 2016 년에는 40 %, 2017 년에는 20 % 증가했습니다. 그림 1에서 볼 수 있듯이 2017 년 5 월에서 2018 년 1 월까지의 9 개월 동안 DRAM 비트 달러 규모의 연평균 성장률은 13 %에 불과하며, 2018 년에는 DRAM 비트 수의 증가율이 20 %를 유지할 것으로 예상됩니다.
그림 1은 또한 2017 년 1 월부터 2018 년 1 월까지의 매달 DRAM 가격을 보여줍니다. 도표에서 볼 수 있듯이, 기가비트 당 DRAM 가격은 2018 년 1 월과 2017 년 1 월에 급격히 상승했습니다. 그 달에 비해 가격은 47 % 나 올랐다. 전자 시스템 제조업체들은 현재 급증하는 메모리 가격에 적응하고 적응하기 위해 현재 혼란을 겪고있다.
D 램은 종종 석유와 같은 상품으로 간주됩니다. 대부분의 상품과 마찬가지로 제품 수요도 탄력적이어서 가격 상승은 수요를 둔화 시키며 가격은 낮아지고 새로운 용도를 창출합니다. 예를 들어 유가가 낮은 경우 당시에는 가솔린 1 갤런의 사용에 대한 우려가 거의 없었기 때문에 많은 소비자들이 대규모의 제품을 구매했지만, 유가가 오르면 소비자는 종종 소형 또는 대체 에너지 원 (예 : 하이브리드 또는 모든 전기)을 선택합니다.
그림 1
그림 1에서 볼 수 있듯이 2017 년 1 월부터 2018 년 1 월까지 DRAM의 비트 당 가격과 비트 수의 연간 증가 사이의 상관 계수는 -0.88이므로 시스템 제조업체가 가격을 인상하지는 않았지만 전자 기기의 현재 출하량에서 사용되는 DRAM의 양을 줄이는 반면, 일부 스마트 폰 제조업체는 차세대 모델에서 DRAM을 줄이고, 스마트 폰의 내장 DRAM을 5GB에서 4GB로 줄이는 소문이 많습니다.
IC Insights는 2018 년 DRAM의 주요 공급 업체가 신중해야하며, 주주가 더 행복해지면 DRAM 고객층을 더욱 멀 리게 될 것이라고 전망했다. 중국의 DRAM 제조업체들은 처음부터 경쟁 제품을 출시 할 수있을 것으로 예상한다 DRAM 사용자들은 새로운 공급 업체로 몰려 들어 현재 치솟는 가격에 대한 현재의 상승 압력을 없애려 할 것이다. 현재의 DRAM 제조사들은 많은 보복을받을 수있다.
바이올렛은 3 년간 메모리 기술의 격차를 줄이기 위해 인텔과 협력 할 수 있습니까?
한국 미디어 최근 개시된 businesskorea는 청화 Unisplendour 차원 NAND 플래시 메모리 칩을 개발하기 위해 인텔과 협력한다. 이는 양측 사이의 규약에 따르면, 인텔 제 NAND 플래시 메모리 칩 웨이퍼를 제공하고,이어서 64 층 3D NAND 플래시 메모리 칩을 제공하기로 결정하는 것이보고되어있다. 인텔 칭화 Unisplendour 플래시 메모리 제품의 지원뿐만 아니라 매출 측면에서 경쟁력을 향상시킬뿐만 아니라 시장에서의 브랜드 인지도를 향상시킬 수 있습니다.
인텔이 탈출되는 마이크론 보유 거의 모든 주식을 매각 반면 인텔, 마이크론 합작 IMFlash하지만, 내년 초부터이 플래시 기술은, 양측은 협력, 제품과 서비스의 독립적 인 최적화를 종료합니다. 만약 완전히 독립적 바인딩 생산성 및 공급에 큰 영향을 미치고 현재 플래시 메모리 시장에 대한 수요가 계속 높아지고 있으므로 인텔은 새로운 파트너가 시급히 필요합니다.
보라색이 강하게 향후 5 년을 지원하는 중국의 반도체 산업의 발전에 중요한 대상, 중국이 반도체 산업에 1조위안을 투자, 목표는 2025 년까지 70 % 반도체로 자급률을 높일 것입니다, 여기에 천연 중요한을한다 역할. 현재, 보라색은 난징에서 자신의 메모리, 플래시 메모리 공장을 건설하기 위해 $ 300 억 투자뿐만 아니라 소주의 SSD 라이트 공동 개발 및 제조 시설의 건설에있다.
인텔은 여전히 다시 시장에 진입 20 년 전 사업을 포기하지만, 이후 2012 년 회사의 높은 기술 수준을 가지고, 메모리 칩 사업을 회복하기 위해 지난 해 SK 하이닉스. 인텔 뒤에있는 NAND 칩 시장 점유율 여섯째, 순위 NAND 플래시 메모리 시장 점유율에서 네 번째 마이크론 테크놀로지 회사 위를 기록하였고, 64 작년 레이어 3D NAND 플래시 메모리 칩을 생산하기 시작했다. 인텔은 현재 96 층 3D NAND 칩을 개발하고있다.뿐만 아니라, IMFlash는 3D 플래시 층 스택 (96)의 새로운 세대를 개발하고있다 , 10nm의 제조 공정, 현재 슬라이스 64 배 이상의 용량 밀도 레벨 보충 미래 퍼플 정착 할 것으로 예상된다.
일부 시장 전문가들은 처음으로 8 월 2014 년 전 세계적으로 삼성 전자에 있었기 때문에. 이것은 올해 말 사이의 기술 격차가 3 년 동안 32 레이어 3D NAND 메모리 칩 중국어 칩 메이커와 한국의 대응에서 생산을 시작했다 3 차원 칩 층 (48), (64) 12 월 2016 층 칩. 약간 더 높은 레벨과 NAND 차원 적층형 칩은 높은 수준의 기술을 필요로 8 월 2015 년 낸드 칩 생산 내의 3D 층 (32). 따라서, 시간과 에너지만으로는 기술 격차를 줄일 수 없습니다.
그러나 인텔과의 협력을 통해, 중국은 빠르게 저가의 도입 전에 첫 번째 2 ~ 3 년에 예상되는 중국은 사전에 고성능의 3D NAND 제품을 게시 할 수 있습니다 포함, 삼성 전자 등 국내 위협 메모리 업체 간 기술 격차를 좁힐 것으로 예상된다 제품.
시장 리서치 회사 인 Market Realist는 "중국과 인텔 간의 관계는 공급 과잉을 초래하고 전체 NAND 플래시 산업 생태계에 해를 끼칠 수있다"면서 한국 반도체 업계 관계자는 "삼성 전자와 SK 하이닉스는 경쟁사 NAND 확대에 따라 시장 여건이 악화 될 수 있으며, 이로 인해 세계적인 투자 기관들 사이에서 NAND 칩 가격이 급격히 떨어질 것이라는 논란이 일게 될 것입니다.
도시바는 인텔 이외에 중국 도시바와 기술 협력 관계를 맺기 위해 중국의 반독점 규제 기관의 승인을 받아야 SK 하이닉스를 포함한 베인 캐피털이 컨소시엄에 메모리 칩을 판매 할 수있다. 이에 따라 중국은 Toshiba에 대한 대체 계약을 체결하기 위해 Toshiba에 기술 협력이나 제품 공급을 요구할 수 있다고 믿고 있으며, 2016 년에는 중국 스마트 폰 회사 반도체 메모리에 대한 수요가 항상 충분하게 공급되지는 않았으며 이러한 회사들은 크게 불만을 나타 냈습니다.
제외 :
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국내 반도체 저장 산업의 발전은 규모의 경제를 특징으로하며, 강력한 국가 지원을받은 세력이 업계에 진입했으며, 메모리 산업의 전반적인 발전은 의심의 여지없이 상당한 증가세를 보였으며 결국 과점 산업으로 접어 들었습니다. 경쟁이 치열한 보편적 인 과학 기술 진보의 원동력에서 시작하여 많은 사람들과 많은 중국 사람들이 가정식 기억의 진행을 반복적으로 보는 것이 행복하다. 다른 한편으로는 국내 기억에 고주파 특성, 호환성 등이 있다고 생각한다. 이들 모두는 상당한 어려움에 직면 할 수 있으며 충분한 고객을 유치 할 수 있는지 여부에 관계없이 수익성과 가격 경쟁력을 테스트해야하며 시장에 충분한 영향을주지 못할 수도 있습니다.
우롱 실망 모두 이전 메시지 또는 기쁨의 CPU-Z 검증을 통해 입증 된 DDR4 입자뿐만 아니라, Taobao의 가게에 논쟁 채널의 측면을했다, 기복 뉴스의 홍수와 함께 독자의 마음.에 들어 보라색은 국내 메모리의 대표, 심지어 전체 국내 반도체 산업으로, 인터넷에서 평가는 뉴스의 지속적인 전복과 함께 업계에서 사람들이 낙관적 비관적 인 분위기를 교대 격렬한 반대하고, 균일하지 않다.