De acuerdo con los informes de los medios coreanos, Con el fin de cumplir con la PC, el mercado de teléfonos inteligentes continuó alta demanda de memoria flash NAND, Intel está negociando con el Grupo Unisplendour chino, autorizar su producción 64 capa de memoria flash NAND 3D.
Esta tecnología flash de Intel, Micron IMFlash empresa conjunta, pero a principios del año siguiente, los dos lados terminará la cooperación, la optimización independiente de sus productos y servicios, mientras que Intel va a vender casi todas las acciones en poder de Micron de la que escapar.
Intel actualmente en uso y suministro de memoria flash viene de IMFlash, si es completamente independiente que sin duda afectará en gran medida la producción y el suministro y la demanda del mercado actual y la memoria flash de alta continuada, Intel urgente necesidad de un nuevo socio.
El violeta es un objetivo clave en el desarrollo de la industria de los semiconductores de China apoyar firmemente los próximos cinco años, China invertirá 1 billón de yuanes en la industria de los semiconductores, el objetivo es el 2025 la capacidad de producción independiente y el 70%, aquí juega un papel crucial naturales Papel
Actualmente, violeta ha invertido $ 30 de mil millones para construir su propia memoria, memoria flash fábrica en Nanjing, también desarrolló conjuntamente la construcción de la planta de fabricación en Suzhou y SSD Lite.
Por lo tanto, para llamar la atención de Intel, también no es de extrañar.
No está claro Intel, el contenido específico de autorizar púrpura, una autorización de fabricación simple, o licencias de tecnología más avanzada.
Si es lo último, Violet también puede usar la memoria flash Intel para sus propios productos, y puede usarse como complemento cuando la memoria flash independiente aún no está completamente madura. Sin embargo, se espera que la memoria flash independiente no se abandone. Después de todo, esta lección es demasiado. .
En cualquier caso, esta es una excelente oportunidad para el desarrollo de la luz violeta, puede estar en contacto cercano con la tecnología de memoria flash más avanzada del mundo, y es de gran beneficio mejorar su fuerza técnica.
Los medios coreanos también creen que esto representará un serio desafío para Samsung, SK Hynix y Toshiba.
Además, IMFlash también está desarrollando una nueva generación de memoria flash 3D apilada de 96 capas, complementada por un proceso de fabricación de 10nm. La densidad de capacidad será el doble de la actual de 64 pisos. También se espera que se establezca en el futuro.
