国产内存真来了 | 但内存并不会降价

长期以来, 我国半导体行业发展落后, 没有量产芯片颗粒的能力, 严重依赖国外芯片颗粒.

在中国的进口贸易中, 仅2016年1月份到10月份, 中国在进口芯片上就花费了1.2万亿人民币, 是花费在原油进口上的两倍.

好在现在中国正在加大在芯片领域的投资, 进展尚佳. 人们希冀国产内存能够打破DRAM的价格垄断, 从而购买更为廉价的内存, 但事实果真如此吗?

国产内存进展一览: 良品率低, 技术不成熟

DRAM研发是一项极其烧钱的技术. 2016年, 紫光集团总耗资1000亿相继在武汉, 南京, 成都开工建设了存储芯片与存储器制造工厂, 目标打造国产晶圆及DRAM颗粒和3D NAND.

而这其中, DRAM技术研发难度最大, 进展也是最缓慢的.

在2017年末, 电商平台流出了少量紫光DDR3内存, 其DRAM技术来源于紫光集团收购的英飞凌科技下在存储事业部 , 并且产能一直不足, 良品率低的问题也没解决, 所以并未正式售卖.

2018年2月28日, 紫光集团宣布旗下的DDR4内存将在年内逐步推向市场, 坦然承认其销售规模不会太高, 对年度财报影响较小.

目前我们可以购买到未经公开销售的紫光DDR4内存, 这款内存还没有采用紫光颗粒, 原因当然还是DRAM产能不足.

采用紫光颗粒的DDR3内存表现还可以, 经过网友们测试, 紫光DDR3内存可以在默认电压下超频至2000MHz. 不过这也没什么可奇怪的, 毕竟DDR3内存的行业标准就这样.

在价格上, 紫光内存似乎不太 '良心' . DDR4 4GB内存高达420元, 和人们希望的国产内存打破国外垄断价格的愿望相差甚远, 与其他品牌内存相比也没有什么优势.

当然, 紫光内存的真正定价还要等正式上市我们才能公正的去评论.

国产内存和内存降价无关

内存价格凶猛, 一些国人期待国产内存可以打破国外技术垄断, 内存价格可以降下来. 但这里我要为大家泼一盆冷水, 因为国产内存短期内暂时无法影响DRAM的价格走势, 原因有三:

1, 紫光集团内存产能较小, 市场规模也小, 无法与三星, 美光, 海力士等DRAM大厂抗衡.

2, 2018年内存需求量依旧非常大, 再加上原材料现在正处于供应量大幅增加阶段, 这导致了紫光内存的成本很高, 实际产品的价格也并不会在短时间内实现下跌.

3, 无论是产品的品牌效应还是技术, 国产紫光内存的优势都不大, 短期难以盈利. 无法影响财政, 所以也没有能力打价格战.

看到这儿你可能会问, 那国家费这么大力气研发内存有什么用?

对于我们个人而言, 内存国产和进口没什么区别, 但上升到国家高度上, 国产内存的重要性不亚于国产CPU和国产系统.

早在2015年, 我国超算行业就遇到美国商务部禁售Intel至强处理器的事件.

美国商务部于2015年2月18日发布的一份通知称, 使用了两款英特尔微处理器芯片的天河二号系统和早先的天河1号A系统, '据信被用于核爆炸模拟' .

所以我们可以看到, 如果技术受制于人, 未来必然会面对更多的禁售事件.

此外, 内存技术掌握在他国手中也意味国家信息安全上存在阿喀琉斯之踵, 风险极大. 现代社会电子产品无处不在, 内存是电子产品必不可少的关键部件. 如果内存存有 '后门' 程序, 将导致国家诸多敏感信息泄露.

所以中国大力研发DRAM, 3D NAND是国家级策略, 内存降价对中国半导体行业没有一点好处, 甚至还有风险, 这点我们下文会提到.

警惕风险: 备战DDR5

前几年很多DRAM厂商纷纷倒闭, 只剩下三星, 海力士, 美光三家, 究其原因还是DRAM不赚钱.

2017年市场需求太猛烈, DRAM厂商产能跟不上才导致了供不应求, 价格猛涨的 '超级利好' 时期.

然而, 全球第一和第二大dram生产商三星电子和sk海力士正在争先恐后地扩大DRAM产量. 报道预计, 如果两大巨头继续增产, 那么全球DRAM的供求情况就会发生逆转, DRAM价格也将暴跌.

一旦内存价格下跌, 中国半导体行业很可能亏损甚至被拖垮.

此轮DRAM增厂并不是空穴来风, 有台湾企业调查显示 '三星为了提高市场进入壁垒, 正在试图增加dram产量, 防止DRAM价格进一步上涨. '

在2017年第三季度的业绩发布会上三星电子也表示: '将会把华城工厂的nand闪存生产设备转换为DRAM生产设备, 此外还会利用平泽工厂的2楼去生产DRAM. '

全球最大的金融机构之一美银美林集团预测, 三星电子的DRAM生产能力在今后2年内将增长20.3%.

sk海力士也不例外. 2017年7月, sk海力士将投资规模增加了近40%, 从而把在中国无锡的DRAM工厂的生产能力提升了两倍. 不过, 报道称, 排在dram生产第三位的镁光公司并没有一起跟进.

在业内人士看来, 三星和海力士的行为都是在打压中国半导体行业崛起的手段, 内存的国产之路, 风险重重.

小结:

进入2018年后, 内存行业将正式公布DDR5内存规范, 下一代DDR内存的带宽和密度都是现在的两倍, 技术难度也将达到前所未有的高度, DRAM面临新一轮洗牌.

这是中国企业的挑战也是弯道超车的最佳时机, 未来希望中国的半导体企业可以在DDR5内存上大有作为, 打破行业垄断, 彰显大国风采.

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