Conjunto micro noticias de la red, el 26 de marzo de Micron Technology, publicado tres nuevos productos de almacenamiento NAND 3D 64 capa apilada segunda generación de TLC (tres unidades), la compañía dijo, la corriente de la capacidad insignia teléfono inteligente de hasta 256 GB, estimada Para 2021, la capacidad aumentará a 1TB.
Micron dijo que el nuevo producto permitirá a los fabricantes de teléfonos inteligentes mejorar la experiencia del usuario de las funciones móviles de próxima generación, como la inteligencia artificial (IA), la realidad virtual, el reconocimiento facial, etc. Según el pronóstico de Gartner, hasta el 80% de smart 2022 El teléfono tendrá funciones integradas de AI.
analista de Cowen Karl Ackerman señaló que el precio medio de los chips de memoria permanecen nivel benigna en febrero. El fabricante alemán de oblea de silicio Siltronic AG también mencionó el día 5, la firma de investigación IHS Markit espera que las condiciones del mercado de DRAM en 2018 subirán.
Micron va a tener una reunión de ley en la ciudad de Nueva York el 21 de mayo de 2018.