Samsung conferma la costruzione di una nuova fabbrica a Pyeongtaek | Investi 30 trilioni di won per produrre DARM e NAND Flash

Secondo i media della Corea del Sud, Corea del Sud gigante di memoria Samsung ha confermato, costruirà un nuovo impianto di semiconduttori nella città di Pyeongchang Ze per l'espansione di memoria DRAM, NAND Flash capacità di memoria flash. In precedenza, i media della Corea del Sud "FN News" aveva funzionari del settore citati dicono città di Pyeongtaek ha riportato che Samsung Electronics si terrà una riunione del comitato di gestione per decidere se costruire i primi due impianti di chip, e ha annunciato la sua decisione dopo che il nuovo anno lunare. ha riferito che l'investimento totale potrebbe essere di circa 30.000 miliardi di won ( circa $ 2.76 miliardi).

Secondo ulteriori rapporti di FN News, Samsung ha attualmente un grande stabilimento a Pyeongtaek, in Corea del Sud, che è in procinto di produrre pellet con memoria flash NAND impilata a 64 strati dal 2017. Il nuovo impianto è temporaneamente Chiamato P2 Project, a due passi dalla vecchia fabbrica, che ora costa 30.000 miliardi di KRW (circa 2,76 miliardi di dollari), ma non è ancora chiaro se sarà un investimento preliminare o un investimento totale. O una joint venture per costruire, Samsung non ha rivelato più informazioni.

Il rapporto ha inoltre sottolineato che ora il nuovo impianto ha iniziato la costruzione, e il progetto di posa del gasdotto è giunto al termine in futuro, il nuovo stabilimento è stato completato, avrà la produzione di DRAM, capacità di memoria flash flash NAND. Ma attualmente Samsung non Divulgazione esterna di specifici piani di produzione. Stime esterne, a quel punto, la produzione di memorie flash DRAM, NANDFlash dovrebbe rappresentare la metà della capacità di produzione e Samsung verrà regolato dinamicamente in base alle esigenze del mercato, al fine di determinare la DRAM o la Flash NAND Il livello di capacità della memoria.

Secondo il piano, questo nuovo impianto Samsung sarà completato entro la fine del 2019. Perché anche l'approvvigionamento di attrezzature e personale in loco richiederà del tempo. Pertanto, Samsung al più tardi entro la fine del 2018 è la decisione di produrre DRAM, NAND Flash Rapporto di memoria flash. I partecipanti al mercato ritengono che l'attuale memoria flash NAND Flash non sia un grande divario, la capacità originale della fabbrica non ha raggiunto il pieno carico, ma il mercato DRAM è scarseggia, quindi la nuova fabbrica dovrebbe essere DRAM In questo caso, finché la nuova fabbrica sarà completata e messa in produzione, la capacità di produzione di DRAM sarà ulteriormente migliorata per alleviare l'attuale carenza di DRAM.

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