Samsung Electronics подтвердила, что она строит новый полупроводниковый завод в Пхентайке, Кёнги-до, Корея, для производства различных микросхем памяти, таких как память и флэш-память в соответствии с рыночным спросом.
Samsung в настоящее время имеет большой завод в Пхентаке и начнет массовое производство 64-слойных штабелированных флеш-накопителей NAND в середине 2017 года и может также выпускать чипы памяти DRAM. Первоначально завод инвестировал 15,6 трлн вон, и ожидается, что общий объем инвестиций составит 2021 Достигнув 30 триллионов вон,
Новый завод временно называется P2 Project, недалеко от старого завода, говорится в докладе Инвестиции составили 30 триллионов вон (около 175 млрд. Юаней), Но пока не ясно, являются ли первоначальные инвестиции или общие инвестиции.
Принимая во внимание, что новый завод только начал строительство, прокладывая газопровод в январе только, последующие мероприятия, безусловно, будут дополнительными инвестициями.
На новом заводе также имеется память, производственная мощность флеш-памяти , Но Samsung еще не определилась с тем, что конкретно делать в первую очередь, безусловно, зависит от последующего рыночного спроса, такого как первоначальный завод, изначально предназначенный для производства памяти.
Сообщается, Новый завод планируется завершить к концу второго квартала 2019 года , Поэтому Samsung, самое позднее, к концу этого года, должен решить, должно ли производство памяти или флэш-памяти, в конце концов, заказывать оборудование, обрабатывать, переходить в другое, также требует времени.
Принимая во внимание, что разрыв в памяти флэш-памяти не слишком велик, оригинальная фабрика также была серийно произведена, и теперь рынок памяти по-прежнему высок, новый завод должен быть основан на памяти, естественно стимулирует дальнейшее снижение цен на память.
Конечно, если Samsung намеренно контролирует предложение и спрос на рынке, тогда другого выхода нет, интервью бесполезно.
