في السنوات الأخيرة، وتكنولوجيا ذاكرة مرحلة التغيير كتقنية جديدة لتغيير قواعد اللعبة، ليصبح بديلا محتملا لاختيار ذاكرة الوصول العشوائي للكمبيوتر. مرحلة التغيير رقاقة ذاكرة مواد المرحلة عن طريق الحرارة من غير متبلور في شكل بلوري، سرعة عالية، وانخفاض استهلاك الطاقة، وصغر حجمها وغيرها من الخصائص، وجعل أصغر، وأكثر قوة البحث والتطوير نظم الحوسبة ممكن، ولكن المرحلة الذاكرة التغيير بسبب التحديات من حيث الجودة والاتساق والمتانة، لم يتمكن من تحقيق كتلة واسعة النطاق الإنتاج.
ويعتقد جامعة ييل وIBM الباحثون ان فهم دقيق لسلوك المرحلة الانتقالية من الجهاز هو القضاء على الحواجز، ذاكرة مرحلة التغيير حل عملي الرئيسي لهذه المشكلة. في الآونة الأخيرة، وأنها خارج الوضع الطبيعي انتقال الإلكترونات معهد ييل للعلم النانو والهندسة الكم (YINQE) من وقد لوحظ المجهر على مرحلة التحول ذاكرة مرحلة تغيير ودراستها، وجدت طريقة كيفية تنفيذ "الشفاء الذاتي" العيوب تجويف مرحلة تغيير جوهري، ونجحت في تطوير نوع جديد من الشفاء الذاتي مغلق المرحلة الذاكرة التغيير. كانت نتائج البحوث نشرت في أعلى مجلة "المواد المتقدمة". عيب جوفاء في بمس هو الفضاء عيب النانو التي خلفتها خسارة المواد بسبب الفصل الكيميائي، الذي هو الجاني من العملي من بمس.
المرحلة القياسية تغيير الذاكرة وجود بنية مماثلة لالفطر مظلة، وفريق البحث ييل -IBM بنية الذاكرة مرحلة تغيير جديدة محاطة بطبقة معدنية لobconical بنية مغلقة لتعزيز الاستقرار ومتانة الأجهزة. بطانة الخارجي طبقة معدنية يحمي المواد تغيير المرحلة ويمكن انجراف المقاومة للذاكرة تغيير المرحلة أصغر لتحسين الأداء العام للجهاز.
من خلال مراقبة مرحلة الانتقال من خلال تيم، رأى الباحثون تأثير الذاتي إصلاح الذاكرة تغيير المرحلة بعد تغيير هيكل الجهاز وإضافة بطانة الخارجي المعدني، الأمر الذي جعل عملية الانتقال المرحلة من المواد غست أكثر السيطرة عليها.
وكشف الباحثون أن الخطوة التالية ستكون لتطوير وضع القطبين من العملية لتغيير اتجاه الجهد للسيطرة على عملية الفصل الكيميائية في ظل وضع التشغيل العادي، واتجاه التحيز الجهد الجهاز هو دائما نفسه. ومن المتوقع أن يمد التنفيذ دورة حياة ذاكرة التغيير الطوري.