目前, 突触电子学主要采用两端阻变器件 (忆阻器) 和三端阻变器件 (场效应晶体管) 来进行神经突触功能的模拟. 这些器件的电阻变化与神经突触权重 (突触连接强度) 的变化极为相似, 已被成功用于模拟神经突触的可塑性和学习功能. 日前, 中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室孙阳研究组在国际上首先提出了一种基于磁电耦合效应的非易失性电路元件——忆耦器 (memtranstor) . 这种器件由电荷和磁通的非线性关系来定义, 其状态值用电耦来表示, 可以通过测量器件的磁电耦合电压值来给出. 在前期工作中, 孙阳研究组已经分别基于忆耦器成功演示了室温下的两态存储, 多态存储和布尔逻辑运算功能. 与阻变器件相比, 忆耦器具有更低功耗的优点.
近期, 孙阳研究组副研究员尚大山, 博士研究生申见昕及合作者中科院院士, 物理所研究员沈保根, 北京师范大学教授王守国在忆耦器的应用方面取得了新进展, 成功将忆耦器应用于突触电子学领域. 他们在具有室温大磁电耦合效应的Ni/PMN-PT/Ni忆耦器中, 通过调节脉冲触发电压和脉冲次数, 实现了电耦值的连续可逆变化, 模拟了神经突触权重增强和减弱行为. 神经生物学研究表明, 神经突触的学习功能遵循赫布律, 即突触权重的变化取决于连接突触前后神经元的激发活性. 他们通过设计脉冲电压触发波形, 并将两组脉冲波形进行叠加, 实现了脉冲时序依赖可塑性 (STDP) 的突触可塑性行为. 在此基础上, 他们构建了基于忆耦器的4*4神经网络, 采用随机噪声学习方法, 模拟了图片静态和动态学习功能. 该研究在国际上首次利用忆耦器模拟了神经突触可塑性和学习功能, 证明了基于忆耦器构建低功耗神经网络的可行性, 为突触电子学和类脑计算技术的开发提供了一种全新的途径.
相关研究成果发表在 Advanced Materials 上. 该研究得到了国家自然科学基金委, 科技部和中科院的资助.
