公告披露, 华灿光电该项目包括以下内容: ①LED外延及芯片; ②蓝宝石衬底; ③紫外LED; ④红外LED; ⑤microLED; ⑥MEMS传感器; ⑦垂直腔面发射激光器(VCSEL)⑧氮化镓(GaN)基激光器; ⑨氮化镓(GaN)基电力电子器件等先进半导体与器件项目.
据悉, 该项目计划总投资人民币108亿元, 项目总建设周期预计为7年.
华灿光电表示, 本协议的签署, 符合公司的战略发展需要, 有利于提升未来发展空间, 为公司未来的发展注入动力. 本项目如顺利实施将有助于公司的业务拓展, 为公司持续发展提供支持和保障, 通过积累项目的建设和运营经验, 提升公司的核心竞争力和行业影响力.